存儲器

聯(lián)電和美商合作范疇擴(kuò)展至28納米以下的制程技術(shù)

聯(lián)電6日與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式存儲器的磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。同時聯(lián)電也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司。

國家存儲器飛速發(fā)展

據(jù)悉，長江存儲于2017年成功研發(fā)中國首顆32層三維NAND閃存芯片，并獲得中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。

MCS-51單片機(jī)存儲器的組成

1、 程序存儲器片內(nèi)程序存儲器片外程序存儲器2、 數(shù)據(jù)存儲器片內(nèi)RAM 128B片外RAM max64KB3、 特殊功能寄存器（SFR）4、 位存儲器

武漢光谷創(chuàng)新之路：自主32層3D NAND即將量產(chǎn)

武漢是長江的水運(yùn)中樞，如何共抓大保護(hù)，不搞大開發(fā)，改變舊有發(fā)展模式，將生態(tài)理念完整內(nèi)嵌到高質(zhì)量發(fā)展的經(jīng)濟(jì)邏輯中?武漢光谷正在嘗試一條以綠色、創(chuàng)新發(fā)展為引領(lǐng)的路子。

我國自主研發(fā)的32層三維NAND閃存芯片將于今年四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

在位于武漢東湖高新區(qū)的長江存儲科技有限責(zé)任公司(國家存儲器基地)，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國首批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

東芝存儲器株式會社首個半導(dǎo)體制造工廠開工 主要生產(chǎn)3D快閃存儲器

存儲器解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社(Toshiba Memory Corporation)昨日在日本東北部的巖手縣北上市舉行首個半導(dǎo)體制造工廠(晶圓廠)K1的奠基典禮。該工廠將于2019年秋季竣工，屆時將成為全球最先進(jìn)的制造工廠之一，專門從事3D快閃存儲器的生產(chǎn)。

降功效，提速度，三維垂直型存儲器設(shè)計領(lǐng)域取得進(jìn)展

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲器課題組針對三維垂直型存儲器，從理論上總結(jié)了芯片速度受限的原因和偏置方法的相關(guān)影響，提出了新型的偏置方法和核心電路，相關(guān)成果以研究長文的形式發(fā)表在2018年7月的國際超大規(guī)模集成電路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, pp. 1268-1276]上。審稿人認(rèn)為，該論文首次將動態(tài)仿真應(yīng)用于三維垂直型存儲器。

力成布局先進(jìn)封裝 技術(shù)涵蓋2025年市場需求

存儲器封測廠力成24日召開法說會，董事長蔡篤恭表示，力成近年積極布局發(fā)展先進(jìn)封裝，現(xiàn)有技術(shù)已足以涵蓋至2025年市場需求，目前已取得竹科5000坪土地，預(yù)計本季破土興建新廠，以迎接預(yù)期2020年浮現(xiàn)的營運(yùn)新成長動能。

一種抗SEU存儲器電路的FPGA設(shè)計

51單片機(jī)學(xué)習(xí)筆記:連續(xù)讀寫STC89C52RC內(nèi)部EEPROM存儲器

STC單片機(jī)的內(nèi)部EEPROM是用DATAFLASH模擬出來的,不是真正的EEPROM存儲器,不能用普通的方法來操作下面是一些注意點(diǎn):1.字節(jié)寫之前要先將這個字節(jié)所在扇區(qū)的其它有效數(shù)據(jù)讀取到RAM暫存(這步不是必須的)2.暫存完之后再對

速度猛升50% 三星宣布量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲器

量產(chǎn)的 8Gb LPDDR5 顆粒速率達(dá)到了 6,400Mbps(6.4Gbps)，相比目前最快的 LPDDR4X-4266 存儲器快了 50%，頻寬可達(dá) 512GB/s。三星目前預(yù)計供應(yīng)兩種速率的 LPDDR5 存儲器，一種是速率 6,400Mbps 的，電壓 1.1V。另一種是電壓 1.05V 的，速率 5 500Mbps，更加節(jié)能。

STM32驅(qū)動W25X64存儲器

W25X64 是華邦公司推出的大容量SPI FLASH 產(chǎn)品，W25X64 的容量為 64Mbit(8M)，該系列還有 W25Q80/16/32 等。W25X16,W25X32,W25X64分別有8192,16384,32768個可編程頁,每頁256字節(jié),用扇區(qū)擦除指令每次可以擦除16頁,用塊

三星正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲器

據(jù)悉，第5代V-NAND快閃存儲器除了采用全新Toggle DDR 4.0傳輸界面提升速率之外，也進(jìn)一步強(qiáng)化性能和功耗，其工作電壓從1.8V降至1.2V，寫入速度也高達(dá)500us，比上一代V-NAND快閃存儲器提升了30%，而讀取速率的回應(yīng)時間也縮短到50us。

三星宣布量產(chǎn)第5代V-NAND 全力搶占90層TLC市場　

三星(Samsung)近日宣布正式量產(chǎn)第5代V-NAND快閃存儲器，第5代V-NAND 堆棧層數(shù)超過90層，且為首度支援Toggle DDR 4.0傳輸界面的NAND快閃存儲器，其單顆封裝的傳輸速度即可達(dá)1.4Gbps，相較于前一代64層的產(chǎn)品，傳輸速度提高了40%，并可實(shí)現(xiàn)更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

第五節(jié)：PIC系列單片機(jī)數(shù)據(jù)存儲器

PIC16C5X把數(shù)據(jù)存儲器RAM都當(dāng)作寄存器來使用以使尋址簡單明潔，它們功能上可分為操作寄存器、I/O寄存器、通用寄存器和特殊功用寄存器。它們的組織結(jié)構(gòu)如圖1.4所示：這些寄存器用代號F0～F79來表示。F0～

工信部部長：95%的高端專用芯片 70%以上存儲芯片依賴進(jìn)口

中國工業(yè)和信息化部副部長、國家制造強(qiáng)國建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室主任辛國斌13日在“2018國家制造強(qiáng)國建設(shè)專家論壇”上表示，一段時期以來，國內(nèi)外評價中國制造業(yè)發(fā)展成就，往往揚(yáng)長避短，片面夸大成績。中國制造業(yè)創(chuàng)新力不強(qiáng)，核心技術(shù)短缺的局面尚未根本改變。

單片機(jī)存儲器類型分析

data-----指單片機(jī)內(nèi)部自帶RAM空間xdata----指單片機(jī)外擴(kuò)RAM空間pdata----指單片機(jī)外擴(kuò)RAM空間中的頁面空間0x00~0xff（256字節(jié)/頁），頁地址由P2口決定。bit--------指RAM中位尋址空間0x20~0x7f地址單元。code-----指

鐵電存儲器在應(yīng)用中所起的作用

8051單片機(jī)存儲器的組織結(jié)構(gòu)是怎樣的？

8051存儲器包括程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器，從邏輯結(jié)構(gòu)上看，可以分為三個不同的空間：（1）64KB的程序存儲器地址空間：0000H~FFFFH，其中0000H~0FFFH為片內(nèi)4KB的ROM地址空間，1000H~FFFFH為外部ROM地址空間；（2）256B

利用永久性存儲器實(shí)現(xiàn)智能汽車功能的全面調(diào)用