• 砸錢(qián)、搶人、買公司!地方政府掀起芯片大戰(zhàn)

    2018年什么最火?芯片。 在AI芯片熱潮、中興事件、與“大基金”第二輪募集的大背景下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在2018年已成為當(dāng)下炙手可熱的當(dāng)紅炸子雞，吸引了大量資本、企業(yè)、人才的關(guān)注。在國(guó)家積極推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的當(dāng)下，地方政府自然也不甘示弱。 這廂南京臺(tái)積電、西安三星等項(xiàng)目陸續(xù)動(dòng)工投產(chǎn)，那廂杭州、大連等集成電路產(chǎn)業(yè)又以超過(guò)50%的速率瘋狂增長(zhǎng)。在即將結(jié)束的2018年里，更是有十多個(gè)城市緊鑼密鼓地推出集成電路政策，秉承著“砸錢(qián)!搶人!買公司”的一腔熱情，打響了一場(chǎng)火藥味十足的芯片大戰(zhàn)! 一、別整虛的，先看成績(jī)單 以上海、深圳、北京等為代表的一線城市是我國(guó)集成電路的傳統(tǒng)重鎮(zhèn)，不過(guò)從2014年開(kāi)始，大批二線城市也加入了這場(chǎng)牌局，代表玩家有西安、南京、杭州、無(wú)錫、合肥、武漢、重慶、大連等等，產(chǎn)業(yè)發(fā)展開(kāi)始加速。 而到了2018年，在AI芯片熱潮、中興事件、與1500+億“大基金”第二輪募集的大背景下，這輛高速奔跑的產(chǎn)業(yè)汽車進(jìn)一步換擋加速，產(chǎn)業(yè)落地跑到新高度。   拿西安為例，在上周剛剛結(jié)束的西安集成電路產(chǎn)業(yè)高峰論壇上，西安高新區(qū)與10大集成電路項(xiàng)目集中簽約，其中不乏龍芯中科、中微半導(dǎo)體、杭州士蘭微等國(guó)內(nèi)知名企業(yè)。 南京則更大手筆，在11月的最后兩周里，南京市密集宣布了將近20個(gè)集成電路重點(diǎn)項(xiàng)目的簽約與落地揭牌，涉及投資額近170億元，其中包括了投資20億的鴻海旗下京鼎精密南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地、投資10億的松果電子物聯(lián)網(wǎng)芯片總部項(xiàng)目、投資10億的龍加智AI芯片研發(fā)項(xiàng)目、投資5億的比特大陸AI芯片研發(fā)項(xiàng)目、投資2千萬(wàn)美元的日月光集團(tuán)南京測(cè)試中心項(xiàng)目等等。   此前，我國(guó)芯片設(shè)計(jì)業(yè)年銷售額超過(guò)100億人民幣的城市常年只有北京、上海、深圳三座城市，但是今年，杭州和無(wú)錫首次躋身IC設(shè)計(jì)業(yè)的“100億俱樂(lè)部”，其芯片設(shè)計(jì)銷售額分別為118.34億、110億人民幣，同比增長(zhǎng)57.56%、15.79%。 合肥也屬于近年突飛猛進(jìn)的第二梯隊(duì)之一，2013年以前，這座城市的集成電路產(chǎn)業(yè)幾乎是一片空白，而三年過(guò)去后，合肥在2016年的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)增長(zhǎng)了872.46%、2017年增長(zhǎng)了83.83%。今年8月，合肥高新區(qū)與新思科技、芯原微電子舉行了項(xiàng)目簽約儀式;今年11月，合肥又宣布了32個(gè)集成電路項(xiàng)目落戶合肥高新區(qū)，總投資達(dá)88.4億元。 這還不止，除了引進(jìn)新晉集成電路項(xiàng)目外，各大城市與國(guó)際芯片龍頭企業(yè)的合作也進(jìn)一步加深。今年3月底，三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目在西安正式動(dòng)工，二期項(xiàng)目投資額70億美元;今年9月，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目啟動(dòng)投產(chǎn)，這一項(xiàng)目耗資55億美元，并將采用世界先進(jìn)的96層3D NAND存儲(chǔ)芯片技術(shù);今年11月，臺(tái)積電南京晶圓Fab 16廠舉行開(kāi)幕暨量產(chǎn)典禮，并宣布成立臺(tái)積電晶圓制造服務(wù)聯(lián)盟。 二、砸錢(qián)搶公司!政策密集轟炸的2018 在這一份份光鮮亮麗的成績(jī)單背后，是各地方政府你追我趕爭(zhēng)相引入集成電路龍頭項(xiàng)目、頒布法規(guī)政策、設(shè)立專項(xiàng)小組、投資產(chǎn)業(yè)基金的結(jié)果。 在即將結(jié)束的2018年里，就有十多個(gè)城市緊鑼密鼓地推出集成的相關(guān)電路政策，僅在今年7-8月這兩個(gè)月里，就至少有重慶、合肥、大連、杭州、長(zhǎng)沙、泉州、蕪湖這7大城市推出了促進(jìn)集成電路發(fā)展的政策、措施、規(guī)定、與實(shí)施細(xì)則。 這些相關(guān)政策一般關(guān)注在幾大部分，設(shè)立產(chǎn)業(yè)投資基金、鼓勵(lì)企業(yè)入駐、補(bǔ)貼IP購(gòu)買與流片、以及針對(duì)產(chǎn)業(yè)人才的優(yōu)惠方案。 1、設(shè)立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金; 集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一般以省為主體設(shè)立，其設(shè)立密集期在2016年，福建、湖南、四川、遼寧、廣東、陜西等省都在這一年里設(shè)立了100-500億規(guī)模不等的集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。 以城市為主體設(shè)立的產(chǎn)業(yè)基金則包括上海、廈門(mén)、石家莊、南京、無(wú)錫、昆山、重慶等等，其中無(wú)錫、廈門(mén)、重慶都分別在2018年里設(shè)立了200億、500億、500億的產(chǎn)業(yè)發(fā)展與投資基金。北京市對(duì)于符合條件的集成電路項(xiàng)目，政府按企業(yè)注冊(cè)資本15%跟進(jìn)投資(不行使表決權(quán)、不參與分紅);合肥市還對(duì)集成電路企業(yè)的投資方與被投資方都給予了300萬(wàn)以下與100萬(wàn)以下的獎(jiǎng)勵(lì)支持。 2、通過(guò)資金獎(jiǎng)勵(lì)吸引集成電路龍頭企業(yè)落地本市，鼓勵(lì)創(chuàng)新研發(fā); 上文提到，2018年里，不少城市都引入了一大批集成電路項(xiàng)目的簽約落地。不過(guò)智東西了解到，地方政府與企業(yè)的合作并不局限在資金與資源的補(bǔ)貼，越來(lái)越多的城市將重點(diǎn)放在了創(chuàng)新研發(fā)上。 英特爾公司全球副總裁兼中國(guó)區(qū)總裁楊旭告訴智東西，除了稅收減免等補(bǔ)貼之外，更多地方政府希望英特爾和地方企業(yè)/研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行創(chuàng)新型、研發(fā)型的合作。目前英特爾在大連、成都都設(shè)有半導(dǎo)體工廠。 作為集成電路的前沿技術(shù)之一，不少新興的AI芯片創(chuàng)業(yè)公司也受到了各地政府青睞。比如成都就曾向國(guó)內(nèi)不少AI芯片玩家伸出過(guò)橄欖枝，在補(bǔ)貼與獎(jiǎng)勵(lì)的基礎(chǔ)上，還能提供“領(lǐng)包入駐”的辦公環(huán)境。寒武紀(jì)和地平線也分別在蘇州、南京設(shè)有分公司。 此外，對(duì)表現(xiàn)突出的集成電路企業(yè)(比如研發(fā)項(xiàng)目獲得國(guó)家認(rèn)證、贏得創(chuàng)新大賽、企業(yè)年銷售突破2000萬(wàn)/1億等)，不少地方政府也會(huì)進(jìn)行資金獎(jiǎng)勵(lì)或稅務(wù)減免。 不過(guò)各地產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)不同，獎(jiǎng)勵(lì)的門(mén)檻自然也不同。對(duì)于北京、無(wú)錫這類集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)相對(duì)成熟的城市來(lái)說(shuō)，“優(yōu)惠政策”的門(mén)檻自然也會(huì)高一點(diǎn)。比如廈門(mén)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)稅務(wù)留成獎(jiǎng)勵(lì)的門(mén)檻是年銷售額2000萬(wàn)元，無(wú)錫的門(mén)檻則是1億人民幣，并且要求連續(xù)兩年銷售額正增長(zhǎng)。 3、對(duì)企業(yè)的IP購(gòu)買與實(shí)驗(yàn)/工程流片進(jìn)行補(bǔ)貼支持; 不少城市會(huì)給予研發(fā)多項(xiàng)目晶圓(MPW)、研發(fā)流片、工程流片、以及購(gòu)買IP和提供IP復(fù)用/設(shè)計(jì)工具軟件共享等的集成電路企業(yè)進(jìn)行補(bǔ)貼與補(bǔ)助，規(guī)模大概在每個(gè)企業(yè)最高100-300萬(wàn)元左右。 三、人才大戰(zhàn)正酣，拉來(lái)26大高校加入戰(zhàn)局 在各地政府推出的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策當(dāng)中，對(duì)集成電路人才招募的補(bǔ)貼與支持同樣也是重要的一環(huán)。這其中既有各地政府對(duì)于人才招募的渴求，又有各大高校對(duì)于加大集成電路人才培養(yǎng)。 2018年各地政府的“搶人大戰(zhàn)”想必大家多少有所耳聞，武漢、成都、天津、廈門(mén)、南京、西安等一大批城市對(duì)于學(xué)歷型人才完全敞開(kāi)懷抱，推行“零門(mén)檻落戶”、家屬隨遷、租購(gòu)房/車補(bǔ)貼、創(chuàng)業(yè)補(bǔ)貼等等。集成電路也被不少城市劃分成了重點(diǎn)行業(yè)，對(duì)于貸款與引進(jìn)緊缺型人才的指標(biāo)上予以傾斜。 其中，廈門(mén)與泉州特別值得一提，在已有人才招募的基礎(chǔ)上，這兩座城市都針對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)人才進(jìn)行了補(bǔ)充規(guī)定： 廈門(mén)市規(guī)定，集成電路A類(領(lǐng)軍)、B類(核心)、C類(骨干) 高端人才享有一次性安家補(bǔ)助100萬(wàn)元、50萬(wàn)元、30萬(wàn)元;符合集成電路緊缺專業(yè)且與集成電路企業(yè)簽訂2年以上合同的大學(xué)畢業(yè)生獲安家(租房)補(bǔ)助：本科生安家800元/月、租房400元/月;碩士生安家1200元/月、租房600元/月;博士生安家2000元/月、租房1000元/月。 泉州則更進(jìn)一步，如果集成電路設(shè)計(jì)人才不符合泉州高層次人才的相關(guān)規(guī)定，企業(yè)還可以對(duì)他們進(jìn)行單獨(dú)推薦，獲批人才將按工資收入(5000元-16001元以上)標(biāo)準(zhǔn)收到每月500-1600元的補(bǔ)貼。 目前，我國(guó)有26所示范性微電子學(xué)院，包括清華大學(xué)、北京大學(xué)、電子科技大學(xué)、上海交通大學(xué)、南京大學(xué)等等。無(wú)錫還對(duì)市內(nèi)高校新增集成電路相關(guān)專業(yè)給予最高100萬(wàn)元/專業(yè)獎(jiǎng)勵(lì)。     這26所高校當(dāng)中，北京6所，上海、西安各3所，廣州、合肥、南京各2所，成都、大連、福州、杭州、濟(jì)南、天津、武漢、長(zhǎng)沙各1所 這26所示范性微電子學(xué)院在2015-2017年間每年培養(yǎng)的畢業(yè)生總?cè)藬?shù)在5700-6300人左右。今年3月，教育部還下達(dá)了微電子專項(xiàng)培養(yǎng)計(jì)劃，這26所大學(xué)示范性微電子學(xué)院的碩士與博士生將分別增加1242名與262名。 不過(guò)，根據(jù)《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(shū)(2017-2018年版)》中數(shù)據(jù)，在集成電路專業(yè)領(lǐng)域的畢業(yè)生里，僅有12%左右進(jìn)入本行業(yè)就業(yè)。我國(guó)集成電路行業(yè)平均月薪為9120元人民幣，其薪資待遇與互聯(lián)網(wǎng)、金融行業(yè)相比存在差距，導(dǎo)致不少畢業(yè)生都流向了互聯(lián)網(wǎng)，計(jì)算機(jī)軟件、IT、通信、房產(chǎn)等行業(yè)。 總的來(lái)說(shuō)，我國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)人才缺口還很大。截止到2017年底，我國(guó)集成電路行業(yè)從業(yè)人員規(guī)模僅為40萬(wàn)左右，集成電路高端設(shè)計(jì)人才、制造人才等十分緊缺，而且國(guó)內(nèi)制造業(yè)企業(yè)對(duì)于人才爭(zhēng)奪的惡意競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)象比較普遍。 四、中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)布局：四大龍頭地區(qū)齊頭并立 在經(jīng)歷了自主創(chuàng)業(yè)(1965-1980年)、引進(jìn)提高(1981-1989年)、重點(diǎn)建設(shè)(1990-1999年)這三個(gè)發(fā)展階段以后，我國(guó)集成電路市場(chǎng)自從2000年起就步入了第四大發(fā)展階段——快速發(fā)展。 根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)協(xié)會(huì)會(huì)數(shù)據(jù)，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模從2012年的2158.5億元飆升至2017年的5411.3億元，每年產(chǎn)業(yè)增速都保持在20%左右，發(fā)展非常迅速。 以上海、北京、深圳等為首的集成電路重鎮(zhèn)，普遍有著豐富的產(chǎn)業(yè)資源、充裕的資本、以及密集的高校人才，是國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最完整、綜合技術(shù)水平最高的地區(qū)，在集成電路有著深厚的集成電路產(chǎn)業(yè)合作基礎(chǔ)。   而上文提到的這些“芯片大戰(zhàn)”玩家，基本都是在2014年國(guó)家頒布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》后積極響應(yīng)、成為最近幾年里突飛猛進(jìn)的第二梯隊(duì)。   中國(guó)集成電路產(chǎn)能與封裝測(cè)試企業(yè)區(qū)域分布(數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪智庫(kù)) 目前，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)主要分布在長(zhǎng)江三角洲、珠江三角洲、京津環(huán)渤海、中西部地區(qū)這4大區(qū)域，其中長(zhǎng)三角地區(qū)是我國(guó)集成電路發(fā)展的龍頭，產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模占全國(guó)逾六成，中西部地區(qū)則屬于近年來(lái)崛起的新生力量。 結(jié)語(yǔ)：戰(zhàn)事火熱，更要提防渾水摸魚(yú)之眾 在這場(chǎng)火熱的芯片大戰(zhàn)背后，資本泡沫與渾水摸魚(yú)之眾必將隨之而來(lái)。我們一方面要盡力堵截魚(yú)目混珠、PPT造芯、假項(xiàng)目真圈地等渾水摸魚(yú)之眾，另一方面也要還需要理性、客觀地認(rèn)識(shí)到我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的眾多不足之處，尤其是在制造、設(shè)備、材料等方面，我們和國(guó)際先進(jìn)水平的差距還很大。 總的來(lái)說(shuō)，自從2014年以來(lái)，我國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了飛速發(fā)展的快車道。而2018年的種種變化更為各地政府的“芯片大戰(zhàn)”添上了幾把干柴。不過(guò)這種“大戰(zhàn)”并不是地方政府間的惡性競(jìng)爭(zhēng)，而是整個(gè)行業(yè)集體發(fā)展壯大的結(jié)果。畢竟我們現(xiàn)在的重點(diǎn)是把搶著集成電路這塊“蛋糕”做大，還不至于搶著“分蛋糕”。

    半導(dǎo)體 地方政府 芯片大戰(zhàn) 集成電路

  • 傳富士康正在籌建12英寸芯片廠，定位珠海

    代工手機(jī)制造的富士康也要進(jìn)軍芯片行業(yè)了，是要效仿臺(tái)積電嗎? 富士康欲染指大陸芯片制造業(yè)的野心漸漸顯現(xiàn)。據(jù)報(bào)道，富士康已經(jīng)與珠海政府簽訂了一項(xiàng)協(xié)議，富士康將在珠海地區(qū)興建一間12英寸芯片廠，總投資額90億美金。據(jù)日經(jīng)報(bào)道，這一大筆投資將由珠海市政府通過(guò)政府補(bǔ)貼及減稅的方式進(jìn)行投資補(bǔ)償。這間12英寸芯片廠項(xiàng)目預(yù)計(jì)2020年啟建。 這間芯片廠未來(lái)將主要用于生產(chǎn)UHD電視用芯片，圖像傳感器以及其它各種傳感器芯片。工廠的終極目標(biāo)是制造機(jī)器人及汽車用高級(jí)芯片產(chǎn)品。 富士康拒絕就此報(bào)道進(jìn)行任何評(píng)論。 此前臺(tái)灣島內(nèi)芯片業(yè)界普遍猜測(cè)富士康正在籌建12英寸芯片廠。過(guò)去富士康意圖收購(gòu)東芝的存儲(chǔ)芯片部門(mén)但終告失敗，不過(guò)這次事件并沒(méi)有熄滅他們圖謀涉足芯片制造業(yè)的野心。   富士康主席郭臺(tái)銘曾表示將采取措施增強(qiáng)富士康在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的發(fā)展。公司設(shè)立了新的集團(tuán)以便整合公司的半導(dǎo)體制造資源，還委派了原屬夏普的Young Liu擔(dān)任該集團(tuán)的領(lǐng)導(dǎo)。 富士康旗下目前與芯片有關(guān)的企業(yè)包括半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商京鼎精密科技(股)公司(Foxsemicon Integrated Technology)，封裝測(cè)試供應(yīng)商訊芯科技(Shunsin Technology)，芯片設(shè)計(jì)公司天鈺科技(Fitipower Integrated Technology Inc.)，芯片設(shè)計(jì)服務(wù)提供商虹晶科技(Socle Technology),除此以外，富士康旗下還有一條原屬夏普Fab4的8英寸芯片產(chǎn)線。 市場(chǎng)觀察人士認(rèn)為，富士康與珠海政府的這項(xiàng)計(jì)劃折射出中國(guó)政府增強(qiáng)半導(dǎo)體產(chǎn)品自給自足能力的急迫心理。擁有政府資金支持的富士康將幫助中國(guó)政府增強(qiáng)其半導(dǎo)體產(chǎn)品的自給自足能力。 根據(jù)“中國(guó)制造2025”計(jì)劃，到2020年，大陸自產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求率將達(dá)到40%，到2025年則要達(dá)到70%，因此擴(kuò)展芯片制造產(chǎn)能便成為一項(xiàng)當(dāng)務(wù)之急。 盡管擁有大陸政府的財(cái)政支持，但富士康仍不得不面對(duì)包括人才緊缺等方面的許多挑戰(zhàn)， 另一方面，近期包括臺(tái)積電，聯(lián)電在內(nèi)的代工廠12英寸產(chǎn)能利用率均普遍低于預(yù)期。加上還有許多新12英寸廠(特別是大陸地區(qū))都計(jì)劃在不久的將來(lái)投入使用，這樣預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)12英寸廠的總產(chǎn)出量還會(huì)進(jìn)一步攀升(利用率低的問(wèn)題還會(huì)進(jìn)一步發(fā)酵?)。

    半導(dǎo)體 富士康 臺(tái)積電 12英寸芯片廠 uhd電視

  • Soitec 2019上半年財(cái)報(bào)強(qiáng)勁增長(zhǎng) FD-SOI技術(shù)迎來(lái)發(fā)展的春天

    SOI (Silicon-On-Insulator絕緣體上硅)是一種用于集成電路制造的新型原材料，替代目前大量應(yīng)用的體硅(Bulk Silicon) 。作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，SOI 材料研究已有 20 多年的歷史。 在22nm工藝以下，F(xiàn)inFET的成本優(yōu)勢(shì)不再明顯，而FD-SOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator，薄膜全耗盡絕緣襯底上的硅)則提供了一個(gè)理想的替代方案。與體硅材料相比，F(xiàn)D-SOI具有如下優(yōu)點(diǎn)：1、減小了寄生電容，提高了運(yùn)行速度;2、由于減少了寄生電容，降低了漏電，具有更低的功耗;3、消除了閂鎖效應(yīng);4、抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯(cuò)誤的發(fā)生;5、與現(xiàn)有硅工藝兼容，還可減少工序。 而在RF-SOI方面，得益于優(yōu)異的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)，RF-SOI技術(shù)已廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無(wú)線通訊領(lǐng)域，國(guó)際上用于手機(jī)的射頻器件，大部分也已經(jīng)從化合物半導(dǎo)體技術(shù)升級(jí)到RF-SOI技術(shù)。 預(yù)計(jì)到2022年，SOI 市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)29%的年復(fù)合增長(zhǎng)率，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到18億美元。 最近，全球領(lǐng)先的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計(jì)制造商Soitec公布了其2019財(cái)年上半年的業(yè)績(jī)(截至2018年9月30日)。該財(cái)務(wù)報(bào)表顯示，Soitec實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)。 眾所周知，Soitec是一家來(lái)自法國(guó)的知名絕緣硅(SOI)晶圓制造商，已實(shí)現(xiàn)FD-SOI基板的高良率成熟量產(chǎn)，其300mm晶圓廠能夠支持28nm、22nm及更為先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上大規(guī)模采用FD-SOI技術(shù)。 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。 其財(cái)報(bào)顯示，19財(cái)年上半年的合并銷售額為1.869億歐元，較上一財(cái)年增長(zhǎng)31%。19財(cái)年上半年毛利潤(rùn)達(dá)到6,610萬(wàn)歐元，高于18財(cái)年上半年的4,630萬(wàn)歐元。 Soitec首席執(zhí)行官Paul Boudre評(píng)論道：“今年上半年，我們實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁的營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)，盈利能力進(jìn)一步提高，與全年財(cái)測(cè)一致。經(jīng)營(yíng)現(xiàn)金流盈余和適時(shí)發(fā)行的可轉(zhuǎn)換債券使我們能夠?yàn)楦咚降馁Y本支出提供資金、償還信貸額度，并以強(qiáng)勁的現(xiàn)金狀況完成上半年工作。 Soitec預(yù)計(jì)， 19財(cái)年的銷售額增長(zhǎng)有望超過(guò)35%。預(yù)計(jì)RF-SOI(200-mm)和Power-SOI(200-mm)的需求穩(wěn)定，同時(shí)，伴隨FD-SOI和300-mm RF-SOI晶圓銷量的進(jìn)一步增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)19財(cái)年下半年Soitec的300-mm業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)。(文/wly)

    半導(dǎo)體 財(cái)報(bào) soitec fd-soi

  • 國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)通過(guò)驗(yàn)證，將用于臺(tái)積電5nm芯片制造

    近日，臺(tái)積電對(duì)外宣布，將在2019年第二季度進(jìn)行5nm制程風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。與此同時(shí)，中微半導(dǎo)體也透露了一個(gè)重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。 值得一提的是，中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。據(jù)悉，中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm制程時(shí)便已開(kāi)始合作，并一直延續(xù)到10nm和7nm制程。 而中微半導(dǎo)體如此亮眼成績(jī)的背后，離不開(kāi)尹志堯和他團(tuán)隊(duì)的多年努力。 他放棄國(guó)外百萬(wàn)年薪工作，只為一顆“中國(guó)芯” 研究顯示，2015-2020年中國(guó)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)投資額將達(dá)到650億美元，其中芯片制造設(shè)備投資額就將達(dá)到500億美元。但是中國(guó)芯片制造設(shè)備的95%都是依賴于進(jìn)口，也就是說(shuō)需要花480億到國(guó)外購(gòu)買設(shè)備。這也使得中國(guó)芯片制造設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化成為了一件非常迫切的事情。 在美國(guó)硅谷從事半導(dǎo)體行業(yè)20多年的尹志堯，其在世界最大的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)——美國(guó)應(yīng)用材料公司擔(dān)任總公司副總裁，曾被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國(guó)幾代等離子體刻蝕機(jī)的研發(fā)，擁有60多項(xiàng)技術(shù)專利。   2004年，當(dāng)時(shí)已經(jīng)60歲的尹志堯放棄了美國(guó)的百萬(wàn)年薪，帶領(lǐng)三十多人的團(tuán)隊(duì)，沖破美國(guó)政府的層層審查(所有人都承諾不把美國(guó)的技術(shù)帶回中國(guó)，包括所有工藝配方、設(shè)計(jì)圖紙，一切從零開(kāi)始)，回國(guó)創(chuàng)辦了中微半導(dǎo)體，他要在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域與國(guó)際巨頭直接競(jìng)爭(zhēng)，取得一席之地。 成功打破國(guó)外壟斷 等離子體刻蝕機(jī)是芯片制造環(huán)節(jié)的一種關(guān)鍵設(shè)備，其是在芯片上進(jìn)行微觀雕刻，刻出又細(xì)又深的接觸孔或者線條，每個(gè)線條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬(wàn)分之一。這對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度要求非常高。   據(jù)介紹，一個(gè)16nm的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu)，要經(jīng)過(guò)1000多個(gè)工藝步驟，要攻克上萬(wàn)個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)才能加工出來(lái)。只看等離子體刻蝕這個(gè)關(guān)鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復(fù)性要達(dá)到五萬(wàn)分之一。足見(jiàn)難度之高。 長(zhǎng)期以來(lái)，蝕刻機(jī)的核心技術(shù)一直被國(guó)外廠商所壟斷。2004年尹志堯回國(guó)創(chuàng)辦中微半導(dǎo)體之初就將目光鎖定在了刻蝕機(jī)領(lǐng)域。 中微半導(dǎo)體在剛剛涉足IC芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備時(shí)，就推出了65nm等離子介質(zhì)刻蝕機(jī)產(chǎn)品，隨著技術(shù)的進(jìn)步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，現(xiàn)在7nm的刻蝕機(jī)產(chǎn)品已經(jīng)在客戶的生產(chǎn)線上運(yùn)行了，5nm刻蝕機(jī)也即將被臺(tái)積電采用。 “在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個(gè)字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機(jī)在芯片上的加工工藝，相當(dāng)于可以在米粒上刻10億個(gè)字的水平。”中微半導(dǎo)體CEO尹志堯曾這樣形容到。 經(jīng)過(guò)多年的努力，中微半導(dǎo)體用實(shí)力打破了這一領(lǐng)域技術(shù)封鎖，成功讓中國(guó)正式躋身刻蝕機(jī)國(guó)際第一梯隊(duì)。   中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁倪圖強(qiáng)博士表示，刻蝕機(jī)曾是一些發(fā)達(dá)國(guó)家的出口管制產(chǎn)品，但近年來(lái)，這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說(shuō)明如果我們突破了“卡脖子”技術(shù)，出口限制就會(huì)不復(fù)存在。如今，中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國(guó)際第一梯隊(duì)，為7nm芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)。 (芯智訊注：美國(guó)商務(wù)部在2015年宣布，由于在中國(guó)已有一個(gè)非美國(guó)的設(shè)備公司做出了和美國(guó)設(shè)備公司有相同質(zhì)量和相當(dāng)數(shù)量的等離子體刻蝕機(jī)，所以取消了對(duì)中國(guó)的刻蝕機(jī)的出口管制。) 他還表示，明年臺(tái)積電將率先進(jìn)入5nm制程，已通過(guò)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)5nm刻蝕機(jī)，預(yù)計(jì)會(huì)獲得比7nm生產(chǎn)線更大的市場(chǎng)份額。 值得一提的是，2016年，中微半導(dǎo)體獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)4.8 億元的投資，成功成為中國(guó)芯片制造領(lǐng)域的國(guó)家隊(duì)。而這也凸顯了國(guó)家對(duì)于中微半導(dǎo)體在中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的貢獻(xiàn)和地位的認(rèn)可。 面對(duì)國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挑釁，屢戰(zhàn)屢勝 或許正是由于中微半導(dǎo)體在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，也引來(lái)了國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手挑起的知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟。 首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國(guó)應(yīng)用材料公司，2007年之時(shí)，美國(guó)應(yīng)用材料公司就起訴中微半導(dǎo)體侵權(quán)，但卻始終舉證無(wú)力(尹志堯及其團(tuán)隊(duì)成員在離開(kāi)美國(guó)時(shí)并未帶走任何工藝配方、設(shè)計(jì)圖紙，后續(xù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也避開(kāi)了對(duì)方的專利)，中微半導(dǎo)體則抓住機(jī)會(huì)適時(shí)反訴對(duì)方不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)，應(yīng)用材料公司顯然對(duì)這一情況準(zhǔn)備不足，最終不得不撤訴求和。 2009年，另一巨頭美國(guó)科林研發(fā)又在臺(tái)灣起訴中微侵犯其發(fā)明專利，中微半導(dǎo)體則積極應(yīng)對(duì)，提供其專利無(wú)效的證據(jù)，在法院的兩次審判中科林的相關(guān)專利均被判決無(wú)效，第三次臺(tái)灣“智慧財(cái)產(chǎn)局”甚至審定撤銷了科林的其中一項(xiàng)專利權(quán)，緊接著科林又對(duì)“智慧財(cái)產(chǎn)局”的審定提出行政訴訟，再次遭到駁回。 2016年，中微半導(dǎo)體在接受媒體采訪時(shí)，也詳細(xì)介紹了其應(yīng)對(duì)美國(guó)行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專利權(quán)纏訴，終獲“一撤訴四連勝”的成功經(jīng)歷。 當(dāng)時(shí)，中微半導(dǎo)體公司資深知識(shí)產(chǎn)權(quán)總監(jiān)姜銀鑫就表示，“中微在知識(shí)產(chǎn)權(quán)方面相當(dāng)謹(jǐn)慎，于公司建立初期便成立了專門(mén)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)團(tuán)隊(duì)，未雨綢繆，針對(duì)潛在的知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛可能性做了大量的分析排查。在部分海歸研發(fā)團(tuán)隊(duì)核心成員回國(guó)加入之前，中微便已經(jīng)讓他們簽訂了不從原單位帶來(lái)技術(shù)機(jī)密的承諾書(shū)”。 2017年11月初，美國(guó)MOCVD(金屬有機(jī)化合物氣相沉積設(shè)備)設(shè)備廠Veeco宣布，美國(guó)紐約東區(qū)地方法院同意了其針對(duì)SGL Carbon，LLC(SGL)的一項(xiàng)初步禁令請(qǐng)求，禁止SGL出售采用Veeco專利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器(即石墨盤(pán))，包括專為中國(guó)MOCVD設(shè)備商中微半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的石墨盤(pán)。Veeco此舉針對(duì)的正是中微半導(dǎo)體。 對(duì)此，中微半導(dǎo)體一方面積極發(fā)展第二和第三渠道的供應(yīng)商;另一方面則在中國(guó)對(duì)Veeco提起專利侵權(quán)訴訟。 中微半導(dǎo)體披露，其于2017年7月向福建高院正式起訴 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型號(hào)的MOCVD設(shè)備侵犯了中微的基片托盤(pán)同步鎖定的中國(guó)專利，要求其停止侵權(quán)并主張上億元侵權(quán)損害賠償。在中微半導(dǎo)體起訴后，Veeco上海對(duì)該中微半導(dǎo)體專利向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利復(fù)審委(簡(jiǎn)稱“專利復(fù)審委”)提起無(wú)效宣告請(qǐng)求。 同年11月24日，專利復(fù)審委于作出審查決定，否決了Veeco上海關(guān)于中微半導(dǎo)體專利無(wú)效的申請(qǐng)，確認(rèn)中微半導(dǎo)體起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。 2017年12月8日，福建省高級(jí)人民法院同意了中微半導(dǎo)體針對(duì)Veeco上海的禁令申請(qǐng)，該禁令禁止Veeco上海進(jìn)口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號(hào)專利的任何化學(xué)氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤(pán)。該禁令立即生效執(zhí)行，不可上訴。 中微半導(dǎo)體對(duì)于Veeco上海的勝訴，成功打擊了Veeco妄圖通過(guò)專利戰(zhàn)打擊中微半導(dǎo)體的企圖。 “中微在過(guò)去11年輪番受到美國(guó)設(shè)備大公司的法律訴訟，但我們由于有堅(jiān)固的知識(shí)產(chǎn)權(quán)防線，完全遵守美國(guó)和各國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律，一直處于不敗之地。”今年7月，尹志堯在接受“觀察者網(wǎng)”采訪時(shí)這樣說(shuō)到。 堅(jiān)持自主創(chuàng)新，專利超800件 而在面對(duì)國(guó)外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的挑釁，屢屢獲勝的背后，則是中微半導(dǎo)體長(zhǎng)期以來(lái)堅(jiān)持自主研發(fā)所獲得的過(guò)硬的自主技術(shù)專利。 據(jù)了解，目前中微的反應(yīng)臺(tái)交付量已突破582臺(tái);單反應(yīng)臺(tái)等離子體刻蝕設(shè)備已交付韓國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器制造商;雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕除膠一體機(jī)研制成功，這是業(yè)界首次將雙反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應(yīng)腔整合在同一個(gè)平臺(tái)上。 同時(shí)，中微一些基礎(chǔ)的研發(fā)也不斷地跟進(jìn)尖端技術(shù)，以保證產(chǎn)品的研發(fā)能夠緊緊跟上甚至領(lǐng)先于國(guó)際上的技術(shù)發(fā)展水平。 中微半導(dǎo)體首席專家、副總裁也表示，刻蝕尺寸的大小還與芯片溫度有一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，中微自主研發(fā)的部件使刻蝕過(guò)程的溫控精度保持在0.75攝氏度內(nèi)，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。 氣體噴淋盤(pán)是刻蝕機(jī)的核心部件之一，中微半導(dǎo)體聯(lián)合國(guó)內(nèi)其他科技公司開(kāi)發(fā)出了一套創(chuàng)新工藝，用這套工藝制造的金屬陶瓷，其晶粒十分精細(xì)、致密。與進(jìn)口噴淋盤(pán)相比，國(guó)產(chǎn)陶瓷鍍膜的噴淋盤(pán)使用壽命延長(zhǎng)一倍，造價(jià)卻不到五分之一。 正是由于在刻蝕機(jī)及相關(guān)領(lǐng)域的不斷突破和創(chuàng)新，也使得中微半導(dǎo)體在刻蝕機(jī)市場(chǎng)份額快速增長(zhǎng)。 資料顯示，截至2017年8月，中微已有500多個(gè)介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并在海內(nèi)外 27 條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約 4000 多萬(wàn)片晶圓;同時(shí)，中微還開(kāi)發(fā)了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機(jī);此外，中微還開(kāi)發(fā)了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蝕設(shè)備，不僅占有約50%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，而且已進(jìn)入臺(tái)灣、新加坡、日本和歐洲市場(chǎng)，尤其在 MEMS 領(lǐng)域擁有意法半導(dǎo)體(ST)、博世半導(dǎo)體(BOSCH) 等國(guó)際大客戶。 而在專利方面，中微半導(dǎo)體共申請(qǐng)了超過(guò)800件相關(guān)專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，并且有一半以上已獲授權(quán)。 目前尹志堯的團(tuán)隊(duì)精英中，上百人都曾是美國(guó)和世界一流的芯片和設(shè)備企業(yè)的技術(shù)骨干，大都有著20到30多年半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造的經(jīng)驗(yàn)。而且這些工程師們必須有著物理、化學(xué)、機(jī)械、工程技術(shù)等50多種專業(yè)知識(shí)背景。 今年4月，中微半導(dǎo)體 CEO 尹志堯在公開(kāi)合表示，目前中微半導(dǎo)體在全球各地已經(jīng)建置共計(jì) 582 臺(tái)刻蝕反應(yīng)臺(tái)，并預(yù)期今年將增長(zhǎng)至 770 臺(tái)。目前中微半導(dǎo)體產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入第三代 10nm、7nm 工藝，并進(jìn)入晶圓廠驗(yàn)證生產(chǎn)階段，即將進(jìn)入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。 尹志堯表示，未來(lái)十年將持續(xù)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，擴(kuò)大市場(chǎng)占有率，中微的目標(biāo)是：2020 年 20 億元、2050 年 50 億元，并進(jìn)入國(guó)際五強(qiáng)半導(dǎo)體設(shè)備公司。 5nm刻蝕機(jī)意味著什么? 不過(guò)，需要注意的是中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機(jī)的研發(fā)成功和獲得臺(tái)積電采用，并不代表著中國(guó)大陸就可以自己生產(chǎn)5nm工藝芯片了。因?yàn)樾酒纳a(chǎn)工藝非常的復(fù)雜，刻蝕只是眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)當(dāng)中的一環(huán)。   但是，很多自媒體為了吸引眼球，卻往往故意夸大事實(shí)，以點(diǎn)概面，以5nm刻蝕機(jī)這一個(gè)環(huán)節(jié)上的突破，就大肆宣揚(yáng)“中國(guó)已打破國(guó)外壟斷，掌握5nm技術(shù)”、“中國(guó)已可以制造5nm芯片”。 在去年尹志堯在接受央視媒體采訪曾表示，“國(guó)際上最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)公司像英特爾、臺(tái)積電、三星，它們的14nm已經(jīng)成熟生產(chǎn)了，10nm和7nm很快進(jìn)入生產(chǎn)，所以我們必須超前，5nm今年年底基本上就要定了，現(xiàn)在進(jìn)展特別快，幾乎一年兩年就一代，所以我們就趕得非常緊。” 顯然，尹志堯在視頻中所指的5nm是指的5nm的刻蝕機(jī)。但是，隨后這段采訪就被一大波媒體斷章取義，不顧事實(shí)的大肆吹噓。搞得尹志堯不得不在朋友圈發(fā)文辟謠：“中微不是制造芯片的，只是為芯片廠提供設(shè)備”。“如此墮落的文風(fēng)誤國(guó)誤民，給真正埋頭苦干的科學(xué)家和工程師添堵添亂添麻煩。” 尹志堯今年在接受采訪時(shí)再次強(qiáng)調(diào)：“宣傳要實(shí)事求是，不要夸大，更不要為吸引眼球，無(wú)中生有，無(wú)限上綱。說(shuō)我們的刻蝕機(jī)可以加工5納米器件，也只是100多個(gè)刻蝕步驟中的幾步。” 確實(shí)，正如我們前面所說(shuō)，刻蝕只是芯片制造眾多關(guān)鍵環(huán)節(jié)當(dāng)中的一環(huán)，在先進(jìn)制程的刻蝕設(shè)備領(lǐng)域取得突破雖然可喜，但是在其他如光刻機(jī)等領(lǐng)域，中國(guó)仍處于嚴(yán)重落后。目前國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的上海微電子也只是實(shí)現(xiàn)了 90nm 光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。 當(dāng)然，我們也不能妄自菲薄，除了中微半導(dǎo)體之外，不少國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商也在一些相關(guān)領(lǐng)域的先進(jìn)制程設(shè)備上取得了突破。比如，在14nm 領(lǐng)域，硅/金屬刻蝕機(jī)(北方華創(chuàng))、薄膜沉積設(shè)備(北方華創(chuàng))、單片退火設(shè)備(北方華創(chuàng))和清洗設(shè)備(上海盛美)已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功，正在客戶端進(jìn)行驗(yàn)證。 相信隨著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及設(shè)備廠商的努力，以及中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的需求快速增長(zhǎng)的拉動(dòng)，中國(guó)芯將會(huì)越來(lái)越強(qiáng)大。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 5nm刻蝕機(jī) 5nm芯片

  • 超越韓國(guó) 中國(guó)成全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

    據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，已超過(guò)了韓國(guó)，成為全球最大市場(chǎng)。 韓國(guó)亞洲日?qǐng)?bào)12月5日?qǐng)?bào)道，最新數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)首次超越韓國(guó)成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)5日消息，今年三季度韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備出貨規(guī)模為34.5億(1美元約合6.87元人民幣)美元，環(huán)比減少29%，同比減少31%。這是韓國(guó)自2016年1季度(16.8億美元)以后設(shè)備出貨規(guī)模首次出現(xiàn)下滑。半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)是反映半導(dǎo)體行業(yè)的先導(dǎo)指標(biāo)，有分析認(rèn)為，此番半導(dǎo)體設(shè)備出貨規(guī)模減少意味著韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)亮起紅燈。 韓國(guó)2016年三季度以后半導(dǎo)體設(shè)備出貨規(guī)模激增。由于DRAM和閃存芯片市場(chǎng)前景良好，三星電子和SK海力士一直在積極擴(kuò)建生產(chǎn)線。2017年一季度，韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額達(dá)到35.3億美元，首次超越中國(guó)臺(tái)灣(34.8億美元)，成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。2018年一季度，韓國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模創(chuàng)歷史新高，達(dá)到62.6億美元，此后出現(xiàn)下滑，二季度僅為48.6億美元，三季度韓國(guó)拱手讓出蟬聯(lián)6個(gè)季度的首位，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模僅為34.5億美元，屈居第二。 半導(dǎo)體業(yè)界有關(guān)人士表示，今年上半年芯片市場(chǎng)形勢(shì)良好，但是進(jìn)入下半年需求減少，市場(chǎng)景氣下滑，加之三星電子、SK海力士調(diào)整投資計(jì)劃，整體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有所減小。 中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。三季度中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為39.8億美元，環(huán)比增長(zhǎng)5%，同比增長(zhǎng)106%，成為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。2017年三季度時(shí)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模還僅僅只有19.3億美元，當(dāng)時(shí)僅為韓國(guó)市場(chǎng)規(guī)模的五分之二，短短一年，中國(guó)便實(shí)現(xiàn)反超，市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大了兩倍。 中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年快速發(fā)展，越來(lái)越多的公司也表達(dá)了進(jìn)入芯片領(lǐng)域的興趣。以存儲(chǔ)芯片為例，以前中國(guó)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片完全靠進(jìn)口，今年福建晉華集成電路的內(nèi)存生產(chǎn)線有望投產(chǎn)，另外長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司也在建設(shè)內(nèi)存和閃存芯片生產(chǎn)線。格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示，將進(jìn)入芯片領(lǐng)域。 據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)報(bào)告顯示，中國(guó)目前正在北京、天津、西安、上海等16個(gè)地區(qū)打造25個(gè)FAB建設(shè)項(xiàng)目，福建晉華集成電路、長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司等企業(yè)技術(shù)水平雖不及韓國(guó)，但均已投入芯片量產(chǎn)。報(bào)告預(yù)測(cè)，今年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)118億美元，同比實(shí)現(xiàn)43.9%的增長(zhǎng)，明年市場(chǎng)規(guī)模有望擴(kuò)大至173億美元，增長(zhǎng)46.6%，成為全球第一大市場(chǎng)。而同一時(shí)期內(nèi)韓國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元，減幅為9.2%。 中國(guó)這幾年快速上馬了多個(gè)半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)廠，量產(chǎn)在即，對(duì)設(shè)備的需求自然快速增長(zhǎng)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 韓國(guó) 中國(guó) 半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

  • MOSFET醞釀下一波漲價(jià) DRAM跌幅卻持續(xù)加大

    MOSFET的缺貨從2016年下半年就已經(jīng)開(kāi)始，一直持續(xù)到現(xiàn)在。到了2018年，MOSFET產(chǎn)能繼續(xù)大缺，下半年出現(xiàn)缺貨潮，ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠客戶搶產(chǎn)能，臺(tái)廠大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季訂單全滿，接單能見(jiàn)度直至年底，正醞釀下一波價(jià)格調(diào)漲。 據(jù)了解，MOSFET的這波漲價(jià)主要由于上游晶圓代工廠產(chǎn)能有限，加之需求市場(chǎng)火爆，引發(fā)缺貨潮。業(yè)界預(yù)料以目前MOSFET缺貨情況判斷，供給吃緊可能持續(xù)至2019年上半年。這其中，汽車及工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET需求上漲是一方面推手，另一方面，大型企業(yè)重新聚焦于更高端、毛利率更高的產(chǎn)品，如汽車及工業(yè)應(yīng)用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET，使得通用MOSFET與IGBT的交期增加至6個(gè)月以上，這為MOSFET的供應(yīng)緊張更加了一把火。   另外，據(jù)12.3日消息，G20峰會(huì)之后，中美貿(mào)易緊張情勢(shì)趨緩，晶圓與MOSFET在市場(chǎng)持續(xù)供不應(yīng)求，缺貨情況繼續(xù)發(fā)酵，再度成為資金追逐焦點(diǎn)，激勵(lì)晶圓和MOSFET的股價(jià)上漲。 晶圓廠環(huán)球晶透露，至9月底預(yù)收款高達(dá)220億元新臺(tái)幣，較第2季增加88億元新臺(tái)幣，并創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，顯示客戶需求強(qiáng)勁。環(huán)球晶預(yù)期，明年平均單價(jià)將高于目前水平，2020年報(bào)價(jià)將持平或小幅上揚(yáng)。MOSFET廠杰力預(yù)期，明年上半年MOSFET市場(chǎng)仍將維持供不應(yīng)求熱況，產(chǎn)品還有漲價(jià)空間。 與此形成鮮明對(duì)比的是，前一段時(shí)間不斷漲價(jià)的DRAM開(kāi)始走下坡路了! 據(jù)集邦咨詢的最新報(bào)告，第四季DRAM合約價(jià)二次下修，2019年第一季跌幅持續(xù)擴(kuò)大。 報(bào)告中指出，今年第四季DRAM價(jià)格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價(jià)甚至出現(xiàn)二次下修的狀況，以目前成交方式來(lái)看，已有部分比重的合約價(jià)改以月(monthly deal)方式進(jìn)行議價(jià)，顯示買方對(duì)于DRAM價(jià)格后勢(shì)看法悲觀，預(yù)計(jì)2019年第一季DRAM合約價(jià)跌幅將持續(xù)擴(kuò)大。 以今年11月來(lái)看，4GB與8GB的價(jià)格除了高價(jià)仍有維持之外，在中低價(jià)都已調(diào)降，主流模組4GB的均價(jià)較10月的31美元滑落至30美元，跌幅3.2%;8GB亦同，均價(jià)由上個(gè)月的61美元滑落至60美元，跌幅1.6%。 觀察今年第四季DRAM平均銷售單價(jià)有近8%的跌幅，其中以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器、服務(wù)器存儲(chǔ)器與利基型存儲(chǔ)器為最，季跌幅都接近10%;而行動(dòng)式存儲(chǔ)器由于先前缺貨時(shí)漲價(jià)幅度較小，因此第四季的跌幅相對(duì)較小，僅約5%。 展望明年第一季，DRAMeXchange指出，供給面較2018年第四季持續(xù)增加，主要來(lái)自于1Ynm制程良率持續(xù)改善、投入比重持續(xù)增加，以及三星平澤廠在今年第四季的持續(xù)增產(chǎn);而每年首季都是傳統(tǒng)需求淡季，加上2019年第一季智能手機(jī)的出貨力道恐怕較往年更為疲弱，恐將造成行動(dòng)式存儲(chǔ)器價(jià)格跌幅擴(kuò)大。從整體DRAM價(jià)格來(lái)看，明年第一季跌幅較今年第四季更為顯著恐怕是不可避免的狀況。 供給增加、需求更趨弱化，DRAM整體市況將持續(xù)走弱，看來(lái)短期內(nèi)，DRAM是逃不脫跌跌不休的命運(yùn)了。

    半導(dǎo)體 DRAM MOSFET mosfet價(jià)格

  • 歷史性突破 ISSCC 2019審稿會(huì)上 中國(guó)圖像傳感器企業(yè)論文首次入選

    剛剛結(jié)束審稿的舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC 2019，中國(guó)獲得了歷史性的突破，共有九篇論文入選。其中，由思特威(SmartSens)所提交的其在圖像傳感器(CMOS Image Sensor，CIS)領(lǐng)域的最新研究成果(論文)《A Stacked Global-Shutter CMOS Imager with SC-Type Hybrid-GS Pixel and Self-Knee Point Calibration Single-Frame HDR and On-Chip Binarization Algorithm for Smart Vision Applications》被舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC 2019收錄。(其余論文分別來(lái)自清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海交大等中國(guó)知名院校及ADI中國(guó)) 該項(xiàng)研究成果(論文)是國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC首次收錄來(lái)自中國(guó)圖像傳感器企業(yè)的技術(shù)成果!這一重要突破不但表明思特威在CIS技術(shù)領(lǐng)域的研究成果獲得了全球?qū)W術(shù)界及產(chǎn)業(yè)界的最高認(rèn)可，更是中國(guó)優(yōu)秀半導(dǎo)體企業(yè)在CIS領(lǐng)域取得的里程碑式成就。 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議IEEE ISSCC(International Solid-State Circuits Conference簡(jiǎn)稱ISSCC)，是世界學(xué)術(shù)界和企業(yè)界公認(rèn)的集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域最高級(jí)別會(huì)議。這一始于1953年的行業(yè)頂級(jí)大會(huì)，歷史上曾成為多項(xiàng)集成電路里程碑式發(fā)明的首次披露場(chǎng)合。由于國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議在國(guó)際學(xué)術(shù)、產(chǎn)業(yè)界受到極大關(guān)注，因此被稱為集成電路行業(yè)的奧林匹克大會(huì)。每年吸引了超過(guò)3000名來(lái)自世界各地工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的參加者。 在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)舉行的六十年中曾為許多“世界第一”的研究成果提供了展現(xiàn)的舞臺(tái)，很多集成電路發(fā)展中里程碑式的發(fā)明都是在該會(huì)議上首次披露，如世界上第一個(gè)集成模擬放大器電路(1968年),世界上第一個(gè)8-bit microprocessor (1974年), 世界上第一個(gè)32-bit microprocessor (1981年), 世界上第一個(gè)1Gb的DRAM (1995年), 世界上第一個(gè)GHz的微處理器 (2002), 世界上第一個(gè)多核處理器 (2005年)等等。 作為此次突破性被收錄的學(xué)術(shù)成果(論文)的重要作者、思特威首席技術(shù)官莫要武博士表示：“我們很高興能夠獲得舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)的認(rèn)可，并收錄我們?cè)贑IS領(lǐng)域最新的研究成果(論文)。這一成功離不開(kāi)我們技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不懈努力，以及思特威在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的巨大投入。CIS領(lǐng)域曾經(jīng)長(zhǎng)期為美國(guó)、日本廠商所壟斷，而思特威自成立之初，便希望通過(guò)技術(shù)革新與突破讓CIS市場(chǎng)能夠聽(tīng)到‘中國(guó)聲音’，讓中國(guó)力量成為全球CIS技術(shù)發(fā)展的主要推動(dòng)力之一。” 舊金山國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC 2019將于2019年2月17日至21日在美國(guó)舊金山舉辦，屆時(shí)思特威將在現(xiàn)場(chǎng)發(fā)表本次獲收錄的研究成果(論文)。特別值得一提的是，憑借高精尖、前瞻性研究成果，思特威受邀將在圖像傳感器技術(shù)領(lǐng)域的報(bào)告會(huì)上作最為重量級(jí)的開(kāi)場(chǎng)發(fā)表，介紹其研究成果。國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)專題報(bào)告會(huì)的開(kāi)場(chǎng)演講中所發(fā)表的研究成果是報(bào)告會(huì)的重中之重，全面引領(lǐng)該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展方向，之前一直被國(guó)外傳感器巨頭企業(yè)所壟斷，此次思特威代表中國(guó)的傳感器企業(yè)，一舉打破國(guó)外傳統(tǒng)大企業(yè)的壟斷之局，不但具有劃時(shí)代的意義，更為我國(guó)未來(lái)圖像傳感器領(lǐng)域的迅猛發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)。 據(jù)了解，思特威電子科技有限公司(SmartSens Technology)是一家高性能CMOS圖像傳感器芯片設(shè)計(jì)公司，公司由獲評(píng)“國(guó)家千人計(jì)劃”的徐辰博士及多名硅谷精英于2011年創(chuàng)立，在美國(guó)硅谷和中國(guó)上海擁有一支全球領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。思特威專注于提供面向未來(lái)和全球領(lǐng)先的CMOS圖像傳感器芯片產(chǎn)品，是全球第一家推出基于電壓域架構(gòu)和BSI工藝的全局曝光CIS芯片的公司。 目前思特威在視頻監(jiān)控領(lǐng)域處于行業(yè)領(lǐng)先地位，產(chǎn)品涉及安防監(jiān)控、車載影像、機(jī)器視覺(jué)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品(運(yùn)動(dòng)相機(jī)、AR、VR、智能手機(jī))等應(yīng)用領(lǐng)域。自成立來(lái)，思特威一直以客戶為核心，不斷創(chuàng)新，致力于為客戶提供高質(zhì)量視頻解決方案。

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  • 7nm時(shí)代來(lái)臨，明年臺(tái)積電將代工100多款7nm芯片

    來(lái)自外媒的消息報(bào)道說(shuō)，預(yù)計(jì)到2018年底，臺(tái)積電用7nm工藝完成流片的芯片設(shè)計(jì)將超過(guò)50款，而到2019年底會(huì)有100多款芯片采用其7nm和增強(qiáng)版7nm EUV極紫外光刻技術(shù)。 作為代工行業(yè)的執(zhí)牛耳者，臺(tái)積電的7nm工藝正如火如荼。即便有中美貿(mào)易戰(zhàn)、挖礦需求衰退、智能手機(jī)銷量低迷等因素影響，7nm也將幫助臺(tái)積電在第三季度達(dá)成創(chuàng)紀(jì)錄的收入之后，第四季度繼續(xù)創(chuàng)造新高。 同時(shí)，盡管傳聞蘋(píng)果砍掉了一部分A12處理器訂單，臺(tái)積電仍然預(yù)計(jì)到明年會(huì)有100多款基于7nm、7nm EUV極紫外光刻工藝的芯片完成流片，在今年50款的基礎(chǔ)上翻一番還多，其中不乏華為麒麟、高通、AMD、NVIDIA、Xillinx這樣的大客戶。 因此，臺(tái)積電對(duì)于7nm工藝未來(lái)幾年的前景非常樂(lè)觀，預(yù)計(jì)相關(guān)年收入可以穩(wěn)定達(dá)到100-120億美元。 極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)，常稱作EUV光刻，極紫外線就是指需要通過(guò)通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。業(yè)界有人曾提到，EUV 光刻的技術(shù)能夠拯救摩爾定律。 在此之前，臺(tái)積典曾宣布，7nm EVU已經(jīng)完成芯片流片，魏哲家則透露，臺(tái)積電計(jì)劃在2020年大規(guī)模量產(chǎn)7nm EUV。 7nm EVU相比于7nm DUV晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。 臺(tái)積電7nm目前正在全速開(kāi)工，將在今年第四季度為臺(tái)積電貢獻(xiàn)晶圓收入的20%以上，全年比例則可接近10%，明年全年則能超過(guò)20%。

    半導(dǎo)體 臺(tái)積電 量產(chǎn) 7nm euv

  • 習(xí)近平：中美緊張局勢(shì)不會(huì)再升級(jí)，貿(mào)易戰(zhàn)不會(huì)產(chǎn)生任何贏家！

    習(xí)近平主席在亞太經(jīng)濟(jì)合作組織(APEC)峰會(huì)上發(fā)表講話表示，貿(mào)易戰(zhàn)不會(huì)有真正贏家，呼吁各國(guó)維護(hù)以WTO 為核心，以規(guī)則為基礎(chǔ)的多邊貿(mào)易體制。     在巴布亞新幾內(nèi)亞舉行的APEC 峰會(huì)上，中國(guó)主席習(xí)近平譴責(zé)美國(guó)的貿(mào)易保護(hù)主義，稱擁抱保護(hù)主義的國(guó)家“注定要失敗”，貿(mào)易保護(hù)主義為世界經(jīng)濟(jì)帶來(lái)了不確定性。 美國(guó)副總統(tǒng)邁克彭斯則譴責(zé)了中國(guó)對(duì)本國(guó)有利的貿(mào)易政策，他表示在中國(guó)改變方向之前，美國(guó)不會(huì)改變方向，同時(shí)還對(duì)中國(guó)的“一帶一路”倡議進(jìn)行了抨擊，并稱準(zhǔn)備將對(duì)中國(guó)商品征收的關(guān)稅“加倍”， 習(xí)近平則表示中美之間的緊張局勢(shì)不會(huì)再升級(jí)，“歷史表明，無(wú)論是冷戰(zhàn)、熱戰(zhàn)還是貿(mào)易戰(zhàn)，對(duì)抗都不會(huì)產(chǎn)生任何贏家，”他對(duì)聚集在巴布亞新幾內(nèi)亞首都莫爾茲比港的各國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人說(shuō)道。“人類又一次站在了十字路口”，他表示，“合作還是對(duì)抗?開(kāi)放還是封閉?互利共贏還是零和博弈?如何回答這些問(wèn)題，關(guān)乎各國(guó)利益，關(guān)乎人類前途命運(yùn)。” 據(jù)報(bào)道，習(xí)近平和邁克彭斯曾在會(huì)場(chǎng)上有過(guò)兩次交談，彭斯向習(xí)近平表示，“美國(guó)希望與中國(guó)構(gòu)建更加良好的關(guān)系，但是中國(guó)方面必須做出改變”，習(xí)近平則回應(yīng)稱，“我認(rèn)為雙方之間的對(duì)話很重要”。 據(jù)報(bào)道，11月16日，美國(guó)總統(tǒng)特朗普曾表示，如果在11月末的中美首腦會(huì)談上，中國(guó)能夠做出足夠的讓步，那兩國(guó)之間的貿(mào)易關(guān)系，就能得到改善，第四波的關(guān)稅就可不必生效。 目前為止，美國(guó)已經(jīng)對(duì)2500億美元從中國(guó)進(jìn)口的商品加征關(guān)稅。作為報(bào)復(fù)，中國(guó)也對(duì)1100億美元美國(guó)商品加征關(guān)稅，并實(shí)質(zhì)上中斷了大豆等關(guān)鍵美國(guó)農(nóng)產(chǎn)品的進(jìn)口。

    半導(dǎo)體 加征關(guān)稅 貿(mào)易戰(zhàn) 習(xí)近平

  • 三星電子環(huán)境惡劣致近百人死亡 預(yù)計(jì)本月23日正式道歉

    對(duì)于三星這樣的巨型公司，工人們實(shí)屬弱勢(shì)群體，如果公司不能從根本上重視工人的工作環(huán)境，那工人的人身安全可想而知又能得到多少保障呢？ 據(jù)外媒報(bào)道，知情人士日稱，針對(duì)旗下半導(dǎo)體工廠因工作環(huán)境惡劣而導(dǎo)致員工患病，甚至死亡事件，三星電子預(yù)計(jì)于本月23日正式道歉。 報(bào)道稱，此次道歉也是雙方近日所達(dá)成和解協(xié)議的一部分。本月初，負(fù)責(zé)處理該糾紛的仲裁委員會(huì)宣布，已為雙方制定最終的和解協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，三星將向患工傷的員工每人最高賠償1.5億韓元(約合91.9萬(wàn)元人民幣)，具體視所患的疾病而定。 在此前的7月份，三星電子和代表工傷受害者的員工權(quán)力倡導(dǎo)組織“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從業(yè)人員健康和權(quán)利支持者”(以下簡(jiǎn)稱“SHARPS”)已經(jīng)達(dá)成一份協(xié)議，將無(wú)條件接受調(diào)解人就工傷賠償問(wèn)題做出的裁決。 近日，據(jù)SHARPS的一位官員稱，目前雙方仍在研究和解協(xié)議的細(xì)節(jié)內(nèi)容，預(yù)計(jì)于11月23日舉行簽字儀式。 負(fù)責(zé)處理該糾紛的仲裁委員會(huì)還建議，三星電子CEO應(yīng)該向受影響員工致歉。而業(yè)內(nèi)觀察家認(rèn)為，屆時(shí)三星芯片業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Kim Ki-nam可能代替CEO向員工們道歉。行業(yè)觀察家還稱，雙方簽字后，預(yù)計(jì)三星會(huì)在明年1月前啟動(dòng)賠款程序。 這起事件源于2007年，當(dāng)時(shí)任職于三星電子半導(dǎo)體工廠的黃姓工人罹患白血病身亡。后來(lái)，他的父親發(fā)現(xiàn)，還有另一名同事死于白血病。 早在2015年，代表著許多癌癥工人的韓國(guó)激進(jìn)團(tuán)體Sharps就表示，已經(jīng)知曉大約有200名工人在三星工廠工作后患上癌癥，其中約70人已經(jīng)去世。而最新數(shù)據(jù)顯示，截至今年6月份，共明確了其他319名受害者，其中的117人已經(jīng)死亡。 據(jù)工人及外部專家認(rèn)為，由于三星的生產(chǎn)廠存在輻射，并使用了大量危險(xiǎn)化學(xué)品，工人們長(zhǎng)期暴露在這種環(huán)境下很容易患病，如淋巴瘤和白血病等。 希望這樣的悲劇事件不要僅僅停留在道歉賠償?shù)膶用嫔?，更?yīng)該做到有規(guī)可循，防患于未然，切實(shí)保護(hù)不僅是三星公司，而是整個(gè)行業(yè)的產(chǎn)業(yè)工人的人身健康。

    半導(dǎo)體 三星電子 癌癥工人

  • 院士郝躍：我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新

    2018年11月7-8日，第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)在上海召開(kāi)，本屆會(huì)議旨在加強(qiáng)全國(guó)各相關(guān)領(lǐng)域研究隊(duì)伍的交流、提供學(xué)術(shù)界與產(chǎn)業(yè)界相互分享最新研究成果的機(jī)會(huì)，推動(dòng)我國(guó)先進(jìn)電子材料與器件的發(fā)展，促進(jìn)杰出青年科學(xué)家的迅速成長(zhǎng)和協(xié)同創(chuàng)新。 會(huì)議同時(shí)邀請(qǐng)到了中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)郝躍，國(guó)家自然基金委、復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所、中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、南京大學(xué)、清華大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、中科院蘇州納米所、南京工業(yè)大學(xué)、北京大學(xué)、湖南大學(xué)、山西師范大學(xué)等眾多專家學(xué)者。各位專家聚焦于當(dāng)前半導(dǎo)體材料和器件的研究熱點(diǎn)，分享各自最新的研究成果。 會(huì)上，國(guó)家自然基金委員會(huì)信息學(xué)部主任、中國(guó)科學(xué)院院士郝躍做了題為“從第三代半導(dǎo)體進(jìn)展談我國(guó)核心電子器件發(fā)展”的大會(huì)報(bào)告。郝院士首先回顧了從“十一五”到“十三五”以來(lái)，國(guó)家在核心電子器件、高端通用芯片和基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品(簡(jiǎn)稱“核高基”)領(lǐng)域的戰(zhàn)略部署，以及我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀。 郝院士指出，經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，并一躍成為全世界最大的集成電路消費(fèi)市場(chǎng)，在個(gè)別技術(shù)領(lǐng)域甚至具備了與國(guó)際同行并行的趨勢(shì)。但總體而言，我國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)跟美、日、歐相比仍存在較大的差距，“中興事件”給了我們一次深刻的警示，表明我國(guó)高端通用芯片仍然受制于人，在關(guān)乎國(guó)防安全和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域創(chuàng)新能力不足，尤其是缺乏“從0到1”的原始創(chuàng)新，企業(yè)更多的將資源聚焦在應(yīng)用技術(shù)層面和產(chǎn)業(yè)化方面，形象的來(lái)說(shuō)就是“從1到10”或“從1到n”的工作，“大而不強(qiáng)”，而創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)顯得尤為重要。 據(jù)悉，本次大會(huì)由泰克公司攜手復(fù)旦大學(xué)，聯(lián)合南京大學(xué)、中科院上海技術(shù)物理研究所、中國(guó)科學(xué)院納米中心共同舉辦，作為全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)應(yīng)用領(lǐng)域的電子內(nèi)容監(jiān)控解決方案提供商，泰克公司展示了其半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及測(cè)試驗(yàn)證方案的能力，介紹了其4200A在助力高校半導(dǎo)體材料及器件研究的發(fā)展以及新技術(shù)應(yīng)用的案例，例如，幫助美國(guó)佐治亞理工大學(xué)Graham Lab實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體電子器件的可靠性分析研究，幫助伯克利實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)30倍測(cè)試時(shí)間的縮短等。 據(jù)悉，此次第三屆半導(dǎo)體材料器件表征及可靠性研究交流會(huì)”吸引了來(lái)自各個(gè)相關(guān)領(lǐng)域的科技人才、研究隊(duì)伍、知名學(xué)者以及產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的共同關(guān)注，受到了一致好評(píng)，為研究機(jī)構(gòu)與企業(yè)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，深化產(chǎn)學(xué)研的合作搭建了全球領(lǐng)先的一流平臺(tái)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料 院士郝躍

  • 拿了美國(guó)政府41億美元補(bǔ)貼，富士康會(huì)兌現(xiàn)承諾嗎?

    據(jù) The Verge 10 月 30 日?qǐng)?bào)道，2017 年美國(guó)威斯康星州與富士康達(dá)成協(xié)議，富士康承諾將投資 100 億美元在威斯康星州建立 10.5 代 LCD 制造工廠(尺寸為 2940mm ×3370mm 的 10.5 代玻璃是當(dāng)今市面上最大的液晶玻璃基板，能為 65 寸、75 寸電視提供最為經(jīng)濟(jì)的切割方案)，為當(dāng)?shù)貏?chuàng)造 1.3 萬(wàn)個(gè)就業(yè)崗位，而政府的回報(bào)是高達(dá) 30 億美元的補(bǔ)貼。但隨著時(shí)間的推移，建廠計(jì)劃一改再改，補(bǔ)貼也增加到了 41 億美元。 2017 年 7 月，威斯康星州共和黨州長(zhǎng)斯科特·沃克(Scott Walker)和富士康董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘宣布：富士康計(jì)劃在該州東南部建立一家能享受到大量補(bǔ)貼的制造工廠。 談及這份協(xié)議，最有趣的莫過(guò)于協(xié)議的起草，這個(gè)靈光乍現(xiàn)的想法最初被寫(xiě)在一張餐廳的紙巾背面。 時(shí)間回到 2017 年 11 月，在簽署合同時(shí)州政府承諾，如果富士康能夠投資 100 億美元建立工廠并創(chuàng)造 1.3 萬(wàn)個(gè)就業(yè)崗位，政府將提供 30 億美元的補(bǔ)貼。對(duì)于美國(guó)一個(gè)遠(yuǎn)離高科技的州來(lái)說(shuō)，富士康的舉措，或許會(huì)將部分高科技公司和產(chǎn)業(yè)引入星州，同時(shí)也帶來(lái)了遠(yuǎn)超過(guò)預(yù)期的就業(yè)機(jī)會(huì)。沃克曾在 2010 年當(dāng)選州長(zhǎng)時(shí)承諾提供 25 萬(wàn)個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)，而在他任期超過(guò) 6 年之后，依然距離這個(gè)目標(biāo)有很遠(yuǎn)的距離。這對(duì)于力求在 2018 年連任的沃克來(lái)說(shuō)，是迫切的需要的。 沃克表示，「有很多人會(huì)爭(zhēng)先恐后地找出個(gè)不喜歡這種事情的理由，但我們會(huì)想辦法讓這件事繼續(xù)下去?！箮字芎螅Q這筆交易是一個(gè)「千載難逢的機(jī)會(huì)」，對(duì)威斯康星州來(lái)說(shuō)將是一次「變革」?！高@些 LCD 顯示器將首次在美國(guó)生產(chǎn)，就在威斯康星州?！? 有些人預(yù)測(cè)，富士康的舉措，會(huì)將蘋(píng)果和許多其他科技設(shè)備生產(chǎn)商帶到威斯康辛州，并創(chuàng)建一個(gè)「威斯康辛式硅谷」。在與高科技產(chǎn)業(yè)不是很密切的威斯康星州，這份合同毫無(wú)疑問(wèn)影響深遠(yuǎn)。 鑒于此次建廠意義非凡，州政府對(duì)于富士康的補(bǔ)貼規(guī)模也令人震驚。這是威斯康星歷史上規(guī)模最大的一次補(bǔ)貼，也是美國(guó)政府向外國(guó)公司提供的最大一筆補(bǔ)貼。威斯康辛州過(guò)去也曾向企業(yè)提供補(bǔ)貼，但每個(gè)工作崗位的補(bǔ)貼從沒(méi)有超過(guò) 3.5 萬(wàn)美元。相比之下，富士康所獲得的補(bǔ)貼是每個(gè)工作崗位 23 萬(wàn)美元。 回報(bào)和代價(jià) 隨著補(bǔ)貼的規(guī)模穩(wěn)步增加至令人瞠目結(jié)舌的 41 億美元，富士康卻一再改變建設(shè)計(jì)劃?；氐窖a(bǔ)貼為 30 億美元的時(shí)候，威斯康星州財(cái)政局估計(jì)，納稅人需要到 2043 年才能收回補(bǔ)貼成本?；貓?bào)周期超長(zhǎng)是由于沃克在 2011 年將該州的企業(yè)所得稅降至零。這意味著，對(duì)富士康的補(bǔ)貼不會(huì)成為一筆稅收減免，而是將由富士康工人繳納的國(guó)家所得稅償還數(shù)十億美元的現(xiàn)金。在補(bǔ)貼已經(jīng)達(dá)到 41 億美元的情況下，該州的投資回收期可能在 2050 年或更晚時(shí)間。 一些人甚至質(zhì)疑是否真的能收回補(bǔ)貼。喬治亞大學(xué)經(jīng)濟(jì)學(xué)教授杰弗里·多爾夫曼(Jeffrey Dorfman)在《福布斯》雜志的一篇文章中寫(xiě)道:「實(shí)際上，每個(gè)工作崗位補(bǔ)貼 10 萬(wàn)美元的回報(bào)期不是 20 年，也不是 42 年，而是幾百年，甚至永遠(yuǎn)也不會(huì)。每個(gè)工作崗位的成本高達(dá) 23 萬(wàn)美元(或更多)，重新獲得政府支出的資金是不可能的。當(dāng)補(bǔ)貼上升到 41 億美元之后，每個(gè)工作崗位的成本達(dá)到了 31.5 萬(wàn)美元。」 與此同時(shí)，為了促成這項(xiàng)合作的達(dá)成，政府還免除了富士康在當(dāng)?shù)氐沫h(huán)保規(guī)定，允許富士康在建設(shè)和運(yùn)營(yíng)過(guò)程中將材料排放到濕地。還免除了富士康需要在建廠區(qū)域內(nèi)進(jìn)行環(huán)境影響評(píng)價(jià)的要求，富士康最終擁有 4.5 平方英里土地，而其中大部分是農(nóng)田。沃克政府還同意富士康從密歇根湖取水。富士康每天將會(huì)使用多達(dá) 700 萬(wàn)加侖湖水，其中 39% 會(huì)因蒸發(fā)而流失。環(huán)保人士指責(zé)這違反了由五大湖各州和加拿大各省簽署的保護(hù)五大湖的大湖協(xié)約(Great Lake Compact)條款，并提起法律訴訟來(lái)制止這一行為。 根據(jù)富士康向威斯康辛州自然資源部提交的文件顯示，公司每年將造成嚴(yán)重的空氣污染，包括排放數(shù)百噸一氧化碳、顆粒物、二氧化硫、氮氧化物和揮發(fā)性有機(jī)化合物。據(jù)《密爾沃基哨兵報(bào)》報(bào)道，該工廠會(huì)釋放出大量揮發(fā)性有機(jī)化合物和氮氧化物，使工廠所在地成為威斯康星州東南部最嚴(yán)重的污染源之一。 今年 5 月，根據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)道，富士康正在大幅縮減對(duì)工廠的籌備。但富士康明確地否認(rèn)了這一點(diǎn)。而到了 6 月下旬，富士康公司高管卻承認(rèn)他們不會(huì)建造郭臺(tái)銘最初承諾的那種工廠。 取而代之的是一個(gè)僅生產(chǎn)玻璃面板的第六代工廠，而不是為 10.5 英寸電視屏幕生產(chǎn) 10.5 代 LCD 制造工廠。Display Supply Chain Consultants 的合伙人 Bob O'Brien 表示，第六代工廠的投資僅需要約 25 億美元，而不是富士康最初承諾的 100 億美元。 甚至于第 6 代 LCD 屏幕也可能不會(huì)在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)太久?！肝覀儗?duì)電視并不是很感興趣?！垢皇靠蛋l(fā)言人路易斯·沃(Louis Woo)表示，威斯康辛工廠的工人將專注于尋找新的方式來(lái)應(yīng)用富士康的顯示器、蜂窩通信和人工智能技術(shù)，從而建立一個(gè)所謂「AI+8K+5G」的「生態(tài)系統(tǒng)」。 威斯康星州并不是第一個(gè)遇到富士康更改承諾的政府。富士康曾承諾在印度投資 50 億美元，創(chuàng)造 5 萬(wàn)個(gè)就業(yè)崗位，但結(jié)果卻只是其中的一小部分。據(jù)《媒體》報(bào)道，「同樣的結(jié)果也出現(xiàn)在越南，富士康曾在 2007 年承諾投資 50 億美元;在巴西，富士康在 2011 年說(shuō)要投資 100 億美元?！勾送膺€有賓夕法尼亞州哈里斯堡，富士康承諾投資 3000 萬(wàn)美元并雇傭 500 名工人，但這一承諾從未兌現(xiàn)。 截至目前，富士康已經(jīng)開(kāi)始在當(dāng)?shù)匦藿üS并開(kāi)始工作，州政府和地方政府也已經(jīng)在富士康所需的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)上繼續(xù)投入巨資。如果 2018 年沃克連任失利，接任的新州長(zhǎng)將很難再取消這項(xiàng)協(xié)議。對(duì)于生活在威斯康星州的納稅人來(lái)說(shuō)，多了一份看得到摸不著的收益;對(duì)于納稅人的家庭而言，卻不得不為這筆交易買單。

    半導(dǎo)體 富士康 美國(guó)政府補(bǔ)貼 威斯康星工廠

  • 富士康美國(guó)啟動(dòng)數(shù)千人大規(guī)模招工 會(huì)說(shuō)中文是優(yōu)勢(shì)

    中國(guó)電子代工巨頭富士康集團(tuán)，正在投資100億美元在美國(guó)建設(shè)大型液晶面板基地，據(jù)外媒最新消息，富士康對(duì)外宣布將啟動(dòng)最大規(guī)模招工活動(dòng)，一共將面試數(shù)千人。 富士康在美國(guó)的液晶面板廠，位于威斯康辛州的樂(lè)山(Mount Pleasant)。據(jù)多家美國(guó)媒體報(bào)道，富士康未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)將舉行五場(chǎng)招工大會(huì)。 第一場(chǎng)大會(huì)在樂(lè)山的Globe Drive大街13315號(hào)舉行，時(shí)間是10月13日早七點(diǎn)到晚七點(diǎn)。據(jù)悉，這個(gè)地址的建筑已經(jīng)被富士康租賃，未來(lái)將用來(lái)運(yùn)營(yíng)管理幾公里之外的液晶面板廠。 其他四場(chǎng)招工大會(huì)分別是10月21日在Racine縣，10月27日在Green Bay，10月27日在Eau Claire，以及11月2日在威斯康辛州最大城市和港口密爾沃基市。 所有希望到富士康集團(tuán)工作的求職者，必須提前登錄網(wǎng)站提交資料，只有收到面試邀請(qǐng)的應(yīng)聘者才能夠參加上述招工大會(huì)。 單單是在第一場(chǎng)在樂(lè)山的招工大會(huì)上，富士康集團(tuán)就將面試兩千人。 這次大規(guī)模招聘活動(dòng)的招聘總規(guī)模，尚不得而知。不過(guò)在富士康集團(tuán)液晶面板基地投產(chǎn)時(shí)，一共需要數(shù)千名員工，而在遠(yuǎn)期之內(nèi)一共需要1.3萬(wàn)名員工。 需要指出的是，這是富士康集團(tuán)在美國(guó)的第一次大規(guī)模招工，但是富士康的人員招聘實(shí)際上早已經(jīng)啟動(dòng)。在過(guò)去一年中，富士康已經(jīng)在官方網(wǎng)站放出了150多個(gè)崗位。 這些崗位主要涉及到專業(yè)職能以及管理工作，比如金融分析師、工廠運(yùn)營(yíng)總監(jiān)、注冊(cè)護(hù)士、規(guī)劃經(jīng)理、全國(guó)銷售總監(jiān)、市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)、勞工法律師、稅務(wù)專家等。三成的崗位涉及到工程技術(shù)。 富士康集團(tuán)來(lái)自中國(guó)，據(jù)報(bào)道，會(huì)說(shuō)中文將成為美國(guó)人應(yīng)聘的優(yōu)勢(shì)，至少有十個(gè)崗位的描述寫(xiě)到，中文能力雖然不是必需，但是是一個(gè)加分技能。 富士康也在招募房地產(chǎn)購(gòu)買領(lǐng)域的多位專業(yè)管理人員。近期，富士康也宣布了多項(xiàng)在威斯康辛州的房地產(chǎn)收購(gòu)計(jì)劃。 八月份，富士康集團(tuán)的一名高管在接受當(dāng)?shù)孛襟w采訪時(shí)表示，到2023年，富士康將在美國(guó)創(chuàng)造1.3萬(wàn)個(gè)就業(yè)崗位，這一計(jì)劃是完全能夠?qū)崿F(xiàn)的。 這位高管也表示，在富士康的美國(guó)招聘計(jì)劃中，一成是生產(chǎn)線工人，另外九成將是“知識(shí)工人”。 富士康還強(qiáng)調(diào)說(shuō)，同時(shí)歡迎本地居民以及退伍軍人前來(lái)應(yīng)聘和面試。 據(jù)之前美國(guó)媒體報(bào)道，在中國(guó)市場(chǎng)不同，美國(guó)的技術(shù)工人儲(chǔ)備并不充分，因此富士康集團(tuán)要招到預(yù)計(jì)規(guī)模的員工和工人，存在一定難度。富士康已經(jīng)采取多種措施，包括和其他企業(yè)和機(jī)構(gòu)合作，招聘已經(jīng)接受過(guò)技術(shù)培訓(xùn)的美國(guó)退伍軍人，另外富士康也和美國(guó)一些當(dāng)?shù)貙W(xué)校進(jìn)行和合作，招募理工科的畢業(yè)生，一些學(xué)員還將被送到中國(guó)的富士康工廠進(jìn)行實(shí)習(xí)培訓(xùn)。 此前在宣布美國(guó)項(xiàng)目的時(shí)候，富士康也承諾，美國(guó)液晶面板基地員工的平均年薪將達(dá)到5.4萬(wàn)美元。這已經(jīng)超出了美國(guó)人平均工資水平(美國(guó)人平均月薪為3500美元)。 除了在美國(guó)威斯康星州之外，富士康集團(tuán)還和廣州市政府合作，正在廣州建設(shè)另外一座液晶面板基地。 在液晶面板領(lǐng)域的大舉投資，屬于富士康轉(zhuǎn)型計(jì)劃的一部分。郭臺(tái)銘正在降低對(duì)蘋(píng)果和其他客戶代工訂單的依賴，增強(qiáng)自有品牌產(chǎn)品和高技術(shù)零部件、原材料業(yè)務(wù)。這兩種業(yè)務(wù)都將提升富士康的科技含量和利潤(rùn)率，告別低端低利潤(rùn)的代工模式。 此前，富士康集團(tuán)斥資35億美元，收購(gòu)了日本夏普公司，獲得了夏普優(yōu)秀的液晶技術(shù)。郭臺(tái)銘認(rèn)為，隨著普通家庭更換60英寸的大屏電視，液晶電視仍然有巨大的市場(chǎng)空間。 在歸屬富士康集團(tuán)后，夏普電視在中國(guó)瘋狂降價(jià)，銷量和市占率猛增，讓同行極為震驚。

    半導(dǎo)體 富士康 美國(guó)招工 液晶面板基地

  • 再投240億美元，紫光在成都開(kāi)建12英寸 3D NAND存儲(chǔ)器制造基地

    繼2016年12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資為240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)之后，紫光再投240億美元，打造紫光成都存儲(chǔ)器制造基地!2018年10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開(kāi)工儀式在成都雙流舉行。省委常委、市委書(shū)記范銳平出席活動(dòng)，市委副書(shū)記、市長(zhǎng)羅強(qiáng)致辭并宣布項(xiàng)目啟動(dòng)，紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官趙偉國(guó)致辭。 該項(xiàng)目占地面積約1200畝，總投資達(dá)240億美元，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。項(xiàng)目旨在打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，將助力四川電子信息產(chǎn)業(yè)向全球產(chǎn)業(yè)鏈、價(jià)值鏈高端跨越發(fā)展。   紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，這個(gè)項(xiàng)目瞄準(zhǔn)了我國(guó)高端集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造等薄弱環(huán)節(jié)，匯聚全球高端科技產(chǎn)業(yè)實(shí)力，致力于打造世界一流的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。 市長(zhǎng)羅強(qiáng)說(shuō)，成都是國(guó)家重要的電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基地，積極實(shí)施“一芯一屏”發(fā)展計(jì)劃，緊緊圍繞關(guān)鍵核心部件研發(fā)制造，全力推動(dòng)電子信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)。我們堅(jiān)信，在國(guó)家部委和省委省政府大力支持下，通過(guò)紫光集團(tuán)全體員工創(chuàng)新創(chuàng)造和辛勤付出，項(xiàng)目建成后必將鞏固紫光集團(tuán)在全球集成電路產(chǎn)業(yè)的重要地位，助推成都、助推四川躋身世界芯片制造版圖。成都將繼續(xù)為紫光集團(tuán)在蓉項(xiàng)目建設(shè)運(yùn)營(yíng)提供優(yōu)質(zhì)高效服務(wù)，鍛造好、維護(hù)好、利用好核心技術(shù)的“國(guó)之重器”，共同譜寫(xiě)中國(guó)電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)更加美好的未來(lái)。 趙偉國(guó)表示，成都紫光集成電路制造基地項(xiàng)目建設(shè)標(biāo)志著紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域布局又邁出堅(jiān)實(shí)一步，也是中國(guó)集成電路崛起征程中建立的又一個(gè)橋頭堡。此次項(xiàng)目瞄準(zhǔn)我國(guó)高端集成電路產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造等薄弱環(huán)節(jié)，匯聚全球高端科技產(chǎn)業(yè)實(shí)力，致力于打造世界一流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，對(duì)我國(guó)實(shí)現(xiàn)高端集成電路創(chuàng)新突破具有重大意義，相信它的建成必將助推四川和成都成為全球重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地，為四川、成都經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 據(jù)了解，紫光集團(tuán)是國(guó)內(nèi)具有引領(lǐng)地位的綜合性集成電路企業(yè)和領(lǐng)先的云網(wǎng)服務(wù)企業(yè)。紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目選址成都高新綜合保稅區(qū)雙流園區(qū)，主要建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)線，并開(kāi)展存儲(chǔ)器及關(guān)聯(lián)產(chǎn)品(模塊、解決方案)研發(fā)、制造和銷售。

    半導(dǎo)體 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 紫光成都存儲(chǔ)器制造基地

  • 全球首個(gè)4D NAND閃存量產(chǎn)，96層堆棧，速度提升30%

      早在今年的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上，SK Hynix就宣告了業(yè)界首個(gè)基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積，讀取、寫(xiě)入速度分別提升30%、25%。 隨著64層堆棧3D NAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn)，全球6大NAND閃存廠商今年都開(kāi)始轉(zhuǎn)向96層堆棧的新一代3D NAND，幾家廠商的技術(shù)方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個(gè)4D NAND閃存的名字，在今年的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上正式宣告了業(yè)界首個(gè)基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積，讀取、寫(xiě)入速度分別提升30%、25%。   根據(jù)SK Hynix之前公布的信息，所謂的4D NAND閃存其實(shí)也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC(Peri Under Cell)電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存，本質(zhì)上其實(shí)還是3D NAND，4D NAND閃存有很強(qiáng)的商業(yè)營(yíng)銷味道。   SK Hynix的4D NAND閃存首先會(huì)量產(chǎn)TLC類型的，核心容量分別是512Gbt、1Tb，都是96層堆棧，IO接口速度1.2Gbps，不過(guò)兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些。 至于QLC類型的，這個(gè)未來(lái)會(huì)是SK Hynix量產(chǎn)的重點(diǎn)，核心容量1Tb，但量產(chǎn)時(shí)間會(huì)在明年下半年，還需要一些時(shí)間。 媒體報(bào)道稱，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存，TLC類型，核心容量512Gb，與現(xiàn)有的72層堆棧3D NAND閃存相比，4D NAND閃存的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產(chǎn)輸出增加了50%，而且性能也更強(qiáng)——讀取速度提升30%，寫(xiě)入速度提升25%。 根據(jù)官方所說(shuō)，4D NAND閃存今年內(nèi)會(huì)量產(chǎn)，而主要生產(chǎn)基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達(dá)15萬(wàn)億韓元，約合135億美元。 雖然稱為4D NAND，但實(shí)際上，和3D NAND比起來(lái)并沒(méi)有什么革命性的技術(shù)，或許只是一種市場(chǎng)行銷的手段罷。

    半導(dǎo)體 nand 4d 96層堆棧

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