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美光西安封裝和測試工廠擴建項目破土動工
美光首個可持續(xù)發(fā)展卓越中心彰顯了公司對中國運營及本地社區(qū)的不懈承諾
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羅徹斯特電子攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)存儲解決方案
DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道
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TrendForce集邦咨詢：供應(yīng)商欲積極拉高合約價，然需求能見度仍不佳，預(yù)估第二季DRAM價格漲幅將收斂至3~8%
Mar. 26, 2024 ---- 目前觀察DRAM供應(yīng)商庫存雖已降低，但尚未回到健康水位，且在虧損狀況逐漸改善的情況下，進一步提高產(chǎn)能利用率。不過，由于今年整體需求展望不佳，加上去年第四季起供應(yīng)商已大幅度漲價，預(yù)期庫存回補動能將逐漸走弱。因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)估， 第二季DRAM合約價季漲幅將收斂至3~8%。
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TrendForce集邦咨詢：2024全年HBM供給位元年增預(yù)估高達260%，產(chǎn)能將占DRAM產(chǎn)業(yè)14%
Mar. 18, 2024 ---- 由于HBM售價高昂、獲利高，進而造就廣大資本支出投資。據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。
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TrendForce集邦咨詢：量價齊揚，2023年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增近三成
Mar. 5, 2024 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于備貨動能回溫，以及三大原廠控產(chǎn)效益顯現(xiàn)，主流產(chǎn)品的合約價格走揚，帶動2023年第四季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收達174.6億美元，季增29.6%。目前觀察2024年第一季DRAM市場趨勢，原廠目標(biāo)仍為改善獲利，漲價意圖強烈，促使DRAM合約價季漲幅近兩成，然出貨位元則面臨傳統(tǒng)淡季而略微衰退。
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TrendForce集邦咨詢：漲勢延續(xù)，預(yù)估2024年第一季DRAM合約價季漲幅13~18%
Jan. 8, 2024 ---- TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認為持續(xù)性減產(chǎn)仍有其必要，以維持存儲器產(chǎn)業(yè)的供需平衡。
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估明年第一季在手機品牌持續(xù)備料的帶動下，Mobile DRAM、eMMC/UFS均價漲幅將擴大至18~23%
Dec. 19, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均價季漲幅將擴大至18~23%。同時，不排除在寡占市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下，進一步墊高漲幅。
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TrendForce集邦咨詢：第三季合約價格落底，促使買方重啟備貨動能，DRAM營收季增近兩成
Dec. 4, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2023年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計營收達134.80億美金，季成長率約18.0%。由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，使得各原廠營收皆有所成長。展望第四季，供給方面，原廠漲價態(tài)度明確，預(yù)估第四季DRAM合約價上漲約13~18%;需求方面的回溫程度則不如過往旺季。整體而言，買方雖有備貨需求，但以目前來說，服務(wù)器領(lǐng)域因庫存水位仍高，拉貨態(tài)度仍顯得被動，第四季DRAM產(chǎn)業(yè)的出貨成長幅度有限。
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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存
美光基于 1β 先進制程的 DRAM 速率高達 8,000 MT/s，為生成式 AI 等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案
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助力數(shù)字化可持續(xù)未來！美光科技首次亮相上海進博會，展示創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案
海量數(shù)據(jù)的增長，來自各種創(chuàng)新應(yīng)用的興起，都為世界帶來新的變化。從智能汽車、大語言模型、到AR/VR，數(shù)據(jù)從傳感器中被收集，然后經(jīng)過端側(cè)計算單元的處理，最終通過無線傳輸?shù)皆贫?，在世界各地的大型超算集群中進行深度價值挖掘。在整個數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過程中，離不開各種內(nèi)存和存儲系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長，導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲的需求也指數(shù)上升。“存力”必須要與“算力”同步升級，才能真正實現(xiàn)人類社會數(shù)字化可持續(xù)的未來。
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TrendForce集邦咨詢：預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價均上漲，漲勢或?qū)⒀永m(xù)至明年第一季
Oct. 25, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項目。
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TrendForce集邦咨詢：第四季DRAM合約價將轉(zhuǎn)為上漲，季漲幅預(yù)估3~8%
Oct. 13, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，自第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲，以DRAM來看，預(yù)估第四季合約價季漲幅約3~8%，而此波漲勢能否延續(xù)需觀察供應(yīng)商是否持續(xù)堅守減產(chǎn)策略，以及實際需求回溫的程度，其中最關(guān)鍵的是通用型服務(wù)器領(lǐng)域。
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三季度三星利潤降幅收窄，從低迷期復(fù)蘇?
業(yè)內(nèi)消息，全球最大的存儲芯片和智能手機制造商三星電子本周表示，今年第三季度初步利潤下降了78%，降幅低于之前的預(yù)期，或?qū)⒈砻鬟^去遭受重創(chuàng)的存儲芯片市場顯示出從嚴重低迷中復(fù)蘇的早期跡象。
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突發(fā)！美國宣布徹底放開這個限制
業(yè)內(nèi)最新消息，昨天韓國總統(tǒng)府辦公室正式宣布，允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應(yīng)來自美國的芯片設(shè)備，無需美國單獨批準(zhǔn)。
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TrendForce集邦咨詢： NAND Flash第四季價格有望止跌回升，預(yù)估將持平或上漲0~5%
Sep. 11, 2023 ---- 近日，三星(Samsung)為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。
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三星發(fā)布采用12納米級工藝的32Gb DDR5 DRAM
（全球TMT2023年9月1日訊）2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù)，開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
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三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組 此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎(chǔ) 隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴展，三星將持續(xù)為AI，下一代計算等多行業(yè)的各種應(yīng)用提供支持 深圳2023年...
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TrendForce集邦咨詢：歷經(jīng)2023年低基期，預(yù)估明年DRAM、NAND Flash需求位元將同比增長13%及16%
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨詢表示，預(yù)期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù)，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。預(yù)估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點，預(yù)估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。不過，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點還是仰賴供應(yīng)商對于產(chǎn)能有所節(jié)制，若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。
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TrendForce集邦咨詢：第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收止跌回升，環(huán)比增長20.4%，第三季營業(yè)利潤率有望轉(zhuǎn)虧為盈
Aug. 24, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于AI服務(wù)器需求攀升，帶動HBM出貨成長，加上客戶端DDR5的備貨潮，使得三大原廠出貨量均有成長，第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約114.3億美元，環(huán)比增長20.4%，終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。其中，SK海力士(SK hynix)出貨量環(huán)比增長超過35%，且平均銷售單價(ASP)較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長，帶動SK海力士ASP逆勢成長7~9%，推升SK海力士第二季營收環(huán)比增長近5成，成長幅度居冠，達34.4億美元，回歸第二名。
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DRAM市場的發(fā)展?fàn)顩r如何？
DRAM(動態(tài)隨機存儲器)市場是一個具有規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)的行業(yè)，其在數(shù)據(jù)中心、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等各行業(yè)的發(fā)展也受到關(guān)注。
