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去年全球光伏需求增速十年最低
2012年光伏業(yè)的寒冬比預(yù)期中的還要嚴(yán)重。全球知名太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)NPDSolarbuzz最新報(bào)告指出，2012年全球太陽(yáng)能光伏需求為29.0GW，較2011年的27.7GW僅增長(zhǎng)了5%，十年以來首次低于10%。 “2012年時(shí)光伏企
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中國(guó)夢(mèng)：龍芯首款商用微處理器Godson發(fā)布
中國(guó)處理器芯片設(shè)計(jì)業(yè)者龍芯(Loongson Technology)開始提供其首款商用微處理器的樣品，并計(jì)劃在今年秋天投入量產(chǎn)，供應(yīng)給最多十家的當(dāng)?shù)胤?wù)器制造商；如果龍芯成功寫下該里程碑，將意味著中國(guó)科技產(chǎn)業(yè)主管機(jī)關(guān)長(zhǎng)期以
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NPD Solarbuzz: 2012年太陽(yáng)能光伏需求未超過30GW，年成長(zhǎng)率為十年最低
NPDSolarbuzz上海辦公室，2013年2月21日—根據(jù)NPDSolarbuzzMarketbuzz指出，2012年全球太陽(yáng)能光伏需求為29.0GW，較2011年的27.7GW僅成長(zhǎng)了5%，十年以來首次低于10%?！霸?012年和2013年初期，行業(yè)都在期望2012年光伏
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ST計(jì)劃為Dresden代工廠導(dǎo)入28nm FDSOI制程
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆矽(FDSOI)制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國(guó)德勒斯登(Dresden)的Fab1代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。ST宣稱，在相
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ST計(jì)劃為Dresden代工廠導(dǎo)入28nm FDSOI制程
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆矽(FDSOI)制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國(guó)德勒斯登(Dresden)的Fab1代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。ST宣稱，在相
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ST計(jì)劃為Dresden代工廠導(dǎo)入28nm FDSOI制程
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)正與Globalfoundries公司洽談轉(zhuǎn)移完全耗盡型絕緣上覆矽( FDSOI ) 制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)，期望于2013年第四季在Globalfoundries于德國(guó)德勒斯登(Dresden)的Fab 1 代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 ST宣稱
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谷歌訪問朝鮮計(jì)劃得到官方證實(shí)[圖]
近期有消息傳出稱，美國(guó)地方政府官員與谷歌公司高管計(jì)劃與本月出訪朝鮮。雖然目前該計(jì)劃已經(jīng)明確遭到來自美國(guó)國(guó)會(huì)的不滿，但據(jù)路透社今日?qǐng)?bào)道稱，美國(guó)墨西哥州州長(zhǎng)辦公室在本周六發(fā)出聲明證實(shí)，墨西哥州州長(zhǎng)Bill Ric
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu
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FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝 無需3D晶體管
近日意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（system on a chip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico
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數(shù)字示波器與數(shù)字化儀的對(duì)比分析
示波器的實(shí)質(zhì)是什么呢?的確，特性如顯示分辨率、亮度、易于使用是必須具備的，取樣速度、觸發(fā)、帶寬也是重要參考。某些數(shù)字化儀提供大部分特性，但最好表示為數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)或瞬態(tài)記錄儀。某些示波器并不提供所有上述特
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數(shù)字示波器簡(jiǎn)介及分類
示波器也能分為模擬和數(shù)字類型。模擬和數(shù)字示波器都能夠勝任大多數(shù)的應(yīng)用。數(shù)字示波器因具有波形觸發(fā)、存儲(chǔ)、顯示、測(cè)量、波形數(shù)據(jù)分析處理等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，其使用日益普及。由于數(shù)字示波器與模擬示波器之間存在較大的性
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美國(guó)光伏系統(tǒng)供應(yīng)商迎來全新盈利機(jī)遇
據(jù)NPDSolarbuzz發(fā)布的《美國(guó)交易跟蹤》報(bào)告最新發(fā)現(xiàn)，此前一直被美國(guó)光伏系統(tǒng)供應(yīng)商所忽略的機(jī)遇正逐漸浮現(xiàn)，從而解決不斷增長(zhǎng)的后期系統(tǒng)安裝服務(wù)合約需求，例如市政府和學(xué)區(qū)。據(jù)NPDSolarbuzz分析師ChristineBeadle透
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專利案:三星庭審時(shí)間耗盡,蘋果乘機(jī)舉證反擊
一位前德州儀器律師周五表示，韓國(guó)三星電子試圖向蘋果收取不公平且不合理的專利費(fèi)，理由是iPhone使用了三星的無線專利。曾擔(dān)任TI專利律師的Richard Donaldson對(duì)法庭表示，他認(rèn)為三星想收取相當(dāng)于iPhone售價(jià)2.4%的專利
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專利案:三星庭審時(shí)間耗盡,蘋果乘機(jī)舉證反擊
一位前德州儀器律師周五表示，韓國(guó)三星電子試圖向蘋果收取不公平且不合理的專利費(fèi)，理由是iPhone使用了三星的無線專利。曾擔(dān)任TI專利律師的Richard Donaldson對(duì)法庭表示，他認(rèn)為三星想收取相當(dāng)于iPhone售價(jià)2.4%的專利
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美國(guó)小規(guī)模非住宅光伏項(xiàng)目火熱 創(chuàng)增就業(yè)機(jī)會(huì)
雖然大規(guī)模的光伏太陽(yáng)能項(xiàng)目經(jīng)常搶占頭條新聞，但是NPDSolarbuzz最近發(fā)布的美國(guó)項(xiàng)目追蹤報(bào)告顯示，目前在美國(guó)進(jìn)行的非住宅光伏項(xiàng)目中，約40%是500千瓦以下的項(xiàng)目。NPDSolarbuzz分析師ChristineBeadle,指出：“這些較
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FDSOI支持者擬催生全新芯片生態(tài)系統(tǒng)
完全耗盡型絕緣層上覆矽(FDSOI)技術(shù)的支持者們，最近集結(jié)成了一個(gè)行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用統(tǒng)一陣線，希望推動(dòng)該技術(shù)成為英特爾(Intel) FinFET制造方法的另一種可行替代選項(xiàng)。包括ARM、IBM、Soitec、意法半導(dǎo)體(STMicroelectroni
