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為步進電機、繼電器和 LED 創(chuàng)建動態(tài)電源解決方案
作為工程師，每當我們面臨為步進電機、LED 和其他外圍設備設計控制或電源電路的挑戰(zhàn)時，我們都喜歡使系統(tǒng)適應特定的規(guī)則和條件。 我們基本上測量了兩次，但僅限于那組特定條件。事后的任何更改只會意味著額外的成本和評估時間，這對任何項目來說都是一個巨大的痛苦。
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了解設計工業(yè)驅(qū)動器的電磁兼容性要求
變速和工業(yè)驅(qū)動設計工程師需要了解電磁兼容性 (EMC) 抗擾度和電磁干擾 (EMI)，以及隔離安全要求。你知道你的要求嗎？每個終端設備設計都必須滿足其自身的標準，以確保產(chǎn)品在所需的終端設備類別和環(huán)境中合規(guī)且安全使用。
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簡化 100V 輸入寬 VIN的 電源轉(zhuǎn)換方案
當我們需要執(zhí)行降壓電源轉(zhuǎn)換時，開關(guān)穩(wěn)壓器是一種高效的設備。由于新的應用，這些產(chǎn)品的寬輸入電壓 (V?IN?)空間（TI 認為 >30V）已經(jīng)增加了這些產(chǎn)品的使用。
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兩個路輸出優(yōu)于一路輸出的反激式轉(zhuǎn)換器方案
反激式轉(zhuǎn)換器廣泛用于需要初級和次級之間隔離的應用。反激式轉(zhuǎn)換器的單初級開關(guān)和輸出整流器為單輸出提供了一種具有成本效益的解決方案。很多時候，需要不止一個輸出電壓。
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如何從瞬態(tài)響應測量中確定帶寬
在日常工作中，我們認為必須有一種簡單的方法來將電源控制環(huán)路的帶寬與其瞬態(tài)響應相關(guān)聯(lián)，但從未真正找到一個很好的參考資料來簡單地定義它。 這似乎是一個簡單的問題，應該有一個簡單的解決方案。對于電路來說帶寬越高，環(huán)路響應越快，電壓偏差越小。
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如何克服開關(guān)電源中的最小導通時間挑戰(zhàn)
在降壓轉(zhuǎn)換器等開關(guān)電源中，占空比控制相對于輸入電壓的輸出電壓。雖然更高的開關(guān)頻率有助于通過使用小電感器來減小解決方案尺寸，但必須滿足最短導通時間才能使開關(guān)電源正常工作。
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當調(diào)試升壓轉(zhuǎn)換器遇到問題時，可以從四個方向進行分析
解決轉(zhuǎn)換器無法啟動、輸出電壓不穩(wěn)定等問題的最有效方法是進行一些基本調(diào)試?；菊{(diào)試可以排除一些明顯的問題，如裝配故障或錯誤的組件，調(diào)試數(shù)據(jù)可以幫助 我們快速找到根本原因。在這篇文章中，我們將討論調(diào)試升壓轉(zhuǎn)換器的技巧。
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為以太網(wǎng)交換機中的大電流 Broadcom 網(wǎng)絡處理器供電
Broadcom 網(wǎng)絡處理器，例如 StrataXGS Tomahawk 系列，可在以太網(wǎng)交換機中實現(xiàn)高密度和高性能（圖 1 是以太網(wǎng)交換機的框圖；交換機 ASIC 可以是 StrataXGS 處理器）。
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在超低功耗系統(tǒng)中實現(xiàn)更高精度的電池電量計性能
無論是設計超低功耗便攜式手持設備還是遠程無線電池供電傳感器節(jié)點，準確測量、預測和報告電池充電狀態(tài)、電池健康狀況和剩余設備運行時間的需求在眾多應用中變得越來越重要。
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如何優(yōu)化電壓監(jiān)控器的小技巧
數(shù)十年來，電壓監(jiān)控器一直為數(shù)字電路提供模擬電壓監(jiān)控。德州儀器于 1983 年發(fā)布了最初的TL7705；它消耗 1.8mA，采用塑料雙列直插式封裝 (PDIP)，我們今天仍然可以購買。
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電動汽車雙電源系統(tǒng) 48V 和 12V 應用
汽車業(yè)的發(fā)展主要由電氣化和自動駕駛兩大趨勢所推動。由于歐盟設定了二氧化碳減排目標，除了汽車電氣化，OEM別無選擇。同時，為了提高汽車安全性并實現(xiàn)全自動駕駛的最終目標，OEM使用了越來越多的傳感器，并不斷提升計算性能來處理傳感器產(chǎn)生的所有數(shù)據(jù)。
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USB PD 3.0 快速切換注意事項
USB Type-C? 和 USB Power Delivery (PD) 的引入將永遠改變我們與筆記本電腦/平板電腦/智能手機和配件的交互方式 一根電纜提供電源和數(shù)據(jù)，無需預先配置到哪一端或設備是主機還是客戶端。電源可以來自兩端或設備，電源角色可以根據(jù)條件動態(tài)變化。隨著 USB PD 2.0 設備進入市場，我們立即目睹了幾個用例，推動了我們認為可能的范圍。
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使用高壓 GaN 器件提高電源可靠性
氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 提高了轉(zhuǎn)換器效率，與具有相同額定電壓的硅 FET 相比，具有更低的柵極電荷、更低的輸出電荷和更低的導通電阻。在總線電壓大于 380V 的高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器應用中，耗盡型（d 型）GaN HEMT 比增強型（e 型）GaN HEMT 更受歡迎。
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實現(xiàn)反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設計的方案
DC/DC 轉(zhuǎn)換器領域的常識是，降壓轉(zhuǎn)換器或穩(wěn)壓器集成電路 (IC)，例如 LM5017 系列，可以從正 V IN產(chǎn)生負 V OUT。乍一看，使用降壓穩(wěn)壓器 IC 的反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的原理圖看起來與降壓轉(zhuǎn)換器非常相似（圖 1a 和 1c）。但是，這兩個電路在電壓和電流電平、開關(guān)電流和布局方面存在重要差異。
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USB充電器從Type-A升級到Type-C
USB 充電器正變得越來越普遍，并且似乎正在走向普及。它們已經(jīng)從只存在于我們的計算機上轉(zhuǎn)變?yōu)榇嬖谟趬Ρ诓遄?、墻壁疣、汽車面板、飛機座椅等中。
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