2022年6月22日-NSD1624是納芯微最新推出的非隔離高壓半橋驅(qū)動芯片,驅(qū)動電流高達(dá)+4/-6A,可用于驅(qū)動MOSFET/IGBT等各種功率器件。
比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長壽命的高效、緊湊電機(jī)驅(qū)動和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.(CISSOID),和中國先進(jìn)電動汽車動力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開展研發(fā)項(xiàng)目,使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動汽車動力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮,從而實(shí)現(xiàn)電動汽車動力總成的全面優(yōu)化和深度集成。
在過去的四十年里,由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝,以及高質(zhì)量材料的可用性,基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而,大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正在接近硅提供的理論性能極限,特別是在它們阻擋高壓的能力、在導(dǎo)通狀態(tài)下提供低電壓降以及它們在非常高的頻率下開關(guān)的能力方面。
最近可能遇到了“GaN”,它正在一些關(guān)鍵的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中取代硅 (Si)。在本博客系列“如何使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)”中,我將了解氮化鎵 (GaN) 與 Si 的不同之處,以及使用 GaN 創(chuàng)建電源設(shè)計(jì)時(shí)的關(guān)鍵考慮因素。
在 PCB 中提供大銅平面。將器件的裸露焊盤焊接到銅平面上,并將平面延伸到 PCB 的邊緣,以增加散熱面積。對于四層板,您可以在所有層中使用銅平面來散熱,與兩層板相比,這反過來可以提高 30% 的性能。PCB 面積越大,由于對流而產(chǎn)生的散熱量就越高。提供沒有任何中斷的銅平面,以便通過平面的熱量傳播將是有效的。
6月7日,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資,由廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè),著力加強(qiáng)在新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場拓展,確?;景雽?dǎo)體在國產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
荷蘭芯片制造商N(yùn)experia贊助的最近行業(yè)活動的參與者表示,汽車、消費(fèi)和航空應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用正在利用氮化鎵 (GaN)技術(shù)的優(yōu)勢。 例如,Kubos Semiconductor 正在開發(fā)一種稱為立方 GaN 的新材料?!八橇⒎降?,我們不僅可以在 150 毫米及以上的大型晶圓上生產(chǎn)它,而且還可以擴(kuò)展到更大的晶圓尺寸,并可以無縫插入現(xiàn)有的生產(chǎn)線,”Kubos 首席執(zhí)行官 Caroline 說奧布萊恩。
新 IC 工藝的開發(fā)和商業(yè)化,尤其是有些激進(jìn)的工藝,在我看來一直是設(shè)備技術(shù)的神奇和神秘的終結(jié)。是的,有聰明的電路、架構(gòu)和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),但是構(gòu)思一個(gè)新的過程,然后讓它成為現(xiàn)實(shí)和可制造的——以及現(xiàn)實(shí)所需要的一切——似乎需要對物理定律、材料科學(xué)、量子理論、以及更多。事情并沒有就此結(jié)束:在工藝技術(shù)進(jìn)步之后,我們?nèi)匀恍枰岢鲈O(shè)計(jì)規(guī)則和模型,以便 IC 設(shè)計(jì)人員和生產(chǎn)流程能夠真正利用該工藝。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)的功率器件在線仿真平臺IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。通過該平臺可輕松分析單個(gè)工作點(diǎn)及用戶自定義的負(fù)荷曲線。
近年來,使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)?,為了?yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題,需要高效率高性能的功率元器件。 然而,最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”,具體來說是基于什么定義來分類的呢?恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的,但是,可按以高電壓大功率的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET,以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。
詳細(xì)介紹MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理!
PWM 是一種可應(yīng)用于多種電源拓?fù)涞目刂品椒ā2⑶乙驗(yàn)闊o論拓?fù)淙绾?,電源都被用于無窮無盡的應(yīng)用中,因此它們享有無處不在的聲譽(yù);PWM 用于各種應(yīng)用。
上周,泛林集團(tuán)發(fā)布了Syndion G系列產(chǎn)品的新成員——全新Syndion? GP。在本周的微信中,泛林集團(tuán)客戶支持事業(yè)部Reliant系統(tǒng)產(chǎn)品副總裁Evan Patton將為大家講述該產(chǎn)品的開發(fā)背景。
為幫助廣大電子工程師朋友更好地了解工業(yè)電子產(chǎn)業(yè)新動態(tài),促進(jìn)電子工程師之間的技術(shù)交流,推動國內(nèi)電子行業(yè)技術(shù)升級,OFweek維科網(wǎng)將聯(lián)袂數(shù)家電子行業(yè)企業(yè)技術(shù)專家,傾力打造面向電子工程師技術(shù)人員的專場活動「OFweek2021系列活動——工程師技術(shù)在線論壇」,結(jié)合時(shí)事熱點(diǎn),聚焦前沿技術(shù),為電子工程師技術(shù)人員提供學(xué)習(xí)和交流平臺。
進(jìn)一步擴(kuò)大公司在深硅刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢,新的半導(dǎo)體制造方案支持用于汽車與智能技術(shù)的芯片開發(fā)
點(diǎn)擊“意法半導(dǎo)體PDSA",關(guān)注我們!意法半導(dǎo)體30年來一直致力于電源管理技術(shù)創(chuàng)新,通過產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案直接為客戶創(chuàng)造價(jià)值。在設(shè)計(jì)電源管理系統(tǒng)或子系統(tǒng)時(shí)沒有什么秘訣:不管最終用途是什么(能源生產(chǎn)或分配系統(tǒng)、供電或LED驅(qū)動電路、工業(yè)開關(guān)電源或電動汽車電力應(yīng)用),它必須滿足高效率...
來源華大半導(dǎo)體2021年11月30日,華大半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱華大半導(dǎo)體)旗下上海積塔半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱積塔半導(dǎo)體)宣布完成80億元人民幣戰(zhàn)略融資(以下簡稱本輪融資),本輪融資由華大半導(dǎo)體領(lǐng)投,其他出資方包括:中電智慧基金、國改雙百基金、國調(diào)基金、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、上...
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過,隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起,擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
在過去的 10-30 年里,氣候變化一直是一個(gè)備受爭議的話題,引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來看,開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施,擺脫化石燃料等相對廉價(jià)的能源,成本要高得多。
根據(jù)Semi保守預(yù)測,從2020到2024,芯片行業(yè)將增加至少38個(gè)新的 300毫米量產(chǎn)晶圓廠,在300毫米晶圓廠上的投入將在2030年達(dá)到700億美元?dú)v史新高。