晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團(tuán)隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術(shù)界的一大突破。

摩爾定律何時會失效？

北京時間10月16日消息，據(jù)國外媒體報道，1965年，英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾(GordonMoore)預(yù)測，計算機(jī)芯片的處理能力每兩年就會翻一番。盡管已經(jīng)過去40多年，摩爾定律仍然有效。多年來，英特爾科技和制造集團(tuán)副總裁

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2012-10-17

摩爾定律晶體管石墨烯英特爾
彩電開關(guān)電源的分析

目前在電器中使用最多的電源就是開關(guān)穩(wěn)壓電源，彩電、平板電視、顯示器、D V D 等等，開關(guān)電源的故障率也是很高的，工作在大電流、高電壓、大功率狀態(tài)。一、開關(guān)電源使用率

消費(fèi)電子
2012-10-11

開關(guān)電源光耦 BSP 晶體管
宜普公司開發(fā)板采用德州儀器公司專為驅(qū)動增強(qiáng)型氮化鎵晶體管而設(shè)的柵極驅(qū)動器

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出采用增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管的EPC9003及EPC9006開發(fā)板，展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動器可幫助工程師簡單地及以低成本從硅器件轉(zhuǎn)用氮化鎵技術(shù)

廠商文章
2012-10-11

開發(fā)板德州儀器公司柵極驅(qū)動器晶體管
格羅方德跟臺積電有拚

晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來臺嗆聲，全球營銷暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結(jié)合14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術(shù)，協(xié)助客戶加快行動裝置芯片上市時間。格羅方德指出

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2012-10-01

臺積電格羅方德 FINFET 晶體管
格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，「已可直接與英特爾競爭」，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺積電半個世代。格羅方德由微處

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2012-09-29

晶圓代工臺積電格羅方德晶體管
閱報秘書／3D鰭式晶體管

3D鰭式晶體管（FinFET）是1種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管，能讓芯片技術(shù)發(fā)展到10納米以下，晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術(shù)，更能凸顯其優(yōu)勢與競爭力。傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一

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2012-09-29

半導(dǎo)體閘門 CMOS 晶體管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖

電子設(shè)計自動化
2012-09-24

移動設(shè)備 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶體管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路

消費(fèi)電子
2012-09-24

移動設(shè)備 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶體管
GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES推出用于下一代移動設(shè)備的優(yōu)化的 FinFET 晶體管架構(gòu)。公司的 14 納米路線圖加速客戶使用 FinFET 技術(shù)。 GLOBALFOUNDRIES 日前推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路

消費(fèi)電子
2012-09-24

移動設(shè)備 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶體管
GF推出用于下一代移動設(shè)備晶體管架構(gòu)

中國上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進(jìn)一步拓展其頂尖的技術(shù)線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術(shù)將為客戶展現(xiàn)三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風(fēng)

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2012-09-24

移動設(shè)備 FINFET GLOBALFOUNDRIES 晶體管
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

消費(fèi)電子
2012-09-19

處理器制程技術(shù) 晶體管英特爾
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

消費(fèi)電子
2012-09-19

處理器制程技術(shù) 晶體管英特爾
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

嵌入式動態(tài)
2012-09-19

處理器制程技術(shù) 晶體管英特爾
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會，公司高級研究員MarkBohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

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2012-09-18

處理器制程技術(shù) 晶體管英特爾
英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術(shù)應(yīng)用于制造中央處理器以及SoCs的計劃，以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術(shù)。在舊金山舉行的英特爾信息技術(shù)峰會，公司高級研究員Mark Bohr表示技術(shù)路標(biāo)展示了因特爾在

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2012-09-18

處理器制程技術(shù) 晶體管英特爾
硅溫度傳感器的工作原理

溫度傳感器目前分為傳統(tǒng)溫度傳感器和基于硅的溫度傳感器。傳統(tǒng)溫度傳感器包括熱敏電阻、電阻溫度檢測器和熱電偶。這些器件是模擬器件，而溫度傳感器沒有必要一定是模擬器件。基于硅的溫度傳感器能夠精確輸出其測量溫

工業(yè)控制
2012-09-17

溫度傳感器發(fā)射極模擬器件晶體管
英特爾稱14納米工藝將于2013年底之前投產(chǎn)

據(jù)臺灣媒體報道，英特爾已經(jīng)宣布CPU和SoC的生產(chǎn)工藝將在2013年底升級到14納米制程，并從2015年開始10納米及更低制程的工藝研發(fā)。英特爾高級副總裁Mark Bohr在舊金山召開的英特爾開發(fā)者論壇大會（IDF）上展示了一張關(guān)

智能硬件
2012-09-17

CPU FAB 晶體管英特爾
20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)

過去一年中，Mentor公司實現(xiàn)了10億美元的營業(yè)額。并在20nm設(shè)計、3DIC、DFM(可制造設(shè)計)、DFT(可測試設(shè)計)、SoC驗證方面都有很大進(jìn)展。在北京的MentorForum期間，筆者就目前設(shè)計業(yè)的一些困惑，詢問了Mentor的掌舵人。

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2012-09-13

IC MENTOR PATTERN 晶體管
世界最小的晶體管封裝VML0806開始量產(chǎn)

OFweek電子工程網(wǎng)，2012年9月11日訊 -- 近日，日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)等各種要求小巧、輕薄的電子設(shè)備，開始量產(chǎn)世界最小尺寸的晶體管封裝"VML0806"(0.8mm×0.6mm，高度

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2012-09-13

信號封裝羅姆晶體管
低成本高性能的RED2102大功率節(jié)能燈

標(biāo)簽：LED 照明光源雖然今年LED照明燈的發(fā)展異常迅猛，但由于LED方案的成本、技術(shù)等原因，目前還不能完全替代節(jié)能燈，尤其是替代大功率的節(jié)能燈還尚需時日。因此，研究開發(fā)低成本高性能的大功率節(jié)能燈仍然很有必要

顯示光電
2012-09-12

大功率 BSP APFC 晶體管

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晶體管

摩爾定律何時會失效？

彩電開關(guān)電源的分析

宜普公司開發(fā)板采用德州儀器公司專為驅(qū)動增強(qiáng)型氮化鎵晶體管而設(shè)的柵極驅(qū)動器

格羅方德跟臺積電有拚

格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺積電

閱報秘書／3D鰭式晶體管

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GLOBALFOUNDRIES用于下一代移動設(shè)備的FinFET晶體管架構(gòu)

GF推出用于下一代移動設(shè)備晶體管架構(gòu)

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

英特爾14納米處理器2013年投產(chǎn) 10納米緊隨其后

硅溫度傳感器的工作原理

英特爾稱14納米工藝將于2013年底之前投產(chǎn)

20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)

世界最小的晶體管封裝VML0806開始量產(chǎn)

低成本高性能的RED2102大功率節(jié)能燈

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