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NAND Flash進(jìn)入10納米時(shí)代
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開(kāi)10納米時(shí)代，DRAM無(wú)法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù)，有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換，但電容器制程問(wèn)題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
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系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價(jià)續(xù)揚(yáng)2-5%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤(rùn)極大化，開(kāi)始重新配置產(chǎn)能，透過(guò)縮減通路供給量來(lái)滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲
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DRAM合約價(jià)明顯上漲 估下半年需求增溫
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月下旬合約價(jià)持平，4GB均價(jià)為30.5美元，換算顆粒價(jià)格約為3.5美元，與現(xiàn)貨價(jià)格(DDR3 4Gb 512M
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專家：磁阻式隨機(jī)存取記憶體的時(shí)代還沒(méi)來(lái)
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力，但就連市場(chǎng)上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為，這種取代的過(guò)程得花上好一段時(shí)間。
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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
1 引言FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取，而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)
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預(yù)測(cè)：2014全球IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收一覽
根據(jù)TRI觀察，2014上半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)受惠于中國(guó)大陸與新興市場(chǎng)智慧手機(jī)需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來(lái)LCDTV需求等三大因素，拉動(dòng)了智慧手機(jī)晶片、驅(qū)動(dòng)IC及電視SoC晶片之營(yíng)收持續(xù)高漲，形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少
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消息稱爾必達(dá)正考慮收購(gòu)臺(tái)灣DRAM廠
排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida Memory)，正考慮收購(gòu)臺(tái)灣DRAM同業(yè)以鞏固自身市場(chǎng)地位?彭博社(Bloomberg)的一篇報(bào)導(dǎo)指出，由臺(tái)灣
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美光多元化布局 不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào)，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營(yíng)收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
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爾必達(dá)傳來(lái)臺(tái)發(fā)TDR 闖關(guān)恐不易
臺(tái)灣TDR市場(chǎng)有機(jī)會(huì)再添一檔重量級(jí)新兵!券商圈傳出日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)有意來(lái)臺(tái)申請(qǐng)TDR掛牌，藉此拓展多元化的募資管道。然而，據(jù)了解，券商界目前為止尚無(wú)人籌組承銷
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嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場(chǎng)的上導(dǎo)產(chǎn)品之一，已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi)，集成有DRAM RCU單元
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美光半導(dǎo)體移動(dòng)DRAM 架構(gòu)總監(jiān) Daniel Skinner榮獲 JEDEC最高榮譽(yù) “卓越獎(jiǎng)”
憑借長(zhǎng)達(dá) 12 年服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的敬業(yè)精神以及在促進(jìn)下一代移動(dòng)低功耗 DRAM 技術(shù)發(fā)展方面所起的重要作用，Daniel Skinner 贏得技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者們的一致贊譽(yù)。21ic訊—BOISE，2014 年 6 月 19 日 — 美
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大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器,DRAM供貨吃緊
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
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中國(guó)智能手機(jī)商機(jī)大 SK海力士示好盼擴(kuò)大合作
中國(guó)市場(chǎng)誘人，SK海力士(SK hynix)18日在深圳拉生意，盼尋找新商機(jī)，擴(kuò)展在中國(guó)高階行動(dòng)裝置的滲透率；在此同時(shí)，該公司獲利展望熱絡(luò)，18日股價(jià)創(chuàng)下2002年以來(lái)新高。韓國(guó)時(shí)報(bào)(Korea Times)18日?qǐng)?bào)導(dǎo)，SK海力士在深圳為
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六月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4% 第三季可望續(xù)上漲
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智能型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%。展望第三季，
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大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)移DRAM供貨吃緊
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下
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華邦電：物聯(lián)網(wǎng)有20年好光景
華邦電董事長(zhǎng)焦佑鈞DRAM廠華邦電子（2344）昨（17）日順利召開(kāi)股東常會(huì)并順利改選董監(jiān)，董事長(zhǎng)焦佑鈞表示，今年下半年產(chǎn)業(yè)景氣不錯(cuò)，總體經(jīng)濟(jì)也不錯(cuò)，DRAM廠經(jīng)過(guò)幾年整并后已不再盲目擴(kuò)產(chǎn)，市場(chǎng)可望安定。另外，焦佑
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6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲2-4%
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫，加上 NAND Flash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價(jià)上漲
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大廠偏重生產(chǎn)移動(dòng)存儲(chǔ)器,DRAM供貨吃緊
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形
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2010年全球存儲(chǔ)器短缺的三個(gè)理由
2010年全球存儲(chǔ)器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨，而且非常可能會(huì)延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因，1)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇;2)，前幾年中存儲(chǔ)器投資不足;3)，由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長(zhǎng)。
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