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Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)全球行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)副總麥克(Michael Noonen)表示，預(yù)計(jì)將在2015年開(kāi)始獲利，屆時(shí)也將對(duì)外公開(kāi)上市(IPO)，半導(dǎo)體界人士解讀，格羅方德一旦對(duì)外募資，將對(duì)臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電形成資

消費(fèi)電子
2012-11-23

臺(tái)積電聯(lián)電 IP GLOBALFOUNDRIES
Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)全球行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)副總麥克(Michael Noonen)表示，預(yù)計(jì)將在2015年開(kāi)始獲利，屆時(shí)也將對(duì)外公開(kāi)上市(IPO)，半導(dǎo)體界人士解讀，格羅方德一旦對(duì)外募資，將對(duì)臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電形成資金

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-11-23

臺(tái)積電聯(lián)電 IP GLOBALFOUNDRIES
聯(lián)電推SRAM 80納米SDDI制程，攻智能型手機(jī)市場(chǎng)

聯(lián)電(2303)推出具備競(jìng)爭(zhēng)力的SRAM 80納米SDDI晶圓專(zhuān)工制程，此技術(shù)將賦予次世代智能型手機(jī)屏幕高畫(huà)質(zhì)優(yōu)勢(shì)。此制程現(xiàn)已準(zhǔn)備量產(chǎn)，并與數(shù)家主要客戶(hù)針對(duì)HD720/WXGA畫(huà)質(zhì)的智能型手機(jī)產(chǎn)品合作中。聯(lián)電宣布，推出新一代8

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2012-11-23

手機(jī)市場(chǎng) 智能型 SRAM 聯(lián)電
聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

業(yè)界傳出，聯(lián)電新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文上任后，內(nèi)部將進(jìn)行組織小幅改組，顏博文過(guò)去的12寸營(yíng)運(yùn)資深副總職缺，可能由現(xiàn)任先進(jìn)制程副總陳一浸接任，工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支持副總簡(jiǎn)山杰可能升任研發(fā)長(zhǎng)，兩人共同扛起聯(lián)電布局

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2012-11-23

半導(dǎo)體中芯先進(jìn)制程聯(lián)電
聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

業(yè)界傳出，聯(lián)電新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文上任后，內(nèi)部將進(jìn)行組織小幅改組，顏博文過(guò)去的12寸營(yíng)運(yùn)資深副總職缺，可能由現(xiàn)任先進(jìn)制程副總陳一浸接任，工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支援副總簡(jiǎn)山杰可能升任研發(fā)長(zhǎng)，兩人共同扛起聯(lián)電布局

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2012-11-22

半導(dǎo)體中芯先進(jìn)制程聯(lián)電
Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）全球行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)副總麥克（MichaelNoonen）表示，預(yù)計(jì)將在2015年開(kāi)始獲利，屆時(shí)也將對(duì)外公開(kāi)上市（IPO），半導(dǎo)體界人士解讀，格羅方德一旦對(duì)外募資，將對(duì)臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電形

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2012-11-22

臺(tái)積電聯(lián)電 IP GLOBALFOUNDRIES
聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

業(yè)界傳出，聯(lián)電新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文上任后，內(nèi)部將進(jìn)行組織小幅改組，顏博文過(guò)去的12寸營(yíng)運(yùn)資深副總職缺，可能由現(xiàn)任先進(jìn)制程副總陳一浸接任，工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支援副總簡(jiǎn)山杰可能升任研發(fā)長(zhǎng)，兩人共同扛起聯(lián)電布局

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2012-11-22

半導(dǎo)體中芯先進(jìn)制程聯(lián)電
格羅方德計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

晶圓代工廠格羅方德（Globalfoundries）全球行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)副總麥克（Michael Noonen）表示，預(yù)計(jì)將在2015年開(kāi)始獲利，屆時(shí)也將對(duì)外公開(kāi)上市（IPO），半導(dǎo)體界人士解讀，格羅方德一旦對(duì)外募資，將對(duì)臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電

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2012-11-21

格羅方德臺(tái)積電聯(lián)電 IP
聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)由顏博文出任；孫世偉升任副董

聯(lián)電 (2330)今(19)日舉行董事會(huì)，決議通過(guò)任命原資深副總經(jīng)理顏博文為新任執(zhí)行長(zhǎng)，前執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉博士則升任為副董事長(zhǎng)。聯(lián)電指出，隨公司于南科 12吋晶圓廠區(qū)的投資及發(fā)展規(guī)模與 ??日俱增，將倚重新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文成

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2012-11-19

晶圓廠新加坡制程技術(shù) 聯(lián)電
資金需求大鴻海已發(fā)債230億

鴻海集團(tuán)基于入股夏普、力挺奇美電等龐大資金需求，今年轉(zhuǎn)向債市籌資，截至目前為止，鴻海已發(fā)行230億元的公司債，全年發(fā)債金額上看270億元，較去年的180億元爆增5成。券商主管指出，鴻海精密下周三（22日）將標(biāo)售

顯示光電
2012-11-18

鴻海電力夏普聯(lián)電
串聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

串聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2012-11-12

電感串聯(lián) 補(bǔ)償電路聯(lián)電
并聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

并聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2012-11-12

電感并聯(lián) 補(bǔ)償電路聯(lián)電
聯(lián)電10月?tīng)I(yíng)收小增2%，法人估Q4季減6-8%

聯(lián)電 (2303)今(8日)公布10月?tīng)I(yíng)收，較9月微幅回溫1.84%來(lái)到92.81億元、年增12.42%。展望Q4，聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉指出，半導(dǎo)體業(yè)的庫(kù)存調(diào)整將持續(xù)到明年初，往后需求回溫的程度，則取決于明年的總體經(jīng)濟(jì)如何帶動(dòng)終端需求，

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2012-11-08

RANGE 臺(tái)積電聯(lián)電
晶圓代工雙雄 Q4淡季不淡

盡管全球經(jīng)濟(jì)不佳，沖擊半導(dǎo)體業(yè)景氣也疲軟，但晶圓代工雙雄第四季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡，臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)預(yù)估營(yíng)收皆將季減僅個(gè)位數(shù)。臺(tái)積電受惠行動(dòng)裝置需求熱及先進(jìn)制程領(lǐng)先，第三季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期

消費(fèi)電子
2012-11-07

晶圓代工臺(tái)積電聯(lián)電
或有興起勢(shì)頭聯(lián)電14nm＋20nm混合工藝曝光

【賽迪網(wǎng)訊】在半導(dǎo)體代工行業(yè)當(dāng)中，除了聲名顯赫的臺(tái)積電和GlobalFoundries兩家以外，聯(lián)電的名字可能有些人還不太熟悉，其實(shí)它同樣是代工行業(yè)不可忽視的力量。近日該公司就宣布，將會(huì)積極開(kāi)發(fā)14nm工藝，和GlobalFou

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2012-11-07

IBM FINFET 聯(lián)電 GLOBALFOUNDRIES
導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子

消費(fèi)電子
2012-11-06

通訊制程技術(shù) FINFET 聯(lián)電
晶圓代工雙雄 Q4淡季不淡

盡管全球經(jīng)濟(jì)不佳，沖擊半導(dǎo)體業(yè)景氣也疲軟，但晶圓代工雙雄第四季營(yíng)運(yùn)將淡季不淡，臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電（2303）預(yù)估營(yíng)收皆將季減僅個(gè)位數(shù)。臺(tái)積電受惠行動(dòng)裝置需求熱及先進(jìn)制程領(lǐng)先，第三季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期，

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2012-11-05

晶圓代工臺(tái)積電聯(lián)電
臺(tái)積電先進(jìn)制程維持獨(dú)霸地位

晶圓代工龍頭廠臺(tái)積電第4季28奈米制程比重可望持續(xù)攀高，估計(jì)28奈米制程營(yíng)收將逾新臺(tái)幣258億元，逼近聯(lián)電Q4整體業(yè)績(jī)，先進(jìn)制程獨(dú)霸地位穩(wěn)固。臺(tái)積電與聯(lián)電第3季受惠先進(jìn)制程客戶(hù)需求強(qiáng)勁，出貨成長(zhǎng)，業(yè)績(jī)同步攀高；其

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2012-11-05

先進(jìn)制程制程技術(shù) 臺(tái)積電聯(lián)電
導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子

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2012-11-05

通訊制程技術(shù) FINFET 聯(lián)電
聯(lián)電研發(fā)14nmFinFET技術(shù) 較28nm效能提升35～40%

聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-11-05

通訊制程技術(shù) FINFET 聯(lián)電

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聯(lián)電

Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

聯(lián)電推SRAM 80納米SDDI制程，攻智能型手機(jī)市場(chǎng)

聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

Globalfoundries計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

聯(lián)電傳小改組沖刺研發(fā)

格羅方德計(jì)劃IPO 臺(tái)積電、聯(lián)電關(guān)注

聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)由顏博文出任；孫世偉升任副董

資金需求大鴻海已發(fā)債230億

串聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

并聯(lián)電感高頻補(bǔ)償電路

聯(lián)電10月?tīng)I(yíng)收小增2%，法人估Q4季減6-8%

晶圓代工雙雄 Q4淡季不淡

或有興起勢(shì)頭聯(lián)電14nm＋20nm混合工藝曝光

導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

晶圓代工雙雄 Q4淡季不淡

臺(tái)積電先進(jìn)制程維持獨(dú)霸地位

導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

聯(lián)電研發(fā)14nmFinFET技術(shù) 較28nm效能提升35～40%

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