信號完整性(SI)問題解決得越早,設(shè)計的效率就越高,從而可避免在電路板設(shè)計完成之后才增加端接器件。SI設(shè)計規(guī)劃的... 信號完整性(SI)問題解決得越早,設(shè)計的效率就越高,從而可避免在電路板設(shè)計
1 引言 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是基于模仿生物大腦的結(jié)構(gòu)和功能而構(gòu)成的一種信息處理系統(tǒng)。國際著名 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)專家Hecht Nielsen 給神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的定義是:“神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一個以有向圖為拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的動態(tài)系統(tǒng),它通過對連續(xù)或
國家傳感器網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)工作組正式發(fā)布了我國已完成的傳感網(wǎng)首批6項標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿。包括:《總則》、《術(shù)語》、《低速無線傳感器網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)絡(luò)層和應(yīng)用支持子層技術(shù)規(guī)范》、《信號接口規(guī)范》、《信息安全通用技術(shù)規(guī)范》、《標(biāo)
在今天的商務(wù)世界中,可靠、高效地獲取信息已經(jīng)成為實現(xiàn)競爭優(yōu)勢所必不可少的重要資產(chǎn)。文件柜和堆積如山的文件已經(jīng)讓位于以電子方式存儲和管理信息的計算機(jī)。相距千里之遙的同事可以在瞬間共享信息,同一辦公場所的
摘要:無線傳感器網(wǎng)絡(luò)大量應(yīng)用在環(huán)境監(jiān)測、目標(biāo)跟蹤、安全監(jiān)控等領(lǐng)域,因此網(wǎng)絡(luò)的自身定位是大多數(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)。常用的定位方法必須測量節(jié)點間的距離。為了預(yù)測距離值,根據(jù)實驗獲取的RSSI值與對應(yīng)的距離值,先對實驗
盡管接下來幾年,晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場的速度成長,但Gartner和其它市場分析公司表示,該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
盡管接下來幾年,晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場的速度成長,但Gartner和其它市場分析公司表示,該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nmhigh-K金屬閘極(H
盡管接下來幾年,晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場的速度成長,但Gartner和其它市場分析公司表示,該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
盡管接下來幾年,晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體芯片市場的速度成長,但Gartner和其它市場分析公司表示,該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn)28nm制程節(jié)點的挑戰(zhàn)。特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn)32-nm/28-nm high-K金屬閘極(
盡管接下來幾年,晶圓制造領(lǐng)域?qū)⒊掷m(xù)以高于整體晶片市場的速度成長,但 Gartner 和其他市場分析公司表示,該領(lǐng)域仍然面臨著來自先進(jìn) 28nm 制程節(jié)點的挑戰(zhàn)。 特別是今天許多晶圓廠都在努力引進(jìn) 32-nm/28-nm high-K 金
一、引言 長期以來,低價、低傳輸率、短距離、低功率的無線通訊市場一直存在著。自從Bluetooth出現(xiàn)以后,曾讓工業(yè)控制、家用自動控制、玩具制造商等業(yè)者雀躍不已,但是Bluetooth的售價一直居高不下,嚴(yán)重
任何傳感器或傳感器基系統(tǒng)的主要任務(wù)是采集信息,包括溫度、流量、機(jī)器正常狀態(tài)或其他測量參量。傳感器數(shù)據(jù)產(chǎn)生是相當(dāng)容易做到和很好理解的,但從傳感器傳輸數(shù)據(jù)到監(jiān)視或控制系統(tǒng)仍然是一個問題,這是由安裝和維護(hù)通
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá)7nm節(jié)點;但在7nm節(jié)點以下
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7納米節(jié)點;但在 7納米
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá)7納米節(jié)點;但在7納米節(jié)
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7納米節(jié)點,但在 7
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7納米節(jié)點,但在 7納米
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示,在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的,可直達(dá) 7納米節(jié)點;但在 7納米