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存儲是主發(fā)力領(lǐng)域，三星公布未來3大規(guī)劃方向
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
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未來3年存儲很慘：SSD雪崩腰斬只是開始 1TB不到300甚至更低？
據(jù)韓媒報道，在日前舉辦的行業(yè)活動上，IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預計，存儲半導體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場需求較最初預期更為糟糕，預計來年三季度DRAM和NAND市場都將出現(xiàn)暫時反彈，不過需求增速預期將分別從此前17%、...
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供過于求，存儲芯片價格持續(xù)走低
與其他類型的半導體相比，存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲芯片更加商品化，對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。
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消費性需求不見起色，供應(yīng)鏈庫存仍高，第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購，導致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供應(yīng)商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，皆是導致第四季DRAM價格跌幅擴大至13~18%的原因。
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DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑；2022年蓋板玻璃模塊市場預計將首遭出貨量下降?
（全球TMT2022年9月22日訊）DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑 研究機構(gòu)IC Insights日前表示，DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%，7月份再次環(huán)比下滑21%，較5月份數(shù)據(jù)縮水約50%。該機構(gòu)分析稱，DRAM銷售急劇下滑同時，...
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TrendForce集邦咨詢：受惠于2021年DRAM價格持續(xù)上漲，DRAM模組廠營收年增7%
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變，遠程教育需求增長，電子產(chǎn)品銷售暢旺，帶動DRAM模組的出貨增長，據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2021年全球DRAM模組市場整體銷售額達181億美元，年成長約7%，由于各模組廠的經(jīng)營策略不同，使得各模組廠的營收出現(xiàn)分歧。
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什么是DRAM？三星在哪年成為全球最大DRAM制造商？
8月20日消息，據(jù)國外媒體報道，在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子，在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實力強勁，他們也是當前全球最大的存儲芯片制造商，在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠高于其他廠商。
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ReRAM：DRAM和NAND的最強繼任者？
存儲器是半導體產(chǎn)業(yè)的重要分支，約占全球半導體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多，但從產(chǎn)品營收貢獻的角度來看，DRAM和Flash(NAND、NOR)的營收占比超95%。
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Inpria與SK hynix聯(lián)合開發(fā)金屬氧化物抗蝕劑，降低新一代DRAM的制版復雜性
JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進程，以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進的DRAM芯片。Inpria擁有廣泛專利的EUV金屬氧化物光刻膠平臺使客戶能夠高效地對先進節(jié)點設(shè)備架構(gòu)進行制版。
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SK海力士將向英偉達供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM
（全球TMT2022年6月9日訊）SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存，其數(shù)據(jù)處理速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng) DR...
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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM
與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一 三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署 深圳2022年5月10日 /美通社/ -- 今日，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三...
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SK海力士第一季度結(jié)合并收入達12.156萬億韓元
（全球TMT2022年4月27日訊）SK海力士發(fā)布截至2022年3月31日的2022財年第一季度財務(wù)報告。公司2022財年第一季度結(jié)合并收入為12.156萬億韓元，營業(yè)利潤為2.860萬億韓元，凈利潤為1.983萬億韓元。2022財年第一季度營業(yè)利潤率為24%，凈利潤率為16%...
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SK海力士發(fā)布2022財年第一季度財務(wù)報告
結(jié)合并收入12.156萬億韓元，營業(yè)利潤2.860萬億韓元，凈利潤1.983萬億韓元 第一季度為準營收創(chuàng)歷史新高，相比2018年第一季度大幅增加3萬億韓元以上 "存儲器產(chǎn)業(yè)變動性減少，呈現(xiàn)持續(xù)增長趨勢" 首爾2022年4月...
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三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用
（全球TMT2022年3月3日訊）三星宣布，高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。 ...
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變革風口上的數(shù)據(jù)中心
近年來，數(shù)據(jù)與新型服務(wù)在數(shù)量和類型方面均呈指數(shù)級增長，帶動數(shù)據(jù)中心與相關(guān)云基礎(chǔ)設(shè)施方面支出的大幅增長。但要從寶貴的數(shù)據(jù)中獲取價值和洞察，人工智能(AI)工作負載的發(fā)展是關(guān)鍵所在。因此，企業(yè)越來越注重構(gòu)建能夠幫助他們滿足這些需求的基礎(chǔ)設(shè)施——無論在本地、智能邊緣，還是在云上，以進一步提高效率和擴大規(guī)模。上述條件為云服務(wù)提供商創(chuàng)造了難得的機會。
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緩存技術(shù)
緩存(cache)，原始意義是指訪問速度比一般隨機存取存儲器(RAM)快的一種高速存儲器，通常它不像系統(tǒng)主存那樣使用DRAM技術(shù)，而使用昂貴但較快速的SRAM技術(shù)。緩存的設(shè)置是所有現(xiàn)代計算機系統(tǒng)發(fā)揮高性能的重要因素之一。
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
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DRAM概述
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。
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IC Insights：DRAM價格將在今年第4季度回落
據(jù)全球知名半導體分析機構(gòu)ICInsights更新的《麥克林報告》，DRAM價格在今年前八個月飆升了41%，從1月份的平均銷售價格（ASP）3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAMASP下滑3%至4.62美元，仍比年初增長37%（如下圖）。2019年對DRAM來說是相...
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落地、開工、投產(chǎn)，新一批半導體項目匯總
近日，一批半導體項目落地、開工、投產(chǎn)，涉及第三代半導體氮化鎵、存儲封測、以及硅晶圓外延片等領(lǐng)域。60億，第三代半導體氮化鎵項目落地福州近期，4個重大產(chǎn)業(yè)項目落地福州長樂區(qū)，涉及新材料、大數(shù)據(jù)、第三代半導體等，投資額超396億元，其中包括第三代半導體氮化鎵項目。據(jù)福州新聞網(wǎng)報道，第...
