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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎(jiǎng)
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計(jì)的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進(jìn)步，以及性?xún)r(jià)比顯著提高三個(gè)方面，從2008年發(fā)布的
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話
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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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新型TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，擴(kuò)展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。該器件采用 PowerPAK® SO-8 封裝，在 20V 額定電壓時(shí)具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻及導(dǎo)
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