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關(guān)于新一代100 V 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）解析
隨著社會的快速發(fā)展，我們的氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管也在快速發(fā)展，那么你知道氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管的詳細(xì)資料解析嗎?接下來讓小編帶領(lǐng)大家來詳細(xì)地了解有關(guān)的知識。
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用于48VDC/DC轉(zhuǎn)換的EPC9148和EPC9153演示板
在生活中，你可能接觸過各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的氮化鎵場效應(yīng)晶體管，那么接下來讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)氮化鎵場效應(yīng)晶體管。
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eGaN?FET實現(xiàn)98%效率、250 W/48 V的DC/DC解決方案，用于超薄且有高密度的計算應(yīng)用
基于宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)超高效eGaN?FET的兩種高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器，推動超薄筆記本電腦、顯示器、高端游戲系統(tǒng)和其它纖薄型消費(fèi)電子產(chǎn)品實現(xiàn)高效解決方案
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eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源
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EPC eGaN®技術(shù)在性能及成本上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍
全球增強(qiáng)型氮化鎵晶體管領(lǐng)袖廠商、致力于開發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體管，在提升產(chǎn)品性能之同時也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!
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EPC于CES 2017展覽展示 基于eGaN技術(shù)的應(yīng)用可以改變我們的生活方式
EPC公司將于國際消費(fèi)電子展CES® 2017在Mandalay Bay酒店與客戶見面的Hospitality Suite展示氮化鎵(GaN)技術(shù)是眾多最新應(yīng)用的主要技術(shù)，包括自動駕駛汽車、不使用電源線的未來家居、互聯(lián)汽車及于藥丸內(nèi)的微型X光系統(tǒng)以非侵入式方法進(jìn)行結(jié)腸鏡檢查等應(yīng)用。
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EPC推出面向擴(kuò)增實景和全自動駕駛汽車應(yīng)用的eGaN FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2040功率晶體管，它是一種超小型、具備快速開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管，面向高速終端應(yīng)用，可實現(xiàn)優(yōu)越的分辨率、更快速的響應(yīng)時間及更高準(zhǔn)確度。此外，由于在整個工作溫度范圍內(nèi)，器件具有高準(zhǔn)確度門限，因此當(dāng)鐳射受熱，可確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。例如該晶體管在LiDAR技術(shù)所采用的脈沖式鐳射驅(qū)動器是理想的器件。LiDAR技術(shù)是全自動駕駛汽車的導(dǎo)航系統(tǒng)及擴(kuò)增實景平臺的重要技術(shù)。EPC2040的優(yōu)越性能在這些系統(tǒng)中可以實現(xiàn)更高準(zhǔn)確度及分辨率。
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