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硅襯底LED芯片主要制造工藝
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
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硅襯底LED芯片主要制造工藝
目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國(guó)CREE公司壟斷了SiC襯底上 GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國(guó)際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)與廈門華聯(lián)電子有限公司合作承擔(dān)了國(guó)
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探討研究衡器發(fā)展之路
衡器發(fā)展歷史漫長(zhǎng)，是人民生活生產(chǎn)的重要衡量工具。截止而是世紀(jì)八十年底啊，在電子衡器的發(fā)展下才走上研究開發(fā)之路。隨后，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，衡器的重要性越來越凸顯，已經(jīng)開始獨(dú)立設(shè)計(jì)制造精度高、運(yùn)行快、計(jì)量準(zhǔn)確
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GT公布藍(lán)寶石材料質(zhì)量對(duì)LED影響的案例研究
GT Advanced Technologies Inc.日前公布了案例研究產(chǎn)量問題：藍(lán)寶石材料質(zhì)量對(duì)LED晶圓工藝的影響。該報(bào)告詳述了一項(xiàng)盲型材料研究的發(fā)現(xiàn)，這項(xiàng)研究針對(duì)藍(lán)寶石材料質(zhì)量對(duì)高亮度LED即用型外延晶圓制造工藝的影響進(jìn)行了調(diào)
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傳感器領(lǐng)域的新科技成果通過了國(guó)家鑒定
近日，“傳感器測(cè)試關(guān)鍵共性技術(shù)研究”、“光密度連續(xù)變化濾光器件”、“SOI壓力傳感器制造工藝研究” 三項(xiàng)科研項(xiàng)目的科技成果鑒定會(huì)議在沈陽(yáng)召開。專家組對(duì)這三項(xiàng)目給予了較高評(píng)價(jià)，對(duì)項(xiàng)目完成的質(zhì)量給予了充分地肯
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副總裁表示英特爾于2014年進(jìn)入14nm時(shí)代
9月15日消息，據(jù)科技網(wǎng)站DigiTimes報(bào)道，英特爾公司副總裁兼上網(wǎng)本、平板電腦業(yè)務(wù)主管Steven Smith在IDF 2011大會(huì)上表示，英特爾CPU制造工藝將在2014年進(jìn)入14nm時(shí)代。 英特爾2014年進(jìn)入14nm時(shí)代 在2012年，
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佛羅里達(dá)大學(xué)研發(fā)出低成本量子點(diǎn)技術(shù)生產(chǎn)LED的制造工藝
佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程系的研究人員近日研發(fā)出一種LED的制造工藝，采用的是低成本的量子點(diǎn)技術(shù)。在此項(xiàng)工藝的研發(fā)中，他們?nèi)诤狭薕LED照明和量子點(diǎn)兩個(gè)技術(shù)，創(chuàng)造了高性能的有機(jī)和量子點(diǎn)層的混合體，同時(shí)，由于該
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佛羅里達(dá)大學(xué)研發(fā)出低成本量子點(diǎn)LED的制造工藝
佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程系的研究人員近日研發(fā)出一種LED的制造工藝，采用的是低成本的量子點(diǎn)技術(shù)。在此項(xiàng)工藝的研發(fā)中，他們?nèi)诤狭薕LED照明和量子點(diǎn)兩個(gè)技術(shù)，創(chuàng)造了高性能的有機(jī)和量子點(diǎn)層的混合體，同時(shí)，由于該
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佛羅里達(dá)大學(xué)研發(fā)出低成本量子點(diǎn)LED的制造工藝
佛羅里達(dá)大學(xué)材料科學(xué)與工程系的研究人員近日研發(fā)出一種LED的制造工藝，采用的是低成本的量子點(diǎn)技術(shù)。在此項(xiàng)工藝的研發(fā)中，他們?nèi)诤狭薕LED照明和量子點(diǎn)兩個(gè)技術(shù)，創(chuàng)造了高性能的有機(jī)和量子點(diǎn)層的混合體，同時(shí)，由于該
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DRAM廠商在制造工藝方面追趕三星
據(jù)IHS公司的DRAM市場(chǎng)報(bào)告，隨著DRAM價(jià)格降到了極低水平，如果廠商不轉(zhuǎn)向效率更高的3x/2x納米制程，可能面臨重大虧損，三星電子等領(lǐng)先的內(nèi)存供應(yīng)商已經(jīng)采用了上述制程。三星第三季度采用3x/2x制程進(jìn)行的晶圓生產(chǎn)已占到
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普瑞未來兩年將生產(chǎn)硅襯底LED芯片 成本有望下降20％至30％
普瑞近日宣布，其新制造工藝的性能指標(biāo)獲得提升，預(yù)計(jì)將在未來兩年制造基于硅襯底的LED芯片，普瑞希望此舉可以降低大約20％至30％LED照明成本。目前，LED的成本仍然居高不下，嚴(yán)重阻礙了LED照明在通用照明領(lǐng)域的普及
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普瑞未來兩年將生產(chǎn)硅襯底LED芯片 成本有望下降20％至30％
普瑞近日宣布，其新制造工藝的性能指標(biāo)獲得提升，預(yù)計(jì)將在未來兩年制造基于硅襯底的LED芯片，普瑞希望此舉可以降低大約20％至30％LED照明成本。目前，LED的成本仍然居高不下，嚴(yán)重阻礙了LED照明在通用照明領(lǐng)域的普及
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韓泰、錦湖輪胎雙雙被曝 韓國(guó)輪胎被質(zhì)疑
距離錦湖輪胎被央視曝光使用返煉膠三個(gè)月之期，韓國(guó)韓泰輪胎再曝安全隱患。由于設(shè)計(jì)或制造工藝問題，韓泰輪胎存在安全隱患，易引發(fā)爆胎、鼓包、漏氣等嚴(yán)重現(xiàn)象。國(guó)家質(zhì)檢總局日前就此事件對(duì)其發(fā)出風(fēng)險(xiǎn)警示通告。雖然
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Tegra3可能是唯一40nm工藝4核ARM芯片
Nvidia新一代代號(hào)為Kal-El的四核心處理器Tegra3的關(guān)注度可以說是相當(dāng)?shù)母?，尤其是在目前ARM處理器在智能手機(jī)和平板電腦等平臺(tái)上的出色表現(xiàn)更是讓Tegra3成為用戶和業(yè)內(nèi)關(guān)注的焦點(diǎn)。但是從最新的消息來看Tegra3可能是4
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中國(guó)加速IC產(chǎn)業(yè)應(yīng)用全新化
“2015年之前，中國(guó)本土IC的供給不到20%，所以本土IC還有很多的市場(chǎng)空間?！比A潤(rùn)上華市場(chǎng)銷售副總莊淵棋在日前一次研討會(huì)中如此表示。他認(rèn)為，根據(jù)2010年9月，國(guó)務(wù)院發(fā)布“進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干
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臺(tái)積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv
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臺(tái)積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv
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臺(tái)積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv
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臺(tái)積電稱年內(nèi)28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)
TSMC將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28納米工藝晶圓。臺(tái)積電稱，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開始導(dǎo)入28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28納米晶圓給公司帶來的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%到3%左右。臺(tái)積電表示，Nv
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臺(tái)積電承諾2011年年底推出28納米工藝
知名半導(dǎo)體代工廠商TSMC臺(tái)積電公司日前確認(rèn)，該公司將于2011年年底左右正式開始生產(chǎn)基于28納米制造工藝的半導(dǎo)體芯片。臺(tái)積電計(jì)劃將于2011年第三季度的某個(gè)時(shí)候開始完成28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年第四季
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