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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產品獎
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產品獎。 《今日電子》的編輯根據設計的創(chuàng)新性、技術或應用的顯著進步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導通電阻及導
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。Si8422DB 針對手機、PDA、數碼相機、MP3 播放器及智能電話
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時具有業(yè)界最低導通電阻及導
