-
聯(lián)電創(chuàng)辦人曹興誠：臺廠拼轉(zhuǎn)型沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設(shè)計與服務(wù)的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應(yīng)該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
-
曹興誠：臺廠拚轉(zhuǎn)型 沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設(shè)計與服務(wù)的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應(yīng)該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
-
曹興誠：臺廠拚轉(zhuǎn)型 沖硬體軟實力
聯(lián)電榮譽董事長曹興誠說，臺灣近期一直談臺日企業(yè)聯(lián)盟，但科技界發(fā)展的趨勢已經(jīng)改變，具有創(chuàng)意、設(shè)計與服務(wù)的硬體產(chǎn)品才有賣點，日本在此卻是處于弱勢，臺灣企業(yè)應(yīng)該放棄追求營收成長，改做有專精性的產(chǎn)品，才能把餅
-
趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
-
趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
-
趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3DIC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依WideI/O、混合記憶體立方體(HMC)等
-
爭食2.5D/3D IC商機大餅 聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3DIC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依WideI/O、混合記憶體立方體(HMC)等
-
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關(guān)
-
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的伙伴關(guān)
-
聯(lián)電3D IC年底產(chǎn)品級封測
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON臺灣展會期間發(fā)表3D IC 技術(shù)趨勢與進展。聯(lián)電企業(yè)行銷總監(jiān)黃克勤表示，聯(lián)電克服開發(fā)初期制程問題，今年年底3D IC將進行產(chǎn)品級封裝與測試。他說明了聯(lián)電在3D IC方面的最新進展。聯(lián)電3D
-
趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)
聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅，聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù)，將采Via-Middle方式，在晶圓完成后旋即穿孔，再交由封測廠依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)
-
野村：移動裝置扮動能 聯(lián)電Q4營收季減5-10%
聯(lián)電(2303)公布8月營收，微幅月增1.93%、來到97.99億元，年增19.49%，創(chuàng)下近20個月以來新高。而聯(lián)電目前第3季累積營收已達194.12億元，也已達第2季營收的7成。野村(NOMURA)即出具最新報告指出，聯(lián)電第3季財測達陣的機
-
野村：手持裝置扮動能聯(lián)電Q4營收季減5-10%
聯(lián)電 (2303)公布8月營收，微幅月增1.93%、來到97.99億元，年增19.49%，創(chuàng)下近20個月以來新高。而聯(lián)電目前第3季累積營收已達194.12億元，也已達第2季營收的7成。野村( NOMURA )即出具最新報告指出，聯(lián)電第3季財測達陣
-
8月營收／聯(lián)電連六升 攀近兩年高點
半導(dǎo)體景氣轉(zhuǎn)緩，但晶圓代工廠聯(lián)電（2303）在通訊應(yīng)用的急單幫助下，昨（7 ）日公布8月營收來到97.98億元，不但是今年連續(xù)第6個月成長，也創(chuàng)下近20個月來新高。 據(jù)了解，半導(dǎo)體景氣下半年趨緩，客戶下單前置作業(yè)期
-
聯(lián)電8月營收連6月成長逼近100億元大關(guān)月增1.93%
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(7)日公告8月自結(jié)營收97.99億元，來到近20個月高點位階，并為今年連續(xù)6個月的成長；月增1.93 %，續(xù)逼進100億元，并較去年同期增19.49%。 聯(lián)電第2季營收為276.1億元、業(yè)績已呈現(xiàn)逐月攀高走勢
-
聯(lián)電8月營收微增1.9%，近20個月新高
聯(lián)電 (2303)公布8月營收，微幅月增1.93%來到97.99億元，年增19.49%，創(chuàng)下近20個月以來新高。而聯(lián)電目前7月及8月合計營收194.12億元，已達第2季營收的7成，可望達成先前聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉于法說會上所提出，第3季受益于
-
聯(lián)電/意法攜手開發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術(shù)
聯(lián)電 (2303)于今(6日)宣布，與意法半導(dǎo)體合作65 奈米 CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。事實上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴
-
聯(lián)電、意法攜手開發(fā)65奈米影像感測器制程
記者楊伶雯／臺北報導(dǎo) 聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。雙方先前已順利在聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，這次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關(guān)系。
-
聯(lián)電攜手意法半導(dǎo)體開發(fā)65奈米BSI CMOS制程
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(6)日宣布，與意法半導(dǎo)體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術(shù)。雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗，此次合作將更進一步擴展
-
臺積電、聯(lián)電發(fā)表新趨勢演說 三星旁聽
而臺積電((US-TSM))(2330)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長劉德音今(5)日也首度在論壇期間與供應(yīng)鏈夥伴發(fā)表談話。 臺積電針對市場趨勢提出看法，而三星與其供應(yīng)鏈夥伴也到場旁聽。 IHS iSuppli 報告顯示蘋果((US-AAPL))已
