晶體管

晶體管觸發(fā)電路

高低壓復(fù)合晶體管脈沖電源電路

等脈沖晶體管馬車電源原理圖電路

從屬型晶體管脈沖電源原理圖電路

JF-40A晶體管脈沖電源前置放大器原理圖電路

采用三只晶體管的調(diào)幅電路

可伸縮石墨烯晶體管 克傳統(tǒng)半導(dǎo)體缺陷

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，韓國科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機(jī)械和電性質(zhì)，新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成的晶體管面臨的很多問題。相關(guān)研究

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7nm節(jié)點;但在7nm節(jié)點以下

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

半導(dǎo)體制程再微縮 經(jīng)濟(jì)效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點；但在 7納米

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點，但在 7

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點，但在 7納米

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點；但在 7納米

22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達(dá)7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

賽靈思發(fā)布利用68億個晶體管打造的可編程邏輯器件

21ic訊 賽靈思公司 （Xilinx, Inc.）日前宣布推出首批 Virtex®-7 2000T FPGA，這是利用68 億個晶體管打造的世界容量最大的可編程邏輯器件，為客戶提供了無與倫比的200 萬個邏輯單元，相當(dāng)于 2,000 萬個 ASIC 門，

22納米3D晶體管技術(shù)

Intel在微處理器晶體管設(shè)計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，使

英特爾3D三柵極晶體管設(shè)計獲年度科技創(chuàng)新獎

10月21日上午消息，《華爾街日報》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變。這項革命性成果，其關(guān)鍵

Intel：22nm Ivy Bridge已開始量產(chǎn)

Intel在昨日的季度財務(wù)會議上公開確認(rèn)，下一代新工藝22nm已經(jīng)正式投入批量生產(chǎn)。3-D立體晶體管就要來了，IvyBridge就要來了。IntelCEOPaulOtellini告訴分析人士：“第三季度內(nèi)，我們使用22nm工藝開始了IvyBridge的量