三維集成電路的第一代商業(yè)應用,CMOS圖像傳感器和疊層存儲器,將在完整的基礎(chǔ)設施建立之前就開始。在第一部分,我們將回顧三維集成背后強大的推動因素以及支撐該技術(shù)的基礎(chǔ)
據(jù)廣西新聞網(wǎng)報道,9月12日,2018年南寧投資貿(mào)易洽談會暨重大項目簽約儀式在南寧市市委、市政府會議中心舉行。
英特爾周一宣布,下一世代3D XPoint存儲器芯片的研發(fā)計劃,將轉(zhuǎn)移陣地至新墨西哥州廠。據(jù)新墨西哥州長Susana Martinez表示,英特爾變更布局將為當?shù)貛碛?00個新工作機會。
9月9日晚間,樂通股份發(fā)布公告稱,擬作價24億元以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購武漢中科信維信息技術(shù)有限公司(以下簡稱中科信維)100%股權(quán),進入數(shù)據(jù)存儲業(yè)務領(lǐng)域;同時,上市公司還擬募集不超過9.5億元配套資金。
快閃存儲器(NAND Flash)控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導群聯(lián)6日正式宣布,搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。
PIC16C5X內(nèi)部有384~2K的只讀程序存貯器,下面論述其結(jié)構(gòu)和堆棧?!?.4.1 程序存儲器結(jié)構(gòu)PIC16C5X程序存儲器結(jié)構(gòu)如圖1.3所示: 從上圖可看出,PIC程序存儲器采用分頁結(jié)構(gòu),每頁長0.5K。因此對于PIC16C
8月7日,長江存儲公開其突破性技術(shù)XtackingTM,且該技術(shù)已成功應用于第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)中,預計于2019年進入量產(chǎn)階段。
s3c2410的存儲控制器的的主要特性如下:1.可通過軟件設置大端/小端模式.2.分為8個bank,每個bank為128M,總共為1G.3.每個bank的數(shù)據(jù)寬度都可以設為8/16/32bit方式(bank0除外,因為bank0要用作系統(tǒng)引導)4.bank0-5支持ROM
燒錄器的功能,主要對非易失性的存儲器進行操作(MCU內(nèi)部Flash也都是各類非易失性的存儲器)。這些存儲器通常都需要擦除、編程和校驗。這些基本操作和一些控制設置操作,是燒錄的主要內(nèi)容。
資策會產(chǎn)業(yè)情報研究所(MIC)表示,觀測全球資訊系統(tǒng)與半導體產(chǎn)業(yè)趨勢,全球資訊系統(tǒng)市場長期停滯,然2018年受惠于商用換機需求,全球電腦市場持平;展望2019年,在商用換機需求趨緩與貿(mào)易保護政策等影響下,全球電腦系統(tǒng)市場微幅衰退;服務器市場則受惠于AI新興應用帶動的數(shù)據(jù)儲存與運算需求而呈現(xiàn)增長,然因缺乏平臺換機題材,年增率將略減低。
近日,紫光存儲攜8個系列的存儲產(chǎn)品向全球閃存界展示了一個全新的存儲公司及產(chǎn)品。
去年6月底,美光拋棄了雷克沙(Lexar),隨后品牌宣告破產(chǎn),而中國的公司收購了,不少玩家也都希望這個有22年歷史的(最初成立于1996年)品牌能夠重新站起來。
全球企業(yè)級存儲市場上排名前16強,其中有一半的廠商專業(yè)做存儲,心無旁騖。專業(yè)自然會更專心,專心致志往往意味著自己向前的路將變得狹窄了起來。
晶圓代工龍頭臺積電14日召開季度例行董事會,會中決議核準約新臺幣1,364億元(約合人民幣305億元)資本預算,用來興建廠房及建置新產(chǎn)能,以因應市場強勁需求,并將對子公司TSMC Global Ltd.增資20億美元來降低外匯避險成本。此外,臺積公告聘任史丹佛大學電機工程系終身職教授黃漢森為技術(shù)研究組織主管,也為近期業(yè)界傳出的“臺積電9月將有新人事異動”增添想象。
據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)IHS Markit預計,全球半導體支出可服務市場(Served Available Market,SAM)今年將達到3168億美元,這是一個新的紀錄,將打破去年達成的新高點。
存儲器模組廠半年報陸續(xù)出爐,每股純益以專注工控領(lǐng)域的宜鼎的6.61元(新臺幣,下同)暫居冠軍。品牌廠中,十銓上半年每股純益2.02元,表現(xiàn)亮眼;宇瞻也達1.95元,獲利穩(wěn)健。
存儲器模組廠首季受到各類存儲器芯片報價仍處于高檔,導致成本墊高,應用端除了工控領(lǐng)域和筆電用固態(tài)硬盤(SSD)滲透率拉升,加上電競市場持續(xù)成長等有利因素,因各家營運策略不同,營運表現(xiàn)也不同調(diào)。
這兩年DRAM內(nèi)存、NAND閃存行業(yè)的瘋狂激蕩大家都看在眼里。內(nèi)存尤其夸張,價格持續(xù)飆升。閃存方面倒是基本穩(wěn)定了,但市場需求持續(xù)異常旺盛。兩大行業(yè)空前火熱,從業(yè)者自然也是賺得盆滿缽滿。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)IC Insight的最新報告,2018年全球前DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)總價值預計將達1016億美元,年增幅高達39%,繼續(xù)穩(wěn)居第一,占全年整個IC行業(yè)的多達24%。
報告稱,今年全球半導體銷售總額將達4280億美元,其中DRAM所占比重將達24%,若加上NAND閃存的市場份額,兩大存儲器在半導體市場上占比將高達38%。
近期以來,在快閃存儲器(Nand Flash)市場競爭激烈的情況下,各家廠商開始尋求新技術(shù)的產(chǎn)品來滿足市場的需求。因此,廠商們都開始將目光轉(zhuǎn)向了QLC架構(gòu)的快閃存儲器上。之前包括英特爾(Intel)、美光(Micron)、西數(shù)(WD)、東芝(Toshiba)等大廠就已經(jīng)宣布推出了QLC架構(gòu)的快閃存儲器,現(xiàn)在三星也正式宣布量產(chǎn)首款搭載QLC快閃存儲器的SSD。