DRAM

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存儲器產(chǎn)業(yè)大熱如何應(yīng)對高風(fēng)險

存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè)，同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè)，同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。

嵌入式動態(tài)
2017-02-09

DRAM Flash 存儲技術(shù)前沿
漲漲漲!DRAM內(nèi)存顆粒價格創(chuàng)18月新高

專業(yè)存儲調(diào)研機構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM內(nèi)存顆粒的市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值，漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)...

半導(dǎo)體
2017-02-07

內(nèi)存 DRAM 存儲
一篇文章帶你看穿存儲產(chǎn)業(yè)的顛覆者—3D Xpoint

目前英特爾和美光對3D XPoint應(yīng)用的物理特性閉口不談，資料更是匱乏。一些不具名的介紹資料顯示，3D XPoint使用的標記數(shù)據(jù)狀態(tài)的物理值不是業(yè)內(nèi)常用的電壓、也不是電流...

半導(dǎo)體
2017-02-07

3d xpoint DRAM 存儲
瘋狂的存儲器繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了

最近幾年存儲器市場大熱，儲存型快閃存儲、DARM在淡季爆出“大冷門”，飆出歷年最大漲幅后，編碼型快閃存儲也緊隨其后，在蟄伏4年后，首次漲價，首季調(diào)漲5~7%不等，下季漲幅更大，估計會超過10%。

嵌入式動態(tài)
2017-02-03

元器件 nand nor DRAM Flash 技術(shù)前沿
DRAM市況走出瓶頸期中國進軍存儲器能否順利

2016年DRAM市場情況可謂是“跌宕起伏”，上半年需求不振，持續(xù)跌價，第三季后，在中國智慧行手機出貨多，筆電出貨回溫的前提下，DRAM的平均銷售單價開始大幅度上揚。

嵌入式動態(tài)
2017-01-24

存儲器筆電 DRAM 技術(shù)前沿
我國為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點？

長江存儲成立后，大陸在這個階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關(guān)鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟不足導(dǎo)致研發(fā)無法完全自主而緩緩淡出之際，這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當(dāng)然是原因之一，但不是全部。

半導(dǎo)體
2017-01-13

nand 3d DRAM
三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域向奧迪供應(yīng)內(nèi)存芯片

據(jù)知名爆料人士的消息，三星已與奧迪簽訂合同，將從2018年開始供應(yīng)Exynos處理器，這是三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域。

半導(dǎo)體
2017-01-11

半導(dǎo)體三星 DRAM
2017 年 DRAM 價格將持續(xù)攀高

2016 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)市況轉(zhuǎn)折相當(dāng)大，歷經(jīng)上半年需求不振，持續(xù)跌價的態(tài)勢，至第三季后，才在中國智能手機出貨暢旺、筆電出貨回溫下，DRAM 的平均銷售單價開始大幅上揚。展望未來，TrendForce 旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 預(yù)估，2017 年整體 DRAM 供給位成長將小于 20%，為歷年來最低，在需求面沒有明顯轉(zhuǎn)弱的前提下，預(yù)估全年度 DRAM 供給成長將小于需求成長，可望帶動 DRAM 價格持續(xù)攀高，維持供應(yīng)商全面獲利的狀態(tài)。

嵌入式動態(tài)
2016-12-14

DRAM 技術(shù)前沿
VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)

DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象，如果電荷不足會導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯，因此電容必須被周期性的刷新，這也是DRAM的一大特點。而且電容的充放電需要一個過

21ic專訪
2016-10-20

技術(shù)專訪 vlt 無電容 DRAM
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在201

通信技術(shù)
2016-10-14

vlt技術(shù) koilpass DRAM
DRAM頹勢，美光收購華亞科恐生變數(shù)

最近幾年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是風(fēng)云變幻，并購案一波未平一波又起。美光本來應(yīng)該在2016年7月底完成對華亞科的收購，但卻宣布無法在預(yù)定時間內(nèi)完成收購，一時讓市場紛紛猜測美光收購華亞科項目恐生變數(shù)。

單片機
2016-08-12

美光華亞科 DRAM
DRAM三大廠Q2營收頗微，Q3同步調(diào)整轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存

伴隨第三季強勁的旺季備貨需求到來，DRAMeXchange預(yù)估第三季全球DRAM總營收將出現(xiàn)較顯著的增長。第二季筆記本電腦及服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品出貨動能表現(xiàn)一般，因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類別，持續(xù)向行動式內(nèi)存轉(zhuǎn)進。

單片機
2016-08-12

行動式內(nèi)存 DRAM
美光處境不妙，被英特爾并購是互利互惠還是雪上加霜？

目前全球DRAM市場主要由三星、SK海力士和美光所壟斷，三家企業(yè)占有超過九成的市場份額，不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中，而美光的市場份額出現(xiàn)下降勢頭。不禁讓業(yè)界為其擔(dān)憂。

單片機
2016-08-09

英特爾美光 DRAM
展望下半年，DRAM將完勝上半年

展望營運后市，南亞科指出，受惠旺季效應(yīng)，記憶體需求將增溫，價格走穩(wěn)，三大廠減少標準型DRAM產(chǎn)品轉(zhuǎn)向生產(chǎn)儲存型快閃記憶體，整體DRAM供給減少，相較上半年，下半年DRAM市況穩(wěn)定并好轉(zhuǎn)。

單片機
2016-08-08

季節(jié)性帶動 DRAM
DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

問題1：什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答：名詞解釋如下DRAM--------動態(tài)隨即存取器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)，而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式SRAM--------靜態(tài)的隨

嵌入式硬件
2016-07-25

內(nèi)存 sram 存儲技術(shù) sdram DRAM
英脫歐與DRAM需求疲軟半導(dǎo)體市場成長率將下滑

長久以來，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟成長息息相關(guān)，很少有強大的半導(dǎo)體市場，沒有好的世界經(jīng)濟在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報告中，市調(diào)機構(gòu)ICInsights預(yù)測，今年全球GDP成長率僅2.3%，低于全球不景氣門檻(RecessionThreshold)的2.5%...

模擬
2016-07-14

半導(dǎo)體 DRAM
提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，高功率密度的原因之一在于存儲器子系統(tǒng)。

嵌入式硬件
2016-07-13

存儲器驅(qū)動開發(fā) 子系統(tǒng)效率 DRAM
又一壯舉：三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級內(nèi)存的公司

三星電子近日宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實現(xiàn)了10nm級別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。

單片機
2016-04-06

三星 10nm DRAM
DRAM及NAND市場價格下跌美光營收下滑

不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇

嵌入式動態(tài)
2016-04-01

nand 美光 DRAM 技術(shù)前沿
三星18納米DRAM投產(chǎn)　海力士、美光面臨更大壓力

三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世

嵌入式動態(tài)
2016-04-01

三星美光海力士 18納米 DRAM 技術(shù)前沿

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DRAM

存儲器產(chǎn)業(yè)大熱如何應(yīng)對高風(fēng)險

漲漲漲!DRAM內(nèi)存顆粒價格創(chuàng)18月新高

一篇文章帶你看穿存儲產(chǎn)業(yè)的顛覆者—3D Xpoint

瘋狂的存儲器繼DRAM、NAND之后，NOR也漲瘋了

DRAM市況走出瓶頸期中國進軍存儲器能否順利

我國為何把3D NAND作為入局半導(dǎo)體的最佳切入點？

三星移動AP首次進軍汽車領(lǐng)域向奧迪供應(yīng)內(nèi)存芯片

2017 年 DRAM 價格將持續(xù)攀高

VLT技術(shù)顛覆傳統(tǒng)DRAM結(jié)構(gòu)

Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局

DRAM頹勢，美光收購華亞科恐生變數(shù)

DRAM三大廠Q2營收頗微，Q3同步調(diào)整轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存

美光處境不妙，被英特爾并購是互利互惠還是雪上加霜？

展望下半年，DRAM將完勝上半年

DRAM SRAM SDRAM內(nèi)存精華問題匯總

英脫歐與DRAM需求疲軟半導(dǎo)體市場成長率將下滑

提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

又一壯舉：三星成為全球首家量產(chǎn)10nm級內(nèi)存的公司

DRAM及NAND市場價格下跌美光營收下滑

三星18納米DRAM投產(chǎn)　海力士、美光面臨更大壓力

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