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固態(tài)繼電器的分類
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二極管式陰極偏置
;;; 除了電阻外，我們還可以使用二極管AO4405來提供陰極偏置，見圖3.18 (a)。;;; 這種偏置方法的優(yōu)點是，二極管的內(nèi)阻比常規(guī)用的陰極電阻低得多，因此，不需為其并聯(lián)旁路電
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怎樣理解光電二極管的參數(shù)
;;; 光電二極管的主要參數(shù)是最BFG425W高工作電壓URM、光電流。和光電靈敏度S等。;;; 1．最高工作電壓;;; 最高工作電壓URM是指在無光照、反向電流不超過規(guī)定值（通常為O.lUA
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耗盡型MOS管
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全球采用MOST技術(shù)的車型已達(dá)100種
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0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計
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Littelfuse推出SP3051-04HTG瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列
該產(chǎn)品將低電容軌到軌和附加的組合在一起，保護(hù)每根輸入/輸出引腳不受ESD和雷擊導(dǎo)致的浪涌現(xiàn)象的危害。 這款功能強(qiáng)大的器件可安全地吸收20A的電流(tP=8/20μs)，且性能
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IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET
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城市生活垃圾分類計量收費設(shè)備控制裝置的設(shè)計
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AOS推出適用于便攜式應(yīng)用的功率MOSFET
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計數(shù)器的分類
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羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組
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Avago推出新28nm CMOS 100G以太網(wǎng)物理層產(chǎn)品
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CMOS圖像傳感器的調(diào)試
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SOPC基礎(chǔ)上的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計
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非均勻采樣的理論基礎(chǔ)
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基于基礎(chǔ)架構(gòu)接收器的超低噪聲放大器設(shè)計方案
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網(wǎng)絡(luò)技術(shù)講解：路由器基礎(chǔ)精析
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氮化鎵射頻產(chǎn)品為蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
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Java基礎(chǔ)：從C++轉(zhuǎn)到Java需注意的地方
