晶體管

選頻光電繼電器電路圖

此電路可借助于調(diào)制光信號控制繼電器。調(diào)制頻率約2.7kHz。接收電路的選擇性決定于兩個并聯(lián)的T型網(wǎng)絡(luò)（圖b）。其中RC元件參數(shù)決定了以2.7kHz為中心的很窄的截止頻帶。對于頻帶以外的信號，通過第二個晶體管BC108的發(fā)射

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑

高頻硅PNP晶體管3CG120高溫失效機(jī)理研究

摘要：為了保證在高溫條件下，正確使用高頻硅PNP晶體管3CG120，文中對3CG120在不同溫度段的失效機(jī)理進(jìn)行了研究。通過對硅PNP型晶體管3CG120進(jìn)行170～340℃溫度范圍內(nèi)序進(jìn)應(yīng)力加速壽命試驗，發(fā)現(xiàn)在170～240℃，240～2

恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

中國上海，7月30日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)今日宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管

晶體管交直流參數(shù)對電路設(shè)計的影響

　在電路中，不管晶體管是工作在直流工作狀態(tài)還是交流工作狀態(tài)，正確選擇晶體管的直流參數(shù)是很重要的。也就是說，應(yīng)根據(jù)工作環(huán)境中直流電路的工作狀態(tài)要求，對晶體管進(jìn)行最基礎(chǔ)的選擇，確定晶體管的工作電壓，工作電

面板分等級概念液晶面板鑒別四個方面

標(biāo)簽：.面板鑒別 液晶面板1.液晶面板的壞點在未介紹液晶面板的等級之前，筆者先為各位讀者介紹液晶面板上所存在的“壞點”的具體概念，以便于后面以此為根據(jù)來區(qū)分液晶面板的等級。液晶面板是由大量的像素

增壓電路分析

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來。設(shè)計這種電路是為了用LED對手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

使用晶體管開關(guān)器件的升壓型開關(guān)電源電路圖

圖上的電路是把Tr1換為晶體管，并插入限制基極電流的電阻R0.這樣的電路即使只有1節(jié)錳電池的輸入電壓（約等于1.5V）也能夠充分工作（使74HC14在1.5V下工作是違規(guī)的）。但是由于必須流過較大的基極電流，所以電路的效率

采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源電路圖

該電路由穩(wěn)壓管D1、晶體管T以及電阻R1、R2構(gòu)成恒流源，可供給由基準(zhǔn)二極管D2和負(fù)載電阻Rl（這里為68k歐）構(gòu)成的并聯(lián)電路電流約7.6mA。由于D1上電流遠(yuǎn)大于晶體管的基-射極電流而D1中的電流又設(shè)計得很大（5mA），因此，

恩智浦?jǐn)U大DFN1006超小型封裝晶體管的產(chǎn)品陣容

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)日前宣布擴(kuò)大了其超小型分立式薄型無引腳封裝DFN1006B-3 (SOT883B)的晶體管產(chǎn)品陣容。目前，恩智浦提供60款雙極性晶體管(BJT)和12款小信號單N/P溝道MOSFET產(chǎn)品，均采用

新型晶體管特性圖示儀掃描信號發(fā)生器電路設(shè)計

引 言晶體管特性圖示儀是電子測量常用儀器之一，日前通用的晶體管特性圖示儀的掃描信號和階梯信號由50 Hz工頻市電變換而來，掃描頻率低，顯示的特性曲線閃爍嚴(yán)重，穩(wěn)定性差;X軸掃描為正弦脈沖，線性度差，在顯示晶體

運算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源電路圖

電路由于采用達(dá)林頓晶體管BSY86后輸出電流較大。輸出電流最大值由電阻R=150歐限制，輸出電流的大小由電位器RP1調(diào)節(jié)，并且與負(fù)載電阻Rl無關(guān)而保持常數(shù)。圖中電位器RP1采用10k歐，電流可在5uA～40mA范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。運算放

運算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源電路圖

電路由于采用達(dá)林頓晶體管BSY86后輸出電流較大。輸出電流最大值由電阻R=150歐限制，輸出電流的大小由電位器RP1調(diào)節(jié)，并且與負(fù)載電阻Rl無關(guān)而保持常數(shù)。圖中電位器RP1采用10k歐，電流可在5uA～40mA范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。運算放

分享晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

追隨離職上司跳槽？

段時間以來，由于中國區(qū)總裁周鴻的離職，被阿里巴巴收購的雅虎中國流傳著副總裁齊向東與田健將追隨周離職的消息。近日雅虎中國副總裁、3721總經(jīng)理齊向東正式辭去在雅虎中國的所有職務(wù)，他證實說，自己不會追隨周鴻煒

晶體管混頻器電路03

晶體管混頻器電路02

晶體管混頻器電路01