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新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時具有
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非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時具有
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12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強(qiáng)的PowerPAK SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。
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60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的電壓降至12V，同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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20V P通道TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN，其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm，只有PowerPAK&
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進(jìn)步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在
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Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET SiR440DP獲《今日電子》雜志的年度產(chǎn)品獎
該公司的第三代20V N通道TrenchFET®功率MOSFET SiR440DP榮獲《今日電子》雜志的2008年度產(chǎn)品獎。 《今日電子》的編輯根據(jù)設(shè)計的創(chuàng)新性、技術(shù)或應(yīng)用的顯著進(jìn)步，以及性價比顯著提高三個方面，從2008年發(fā)布的
