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羅姆EcoGaN?系列創(chuàng)新方案，讓電源設(shè)計(jì)更高效節(jié)能！
基于多年積累的豐富半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)，羅姆開(kāi)發(fā)了顛覆傳統(tǒng)的氮化鎵品牌——EcoGaN?系列產(chǎn)品，旨在進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用產(chǎn)品的節(jié)能和小型化。為了讓大家全面地了解這一品牌，以及基于EcoGaN?系列的創(chuàng)新型電源解決方案，近日羅姆半導(dǎo)體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理水原德健先生在媒體溝通會(huì)上對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，并分享了相關(guān)領(lǐng)域的市場(chǎng)趨勢(shì)與技術(shù)發(fā)展。
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如何選擇合適的功率器件？有哪些注意事項(xiàng)
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)功率器件的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)功率器件具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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如何保護(hù)功率器件？應(yīng)用時(shí)該如何選擇？
在電力電子系統(tǒng)中，功率器件作為能量轉(zhuǎn)換的核心元件，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，由于各種因素的影響，功率器件常常面臨過(guò)流、過(guò)壓、短路等威脅，輕則影響設(shè)備性能，重則導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)癱瘓。因此，功率器件的保護(hù)已成為電力電子領(lǐng)域中不可或缺的一部分。本文將探討功率器件保護(hù)的原理和分類(lèi)，常見(jiàn)保護(hù)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)，以及在應(yīng)用中選擇合適保護(hù)方案的重要性。
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功率器件是什么？有什么特點(diǎn)？
在電子科技飛速發(fā)展的今天，各式各樣的電子設(shè)備層出不窮。然而，在這些設(shè)備的背后，有一個(gè)重要的組成部分默默地發(fā)揮著關(guān)鍵作用，那就是功率器件。本文將帶你了解功率器件的基本概念、特點(diǎn)以及在科技領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體GaN技術(shù)發(fā)布會(huì)，攜Super IDM模式推動(dòng)產(chǎn)業(yè)效率革命
2023年10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會(huì)，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會(huì)活動(dòng)。
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混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件和管理方面需面臨哪些挑戰(zhàn)？
混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來(lái)的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。
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自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試
泰克在最近的文章“自動(dòng)執(zhí)行WBG器件的雙脈沖測(cè)試”中探討了如何通過(guò)對(duì)SiC和GaN功率器件等寬帶隙器件自動(dòng)執(zhí)行雙脈沖測(cè)試，從而顯著縮短設(shè)置和分析時(shí)間。
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助力SiC功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化替代，美浦森和泰克攜手產(chǎn)業(yè)鏈合作共贏
兩年前，泰克交付給美浦森半導(dǎo)體一套DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，這是泰克在華南交付的首臺(tái)DPT1000A。這套SiC功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，專(zhuān)門(mén)用于三代半導(dǎo)體功率器件的動(dòng)態(tài)特性分析測(cè)試，助力全球碳化硅MOSFET領(lǐng)先生產(chǎn)商美浦森及其客戶(hù)、合作伙伴加速創(chuàng)新進(jìn)程、快速解決疑難問(wèn)題。
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REASUNOS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS在輔助電源上的應(yīng)用
輔助電源單開(kāi)關(guān)反激式線(xiàn)路應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體超高壓MOS系列，800V-1500V的研發(fā)及量產(chǎn)，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面。
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REASUNOS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在大功率電源上的應(yīng)用
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
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太陽(yáng)能逆變器的優(yōu)化應(yīng)用及如何設(shè)計(jì)？
近年來(lái)光伏發(fā)電在各國(guó)的普及和應(yīng)用取得可觀的進(jìn)展。作為電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，電力電子變換器對(duì)于光伏系統(tǒng)的整體性能與可靠性占有舉足輕重的地位。電力電子的設(shè)計(jì)對(duì)于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的整體效能具有舉足輕重的地位。最高的轉(zhuǎn)換效率永遠(yuǎn)是系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師考慮的首要因素。
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
通過(guò)替換現(xiàn)有的Si MOSFET，可將器件體積減少約99%，功率損耗減少約55%。
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實(shí)測(cè)案例：1200V GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)特性測(cè)試
量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家，這次測(cè)試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場(chǎng)上具有標(biāo)志性意義。
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TIF2023泰克創(chuàng)新論壇圓滿(mǎn)落幕，6大關(guān)鍵詞概括領(lǐng)先測(cè)試方案
日前，泰克科技以“啟智未來(lái)、測(cè)試為先”為主題的TIF2023年度大會(huì)圓滿(mǎn)落幕。本次大會(huì)圍繞半導(dǎo)體晶圓級(jí)測(cè)試、汽車(chē)電動(dòng)化和智能化測(cè)試，聚焦6大關(guān)鍵詞，囊括了泰克近兩年的領(lǐng)先測(cè)試解決方案。
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矽電-泰克晶圓級(jí)探針測(cè)試測(cè)量聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室正式成立
構(gòu)筑國(guó)產(chǎn)化合物半導(dǎo)體功率器件測(cè)試驗(yàn)證的能力基石！
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RS瑞森半導(dǎo)體系列產(chǎn)品在PD快充上的應(yīng)用
PD快充市場(chǎng)瑞森半導(dǎo)體主推：碳化硅二極管、超結(jié)COOL MOS、低壓SGT MOS、低壓Trench MOS
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Navitas 在 GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)計(jì)之旅
Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電器到兆瓦級(jí)并網(wǎng)產(chǎn)品。
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下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率
傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個(gè)外部元件(例如驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。
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SiC 與半導(dǎo)體垂直整合的復(fù)興，先進(jìn) SiC 解決方案的需求不斷增長(zhǎng)
碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體在處理高功率和導(dǎo)熱方面比電動(dòng)汽車(chē) (EV) 系統(tǒng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認(rèn)可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機(jī)，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。
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SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事以及以后發(fā)展的預(yù)測(cè)
在過(guò)去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來(lái)數(shù)十億美元的收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國(guó)英飛凌的肖特基二極管形式問(wèn)世。隨之而來(lái)的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過(guò) 40 億美元。
徐俊成123
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