據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究,根據(jù)過(guò)去、現(xiàn)在及未來(lái)的表現(xiàn),三星電子不但在DRAM市場(chǎng)占有最大份額,而且競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)。這項(xiàng)新的分析考慮了四個(gè)因素:DRAM廠商的現(xiàn)金余額,銷(xiāo)售
21ic訊 領(lǐng)先市場(chǎng)的高速、高容量、無(wú)需電池的非易失性存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,開(kāi)始向主要OEM和開(kāi)發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
據(jù)HIS iSuppli的最新研究表明,憑借制勝的戰(zhàn)略,三星在2010年第四季度成功增加了早已掌控在手的DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)市場(chǎng)份額。初步結(jié)果顯示,三星在2010年第四季度的D
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights統(tǒng)計(jì)預(yù)估,2014年第二季全球動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP),將由第一季的3.06美元微幅下跌至3美元,是2012年第四季以來(lái)首度下滑。不
南韓第二大記憶體廠SK海力士(SK Hynix)首季超越勁敵美光,成為全球PC用動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶體(DRAM)第一大廠。市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示,SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%,重新奪
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,6月下旬合約價(jià)持平,4GB均價(jià)為30.5美元,換算顆粒價(jià)格約為3.5美元,與現(xiàn)貨價(jià)格(DDR3 4Gb 512M
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力,但就連市場(chǎng)上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過(guò)程得花上好一段時(shí)間。
近來(lái)DRAM 價(jià)格晶片大宗訂單的價(jià)格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長(zhǎng)的智慧手機(jī)市場(chǎng),令人擔(dān)心個(gè)人電腦(PC)未來(lái)的供應(yīng)。預(yù)料在8月之前蘋(píng)果最新iPhon
據(jù)日本媒體報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)公司(Elpida)25日宣布,將于2011年4月前在臺(tái)灣證券交易所上市。爾必達(dá)將發(fā)行臺(tái)灣存托憑證,籌資約100億日元(約合7.95億元人民幣)。據(jù)
1998年前后臺(tái)灣跨入面板產(chǎn)業(yè),投資熱潮方興未艾,許庭禎受奇美創(chuàng)辦人許文龍征詢,加入奇美電的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì),卻因體悟到面板廠投資壓力,成為最早退出的人。當(dāng)年許庭禎拿到電機(jī)博士學(xué)位,先后在摩托羅拉、應(yīng)材就職,當(dāng)他
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤(pán)潮的危機(jī),雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報(bào)價(jià)達(dá)到頂峰,但下半年卻意外遇上個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量
IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團(tuán)的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片,并會(huì)在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機(jī)型上投入使用。Menon稱IBM將
國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner 發(fā)布最新預(yù)測(cè), 2014年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售業(yè)績(jī)將穩(wěn)步達(dá)到3,360億美元,較2013年成長(zhǎng)6.7%,高于上一季所預(yù)測(cè)的5.4%。2014年第二季較諸前一季之成長(zhǎng)幅度已超出預(yù)期,連同晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSM
磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤(pán)記錄技術(shù)同時(shí)被提出來(lái)的。但是眾所周知,內(nèi)存讀寫(xiě)的速度需要達(dá)到磁盤(pán)讀寫(xiě)的速度的100萬(wàn)倍,所以不能直接使用磁盤(pán)記錄技術(shù)來(lái)生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計(jì)看起來(lái)并不復(fù)雜,但是對(duì)材料的要求比較
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代DRAM與SRAM的潛力,但就連市場(chǎng)上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過(guò)程得花上好一段時(shí)間。一份來(lái)自資料儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)機(jī)構(gòu)CoughlinAssociat
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)于2
日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求不振的影響,未來(lái)爾必達(dá)
DRAM拉貨潮啟動(dòng),加上芯片廠制程推進(jìn)受阻,主流DDR34Gb顆?,F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價(jià),本季漲幅近二成,有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn),華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開(kāi)10納米時(shí)代,DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問(wèn)題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤(rùn)極大化,開(kāi)始重新配置產(chǎn)能,透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求,帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)