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功率半導(dǎo)體2012年市場規(guī)模將達(dá)320億美元
市場研究機(jī)構(gòu)IMS Research預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(power semiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模；IMS將該市場今明兩年相對較低的成長率表現(xiàn)，歸咎于全球經(jīng)濟(jì)景氣不確定以
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全球功率半導(dǎo)體市場2011年成長3.7%
市場研究機(jī)構(gòu)IMS Research預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(power semiconductor)市場在 2011年成長3.7%之后， 2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模；IMS將該市場今明兩年相對較低的成長率表現(xiàn)，歸咎于全球經(jīng)濟(jì)景氣不確定
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2011年RF功率半導(dǎo)體元件收入破10億美元
據(jù)國外媒體報道，2011年，無線基礎(chǔ)設(shè)施市場中的RF功率半導(dǎo)體元件的支出出現(xiàn)顯著增長。而同期的其他市場尤其是軍用市場增長則較為溫和，主要是受到全球經(jīng)濟(jì)前景和政治因素的影響。此外，一直以來被視為RF功率半導(dǎo)體元
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牛尾電機(jī)開發(fā)出三款曝光裝置，面向TSV、MEMS及功率半導(dǎo)體
“UX4-3Di FFPL300” （點擊放大） “UX4-MEMS FFPL200”和“UX4-ECO FFPL150”（兩款機(jī)型的概觀相同）（點擊放大） 牛尾電機(jī)宣布，該公司開發(fā)出了模塊全域等倍曝光裝置“UX4”系列的3款機(jī)型，將在“Semicon J
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功率半導(dǎo)體市場緊張情況有望下半年好轉(zhuǎn)
2005-2010年間，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模年平均增長率超過15%，隨著全球經(jīng)濟(jì)逐漸回暖，功率半導(dǎo)體市場的增長速度只會更快。近年來，隨著中國經(jīng)濟(jì)的持續(xù)發(fā)展以及國家在電力、交通及基礎(chǔ)設(shè)施的大規(guī)模投入，國內(nèi)功率半導(dǎo)
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新型面向汽車通孔應(yīng)用的高性能功率半導(dǎo)體封裝
能效十分重要。事實上，能效是很多新型汽車功率電子系統(tǒng)設(shè)計的主要考核指標(biāo)之一。浪費的每瓦電力都可以換算為本應(yīng)留在油箱中的一滴汽油，或者是從排氣管中額外排放的一克二氧化碳。如今，油耗和碳排放都面臨著日益
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新型面向汽車通孔應(yīng)用的高性能功率半導(dǎo)體封裝
能效十分重要。事實上，能效是很多新型汽車功率電子系統(tǒng)設(shè)計的主要考核指標(biāo)之一。浪費的每瓦電力都可以換算為本應(yīng)留在油箱中的一滴汽油，或者是從排氣管中額外排放的一克二氧化碳。如今，油耗和碳排放都面臨著日益
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英飛凌穩(wěn)居分立功率半導(dǎo)體細(xì)分市場榜首
英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場榜首。據(jù)IMSResearch發(fā)布的數(shù)據(jù)，2010年，英飛凌進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位，在全球市場上占據(jù)了11.2%的份額，領(lǐng)先于東芝(6.8%)、意法半導(dǎo)體(6.5%)和三菱(6.5%)。IMSResearch的市
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英飛凌鞏固其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位
21ic訊 英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場榜首。據(jù)IMS Research*發(fā)布的數(shù)據(jù)，2010年，英飛凌進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位，在全球市場上占據(jù)了11.2%的份額，領(lǐng)先于東芝（6.8%）、意法半導(dǎo)體（6.5%）和三菱（6.5%）。
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英飛凌繼續(xù)領(lǐng)跑功率半導(dǎo)體市場
英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場榜首。據(jù)IMS Research發(fā)布的數(shù)據(jù)，2010年，英飛凌進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位，在全球市場上占據(jù)了11.2%的份額，領(lǐng)先于東芝(6.8%)、意法半導(dǎo)體(6.5%)和三菱(6.5%)。IMS Research的
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英飛凌繼續(xù)領(lǐng)跑功率半導(dǎo)體市場
英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場榜首。據(jù)IMS Research發(fā)布的數(shù)據(jù)，2010年，英飛凌進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位，在全球市場上占據(jù)了11.2%的份額，領(lǐng)先于東芝(6.8%)、意法半導(dǎo)體(6.5%)和三菱(6.5%)。IMS Research的
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9100萬美元半導(dǎo)體項目落戶合肥經(jīng)開區(qū)
日前從合肥市外辦獲悉，日本三菱電機(jī)與已在合肥投資的美國捷敏就半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)項目達(dá)成共識，并于今年8月注冊成立三菱電機(jī)捷敏功率半導(dǎo)體（合肥）有限公司，落戶合肥經(jīng)開區(qū)。 10月26日，日本三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作
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9100萬美元半導(dǎo)體項目落戶合肥經(jīng)開區(qū)
日前從合肥市外辦獲悉，日本三菱電機(jī)與已在合肥投資的美國捷敏就半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)項目達(dá)成共識，并于今年8月注冊成立三菱電機(jī)捷敏功率半導(dǎo)體(合肥)有限公司，落戶合肥經(jīng)開區(qū)。10月26日，日本三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體制作所所
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山能機(jī)械研制完成大功率半導(dǎo)體激光器
近日，大功率半導(dǎo)體激光器在山東能源新礦集團(tuán)山能機(jī)械研制完成，填補了國內(nèi)空白，達(dá)到世界領(lǐng)先水平。 大功率半導(dǎo)體激光器由于具有體積小、重量輕、效率高等眾多優(yōu)點,誕生伊始一直是激光領(lǐng)域的關(guān)注焦點。主要用于
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山能機(jī)械研制完成大功率半導(dǎo)體激光器
近日，大功率半導(dǎo)體激光器在山東能源新礦集團(tuán)山能機(jī)械研制完成，填補了國內(nèi)空白，達(dá)到世界領(lǐng)先水平。大功率半導(dǎo)體激光器由于具有體積小、重量輕、效率高等眾多優(yōu)點,誕生伊始一直是激光領(lǐng)域的關(guān)注焦點。主要用于工業(yè)、
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芯片制造應(yīng)關(guān)注功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用可以實現(xiàn)對電能的傳輸轉(zhuǎn)換及最佳控制，大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率，大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。 在過去的10年里，“18號文”推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一個跨越式發(fā)展的時
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英飛凌以300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片
英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之晶片的功能特
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英飛凌生產(chǎn)出300mm薄晶圓制造的首款功率半導(dǎo)體芯片
英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體芯片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之芯片的功能特
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英飛凌以300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片
英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之晶片的功能特
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英飛凌以300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片
英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓生產(chǎn)之晶片的功能特
