晶體管

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晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。

LDO線性穩(wěn)壓器拓撲結構及分類

LDO線性穩(wěn)壓器通常被設計工程師作為輔助措施，并且經(jīng)常被選用于產(chǎn)品開發(fā)的后期階段。設計工程師比較關注的是如何使復雜的基頻(BB) 或射頻( RF )ASIC 發(fā)揮作用，而不是其所選

線性電源
2012-12-17

拓撲 LDO線性穩(wěn)壓器器件晶體管
臺積電在硅基板上實現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實良好的晶體管特性

臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）在“IEDM 2012”上公布，使用與硅基FinFET相同的工藝技術在硅基板上制成了鍺溝道FinFET，并獲得了出色的晶體管特性（論文編號：23.5）。臺積電表示，電導率/

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2012-12-17

臺積電硅基基板晶體管
ARM悠著點英特爾準備將3D晶體管技術引入移動處理器

沒能趕上移動處理器市場蓬勃發(fā)展的快班車，大概是英特爾近年來最大的失誤?，F(xiàn)在ARM不但占據(jù)了利潤豐厚的手機/平板處理器業(yè)務，還反過來對英特爾的傳統(tǒng)業(yè)務（服務器等）虎視眈眈。作為業(yè)界老大，英特爾豈能咽下這口氣

消費電子
2012-12-16

移動 ARM 處理器晶體管
電源噪聲的危害性分析

芯片發(fā)展的一個大趨勢就是集成度越來越高，內(nèi)部晶體管數(shù)量越來越大。芯片的外部引腳數(shù)量有限，為每一個晶體管提供單獨的供電引腳是不現(xiàn)實的。芯片的外部電源引腳提供給內(nèi)部

電源
2012-12-12

芯片引腳電源噪聲晶體管
一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

控制電路
2012-12-11

電路圖電流控制 WIDTH 晶體管
功率放大電路概述

前面討論的各種放大電路的主要任務是使負載上獲得盡可能大的不大真電壓信號，它們的主要指標是電壓放大倍數(shù)。而功率放大電路的主要任務則是，在允許的失真限度內(nèi)，盡可能高效率地向負載提供足夠大的功率。因此，功率

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2012-12-11

輸出功率靜態(tài)工作點功率放大電路晶體管
美研制出新型“4維”晶體管

據(jù)物理學家組織網(wǎng)12月6日（北京時間）報道，美國普渡大學和哈佛大學的研究人員推出了一項極為應景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”（柵極）的長度縮減到了突破性的20納

消費電子
2012-12-11

計算機 MDASH 晶體管
臺積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

在“SEMICONJapan2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國際會展中心）開幕當天，臺積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(CliffHou)登臺發(fā)表了主題演講，公布了該公司關于16～10nmFinFET工藝及CoWoS（chiponwaferonsubstrate，晶圓

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2012-12-10

臺積電 IC FINFET 晶體管
三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，

消費電子
2012-12-10

三星臺積電納米技術晶體管
臺積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

在“SEMICON Japan 2012”（2012年12月5～7日，幕張MESSE國際會展中心）開幕當天，臺積電研發(fā)副總經(jīng)理侯永清(Cliff Hou)登臺發(fā)表了主題演講，公布了該公司關于16～10nm FinFET工藝及CoWoS（chip on wafer on substra

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2012-12-10

臺積電 IC FINFET 晶體管
三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

電子設計自動化
2012-12-09

三星臺積電納米技術晶體管
基于全耗盡平面晶體管技術的NovaThor平臺設計

隨著智能手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機的標配。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航能力至少

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2012-12-07

泄漏電流 HP NOVA 晶體管
三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

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2012-12-07

三星臺積電納米技術晶體管
三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

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2012-12-07

三星臺積電納米技術晶體管
三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出

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2012-12-06

三星臺積電納米技術晶體管
聯(lián)電否認格羅方德參股傳言

晶圓代工廠聯(lián)電今天否認格羅方德(GlobalFoundries)參股的傳言，表示雙方并沒有就參股進行討論。媒體報導，外資圈傳出，格羅方德可能與聯(lián)電策略聯(lián)盟，初期由格羅方德參股聯(lián)電，未來進一步交叉持股。聯(lián)電指出，14納

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2012-12-06

IBM 聯(lián)電格羅方德晶體管
用微變等效電路法分析放大電路

用微變等效電路分析法分析放大電路的關鍵在于正確地畫出放大電路的微變等效電路。具體方法是：首先畫出放大電路的交流通路，然后用晶體管的簡化h參數(shù)等效電路代替晶體管，并標明電壓、電流的參考方向。應用微變等效電

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2012-12-06

放大電路電路分析微變等效電路晶體管
晶體管的微變等效電路

得到了晶體管的h參數(shù)后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖Z0214是晶體管的h參數(shù)等效電路。關于h參數(shù)等效電路，應注意以下幾點：（1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正；（2）電路中出現(xiàn)了受

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2012-12-06

控制低頻微變等效電路晶體管
晶體管的h參數(shù)

在合理設置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路。如圖Z0212所示。晶體管的端口電壓和電流的關系可表示為如圖Z0213所示。h 參數(shù)的定義如圖Z0213。hie、hre、hfe、hoe 這4個參數(shù)稱

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2012-12-06

控制輸出電壓 CE 晶體管
輸出電壓的最大幅度與非線性失真分析

一、輸出電壓的最大幅度由圖Z0208所示（見十五）的分析過程可以看出，放大電路輸出信號電壓的幅度受到飽和區(qū)和截止區(qū)的限制。在給定電路參數(shù)的條件下，輸出電壓不產(chǎn)生明顯失真時的幅值稱為最大輸出幅度，常用峰值或峰

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2012-12-06

放大電路線性輸出電壓晶體管

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晶體管

LDO線性穩(wěn)壓器拓撲結構及分類

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一款由分立晶體管的電流控制的方式電路圖

功率放大電路概述

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臺積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

臺積電公布16-10nm FinFET及3D IC提供日程

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

基于全耗盡平面晶體管技術的NovaThor平臺設計

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

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聯(lián)電否認格羅方德參股傳言

用微變等效電路法分析放大電路

晶體管的微變等效電路

晶體管的h參數(shù)

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