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未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億
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未來十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場 將以18%速度增長
在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱，至2022年SiC和Ga
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智能電網(wǎng)帶來的不僅是智能
受宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟影響，2012年半導(dǎo)體市場總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示，2013年的半導(dǎo)體市場將會(huì)繼續(xù)呈下降趨勢，相反地，功率MOSFET領(lǐng)域則會(huì)在2013年預(yù)計(jì)將增長7.7%
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英飛凌家族芯片通過質(zhì)檢 已向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
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英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏 導(dǎo)熱性能更出色的TIM
21ic訊 功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣，它們才能確保實(shí)現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶頸是功率器件和散熱器之間的導(dǎo)熱膏。在高功率
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英飛凌家族芯片通過質(zhì)檢 已向全球發(fā)貨
英飛凌科技股份公司已在生產(chǎn)基于300毫米薄晶圓的功率半導(dǎo)體方面取得了重大突破。今年2月，從奧地利費(fèi)拉赫工廠的300毫米生產(chǎn)線走下來的英飛凌CoolMOS家族產(chǎn)品，得到了第一批客戶的首肯。從始至終，基于這項(xiàng)新技術(shù)的生
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功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場 電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域
據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長 作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提
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功率半導(dǎo)體市場復(fù)蘇：動(dòng)力來自新領(lǐng)域
據(jù)IMS Research數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提高電
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功率半導(dǎo)體增長點(diǎn)在新興領(lǐng)域
功率半導(dǎo)體是僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，運(yùn)行于弱電控制與強(qiáng)電之間，對降低電路損耗、提高電源使用效率，發(fā)揮著重要作用。隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已逐漸從傳統(tǒng)的工業(yè)
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功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場 電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域
據(jù)IMSResearch數(shù)據(jù)，全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長作為僅次于大規(guī)模集成電路的另一大分支，功率半導(dǎo)體運(yùn)行于弱電
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CEATEC 2012羅姆:開關(guān)損耗降低85% SiC功率半導(dǎo)體助建節(jié)能社會(huì)
21ic訊 10月2日-10月6日，CEATEC 2012如期召開，本屆CEATEC主題重點(diǎn)關(guān)注：Smart Innovation-豐富多彩的生活和社會(huì)的創(chuàng)造當(dāng)今世界隨著個(gè)人生活、商務(wù)、行業(yè)、社會(huì)系統(tǒng)的全面網(wǎng)絡(luò)技術(shù)活用已在逐步孕育構(gòu)筑高效的智能社
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英飛凌在功率半導(dǎo)體市場市占率逾1成
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IMSResearch（屬IHS公司）最新報(bào)告指出，2011年全球功率半導(dǎo)體市場總值達(dá)176億美元，英飛凌的市占率達(dá)11.9%，連續(xù)9年拿下功率半導(dǎo)體市場市占率第一。調(diào)查也指出，三菱（Mitsubishi）市占率為8.3%，位居第
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功率半導(dǎo)體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點(diǎn)話題之一。5月16日，國務(wù)院常務(wù)會(huì)議安排265億元資金，對符合節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)的平板電視、空
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無錫新潔能功率半導(dǎo)體有限公司
地 址：江蘇省無錫市濱湖區(qū)高浪東路999號啟航大廈8樓郵 編：214131電 話：0510-85629718傳 真：0510-85627839網(wǎng) 站：www.ncepower.com電子郵件：caik@ncepo
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中國南車首家海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心落成
7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個(gè)海外高端器件研發(fā)中心。以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是軌道交通裝備關(guān)鍵技術(shù)之一，被業(yè)界認(rèn)為是現(xiàn)代機(jī)車
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中國南車首家海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心落成
7月25日，中國南車株洲所首家海外功率半導(dǎo)體研發(fā)中心在英國順利落成，這也是我國軌道交通裝備制造企業(yè)首個(gè)海外高端器件研發(fā)中心。以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是軌道交通裝備關(guān)鍵技術(shù)之一，被業(yè)界認(rèn)為是現(xiàn)代機(jī)車
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三菱電機(jī)榮獲中國變頻器行業(yè)“最佳器件供應(yīng)商”
2012年7月6日，第九屆變頻器行業(yè)企業(yè)家論壇暨《變頻器世界》創(chuàng)刊十五周年慶典在深圳隆重舉行，近200名行業(yè)內(nèi)的企業(yè)家精英和技術(shù)專家參與了此次盛會(huì)。三菱電機(jī)在頒獎(jiǎng)晚會(huì)上榮獲“最佳器件供應(yīng)商”稱號，這也是繼2010年
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三菱電機(jī)榮獲中國變頻器行業(yè)“最佳器件供應(yīng)商”
2012年7月6日，第九屆變頻器行業(yè)企業(yè)家論壇暨《變頻器世界》創(chuàng)刊十五周年慶典在深圳隆重舉行，近200名行業(yè)內(nèi)的企業(yè)家精英和技術(shù)專家參與了此次盛會(huì)。三菱電機(jī)在頒獎(jiǎng)晚會(huì)上榮獲“最佳器件供應(yīng)商”稱號，這也是繼2010年
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機(jī)構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進(jìn)一步成長5.0%，達(dá)到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟(jì)前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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