當(dāng)MEMS在汽車電子和消費(fèi)電子領(lǐng)域均呈現(xiàn)相對(duì)樂(lè)觀的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)時(shí),整體MEMS產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)又將如何?法國(guó)MEMS專業(yè)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement指出,MEMS產(chǎn)品應(yīng)用雖然相當(dāng)多樣化,但是主要產(chǎn)量還是由特定幾家廠商所主
中美晶董事長(zhǎng)盧明光表示,隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)景氣從去年5、6月開(kāi)始回升,公司已陸續(xù)完成內(nèi)部工程和機(jī)器進(jìn)駐,剛好趕上今年這波景氣爆發(fā)的熱潮。 圖/美聯(lián)社 中美晶董事長(zhǎng)盧明光表示,隨著太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)景氣從去年5、6 月開(kāi)
晶圓代工龍頭臺(tái)積電打破五窮六絕魔咒,第二季營(yíng)收月月創(chuàng)新高,超越第二季財(cái)測(cè)高標(biāo)。由于臺(tái)積電營(yíng)收和獲利均創(chuàng)新高,法人預(yù)期,帶動(dòng)上游設(shè)備、硅晶圓以及下游封測(cè)業(yè)者業(yè)績(jī)表現(xiàn)。 雖然6月有年中盤點(diǎn)效應(yīng),且半導(dǎo)體市
由于晶圓廠第3季接單滿手,第4季雖然不同客戶因庫(kù)存水位高低而有下單增減情況,惟目前看來(lái),第4季投片情況與第3季比較并無(wú)明顯下滑跡象,有利于封測(cè)廠接單。不過(guò),封測(cè)廠因產(chǎn)能滿載,第3季業(yè)績(jī)成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去傳統(tǒng)旺
測(cè)試大廠京元電子(2449)昨(5)日公布6月?tīng)I(yíng)收達(dá)13.12億元、創(chuàng)下歷史新高,第2季營(yíng)收合計(jì)達(dá)37.91億元,與第1季33.41億元營(yíng)收相較,季增率達(dá)13.5%,高于先前市場(chǎng)預(yù)期的季增10%幅度。 由于上游晶圓代工廠臺(tái)積
繼封裝測(cè)試廠大幅拉高今年資本支出之后,晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電也有意提高今年資本支出。受惠于半導(dǎo)體廠進(jìn)入密集擴(kuò)產(chǎn)期,包括思源(2473)、旺硅(6223)、萬(wàn)潤(rùn)(6187)、久元(6261)、漢唐(2404)等資本支出概念股
編者點(diǎn)評(píng):英特爾欲在以色列建第二座晶園廠,希望以色列政府能補(bǔ)貼4億美元。反映建晶園廠提供補(bǔ)貼是正常的事。如果中芯國(guó)際在北京再建12英寸廠,北京市政府該補(bǔ)貼多少呢?另外,從外界看以色列連年的戰(zhàn)火不斷,如何來(lái)
繼封裝測(cè)試廠大幅拉高今年資本支出之后,晶圓雙雄臺(tái)積電、聯(lián)電也有意提高今年資本支出。受惠于半導(dǎo)體廠進(jìn)入密集擴(kuò)產(chǎn)期,包括思源(2473)、旺硅(6223)、萬(wàn)潤(rùn)(6187)、久元(6261)、漢唐(2404)等資本支出概念
業(yè)界消息指出,大廠英特爾(Intel)正在與以色列工業(yè)部(Ministry of Industry)洽談?dòng)诋?dāng)?shù)豄iryat Gat設(shè)置晶圓廠事宜。據(jù)了解,英特爾尋求以色列政府提供4億美元的補(bǔ)助;而該座將落腳在以色列南部、也是英特爾在以色列的
臺(tái)積電昨(1)日公告,于今年5月31日至7月1日之間,以約新臺(tái)幣 5.53億元價(jià)格,向韓國(guó)DRAM大廠海力士(Hynix)美國(guó)分公司取得部分廠務(wù)及工程設(shè)備一批。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將把相關(guān)自動(dòng)化工程設(shè)備應(yīng)用在自有的晶圓廠中,設(shè)備商
據(jù)報(bào)道,Intel目前正在與以色列工業(yè)、貿(mào)易和勞工部進(jìn)行探討,計(jì)劃再那里再建一座新的晶圓廠。Intel希望新工廠也能建在以色列南部小鎮(zhèn)水牛城 (Kiryat Gat),緊挨其現(xiàn)有工廠Fab 28。這是Intel全球范圍內(nèi)的第二座45nm、
臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓雙雄宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體業(yè)者6月?tīng)I(yíng)收皆可望再度改寫歷史新高紀(jì)錄。不過(guò),上游磊晶廠全新光電科技則無(wú) 法同步跟進(jìn),預(yù)期單月?tīng)I(yíng)收將維持在高點(diǎn)水平,公司下一波攀頂動(dòng)能則可望在7月出現(xiàn)。且不論
針對(duì)經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)已核準(zhǔn)臺(tái)積電(2330)取得上海中芯國(guó)際股權(quán)案,成為半導(dǎo)體業(yè)西進(jìn)政策松綁后首例,康和證券認(rèn)為,晶圓代工西進(jìn)的解凍對(duì)其成本下降空間有限。 康和證券認(rèn)為,晶圓代工西進(jìn)解凍,將有助未來(lái)臺(tái)積電
6月29日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”昨日通過(guò)了臺(tái)積電間接參股中芯國(guó)際約取得8%股權(quán)的申請(qǐng),這是臺(tái)灣核準(zhǔn)的第一個(gè)參股大陸12寸晶圓廠的案例。證券專家昨天統(tǒng)計(jì),若臺(tái)積電順利取得中芯國(guó)際贈(zèng)與的股
中芯國(guó)際公司座落上海浦東張江科技園區(qū)的廠區(qū)。 (本報(bào)系資料照片) 經(jīng)濟(jì)部投審會(huì)昨(28)日核準(zhǔn)臺(tái)積電間接參股中芯國(guó)際(上海)等十家公司,約取得8%的股權(quán)。投審會(huì)執(zhí)行秘書范良棟說(shuō):「這是政府核準(zhǔn)的第一個(gè)參
臺(tái)塑集團(tuán)旗下的半導(dǎo)體硅晶圓廠商臺(tái)勝科(3532)于28日召開(kāi)股東常會(huì),董事長(zhǎng)李志村表示,臺(tái)勝科今年以來(lái)不論在八吋廠或十二吋廠都是滿載生產(chǎn),但目前還不夠的是「價(jià)格還需要再上漲」,李志村表示,臺(tái)勝科自今年1月起就恢
SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))日前發(fā)布之SEMI World Fab Watch報(bào)告顯示,2010年晶圓廠支出將比去年增加117%,達(dá)355.14億美元,其中LED晶圓廠資本支出成長(zhǎng)驚人,今明兩年產(chǎn)能則預(yù)估分別成長(zhǎng) 33%和24%。而強(qiáng)勁的晶
根據(jù)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))的最新Book-to-Bill訂單出貨報(bào)告,2010年5月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商三個(gè)月平均訂單金額為14.8億美元,B/B值(Book-to-BillRatio,訂單出貨比)為1.12.該報(bào)告指出,北美半導(dǎo)體設(shè)
茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品,預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63納米制程,年底前拉至3.5萬(wàn)片水平,同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45納米制程,屆時(shí)考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片
茂德宣布成功在中科12寸晶圓廠試產(chǎn)爾必達(dá)(Elpida)的63納米1Gb容量DDR3產(chǎn)品,預(yù)計(jì)8月開(kāi)始會(huì)大量導(dǎo)入63納米制程,年底前拉至3.5萬(wàn)片水平,同時(shí)預(yù)計(jì)在2011年下半導(dǎo)入45納米制程,屆時(shí)考慮將12寸晶圓廠的產(chǎn)能擴(kuò)充至8萬(wàn)片