-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首
汽車傳感器市場領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY）連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場
-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首，進一步鞏固領(lǐng)導地位
英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領(lǐng)域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%
-
英飛凌連續(xù)十年位居功率半導體市場榜首，進一步鞏固領(lǐng)導地位
2013年12月24日，汽車傳感器市場領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司連續(xù)十年位居世界功率半導體市場榜首。這是北美市場研究機構(gòu)IHS Inc的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查顯示，在該市場領(lǐng)域，英飛凌強勢占據(jù)11.8%的市場份額，與去年的12%接近。
-
尼康強化半導體曝光裝置升級業(yè)務(wù)瞄準功率半導體和三維LSI
尼康將對根據(jù)用途升級已售半導體曝光裝置的服務(wù)進行強化。該公司于2013年春季在開展曝光裝置售后業(yè)務(wù)的子公司Nikon Tec設(shè)立了專屬組織“售后服務(wù)戰(zhàn)略室”。將于11月在尼康的臺灣子公司Nikon Precision Taiwan（NPT）
-
三安LED芯片領(lǐng)導地位加固 有望奪“行業(yè)巨擘”
LED半導體照明網(wǎng)訊 三安3季報符合預(yù)期，業(yè)績增速顯著提升。公司芯片業(yè)務(wù)繼續(xù)增長且盈利提高，布局LED應(yīng)用、光伏電站、功率半導體打開更大空間，未來將打造成基于半導體技術(shù)的節(jié)能產(chǎn)業(yè)巨擘。維持目標價28元，
-
SiC功率半導體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實用化
“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說員）。 在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013&rdq
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”（日本宮
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”（日本宮
-
英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體供應(yīng)商榜首
LED半導體照明網(wǎng)訊 據(jù)外媒electronicsweekly報道，全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報告顯示，英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體分立器件和模塊領(lǐng)先供應(yīng)商榜首。2012年，英飛凌占有全球市場收入份額的11.8％
-
山東天岳及韓國SK集團等亞洲企業(yè)全面涉足SiC晶圓業(yè)務(wù)
在SiC及GaN等新一代功率半導體領(lǐng)域，以韓國和中國為代表的亞洲企業(yè)的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領(lǐng)域也顯著呈現(xiàn)出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM 2013”（日本
-
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導體用6英寸SiC外延晶圓
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
-
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導體用6英寸SiC外延晶圓
昭和電工日前宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成本，也適合
-
昭和電工開始量產(chǎn)并銷售功率半導體用6英寸SiC外延晶圓
昭和電工2013年9月30日宣布確立了6英寸SiC外延晶圓的量產(chǎn)化技術(shù)。該公司從2013年年初就開始提供該晶圓的樣品，此次確立了量產(chǎn)化技術(shù)，從10月份開始設(shè)定產(chǎn)品性能參數(shù)、正式展開銷售。據(jù)介紹，6英寸產(chǎn)品適于降低元件成
-
IHS：英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體供應(yīng)商榜首
9月29日消息，據(jù)外媒electronicsweekly報道，全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報告顯示，英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體分立器件和模塊領(lǐng)先供應(yīng)商榜首。2012年，英飛凌占有全球市場收入份額的11.8％，與2011年的1
-
IHS：英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體供應(yīng)商榜首
9月29日消息，據(jù)外媒electronicsweekly報道，全球信息收集和調(diào)查公司IHS近日發(fā)布調(diào)查報告顯示，英飛凌穩(wěn)居2012年功率半導體分立器件和模塊領(lǐng)先供應(yīng)商榜首。2012年，英飛凌占有全球市場收入份額的11.8％，與2011年的1
-
功率器件供應(yīng)趨緊，廠商全速擴充產(chǎn)線產(chǎn)能
【導讀】自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要
-
日本成立功率元件促進協(xié)會
日本近期傳出日本半導體產(chǎn)業(yè)成立功率元件促進協(xié)會(Power Device Enabling Association，PDEA)，主要的原因在于，日本在功率元件的技術(shù)發(fā)展，約略落后全球的平均水平，故成
-
飛兆半導體的功率半導體發(fā)展前景
【導讀】在2013年第25屆功率半導體器件和集成電路國際學術(shù)研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits， ISPSD)上，飛兆半導體(Fairchild)高級技術(shù)副總裁兼首席技術(shù)官D
c475301174
mingpu21
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
hyrzwwy
hyrzwwy
hyrzwwy
c126
393994856
DianGongN
美思電子
adofu2008
Name_006
lzhj881506
Davy楷
1122徐
gck_2009
