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Vishay 30Vp溝道TrenchFET第四代大幅提高功率密度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p溝道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的3.5 mW。
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Vishay再度推出新款TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V
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Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
Vishay 宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20 V(12V VGS和
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Vishay新款TrenchFET功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
器件在4.5V和2.5V下的RDS(ON)低至34mΩ和45mΩ，占位面積2mm x 2mm，采用PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小
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Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET MOSFET SiZ340DT
采用PowerPAIR封裝，最大RDS(ON)降低57%，提高了轉(zhuǎn)換效率日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，發(fā)布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET® Gen IV技術(shù)
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Vishay推出新款TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET 具超小尺寸、極低導(dǎo)通電阻
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---
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Vishay Siliconix 推出 N溝道TrenchFET®功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。 新的Si
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計，在
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計，在
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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Vishay推出新一代TrenchFET® MOSFET器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計，在4.5V下導(dǎo)通電阻
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Vishay的TrenchFET功率MOSFET榮獲電源產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET?功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。《今日電子》的編輯從開創(chuàng)性的設(shè)計、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得
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Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器
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Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器
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Vishay推出雙芯片P溝道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic訊 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器
