德州儀器(英語:Texas Instruments,簡稱:TI),是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體跨國公司,以開發(fā)、制造、銷售半導(dǎo)體和計算機技術(shù)聞名于世,主要從事創(chuàng)新型數(shù)字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和銷售。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。
對于電源設(shè)計人員來說,PCB 布局是最重要的工作之一。每位從事電源工作的工程師都犯過導(dǎo)致電源無法正常工作的相關(guān) PCB 錯誤。此外,如果讓對電源一無所知的人嘗試執(zhí)行電路板
作者:宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)Michael A. de Rooij博士及張遠哲博士面向不同種類的家電,eGaN FET技術(shù)在推動無線充電市場的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動
作者:John Ardizzoni,美國ADI公司 自我年青時代使用7個晶體管的對講機和AM收音機以來,我們已走過了很長的路。單一功能的設(shè)備已不能滿足要求,現(xiàn)在便攜式電子產(chǎn)品已兼
日前,德州儀器 (TI) 宣布針對智能電話及其它便攜式電子產(chǎn)品應(yīng)用推出四款具備集成型 FET 的 28V、1.5A 線性充電管理 IC - bq2407x系列。bq2407x 系列鋰離子電池充電器即便
由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階段:低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要,
由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間,存在兩個過渡階段:低壓側(cè)開關(guān)開啟和高壓側(cè)開關(guān)開啟。低壓側(cè)開啟開關(guān)至關(guān)重要,
本文來研究如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時
工程師們一般都把RF低噪聲放大器設(shè)計視為畏途。要在穩(wěn)定高增益情況下獲得低噪聲系數(shù)可能極具挑戰(zhàn)性,甚至使人畏懼。不過,采用最新的GaAs(砷化鎵)異質(zhì)結(jié)FET,可以設(shè)計出有高
隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng),為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電,這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源
本文提出了一種獨特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路,為快速開關(guān) HPA 提供了另一種方法,同時消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實測切換時間小于 200 ns,相對于 1 μs 的目標還有一些裕量。其他特性包括:解決器件間差異的偏置編程能力,保護 HPA 免受柵極電壓增加影響的柵極箝位,以及用于優(yōu)化脈沖上升時間的過沖補償。
全球增強型氮化鎵晶體管領(lǐng)袖廠商、致力于開發(fā)創(chuàng)新的硅基功率場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)及集成電路的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出全新的EPC2045(7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)晶體管,在提升產(chǎn)品性能之同時也可以降低成本。而EPC2046(25 mΩ、200 V)比等效MOSFET小型化12倍!
具備前所未有的靈活性和電源保護適用于先進的工業(yè)電池應(yīng)用21ic電源網(wǎng)訊 近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2040功率晶體管,它是一種超小型、具備快速開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管,面向高速終端應(yīng)用,可實現(xiàn)優(yōu)越的分辨率、更快速的響應(yīng)時間及更高準確度。此外,由于在整個工作溫度范圍內(nèi),器件具有高準確度門限,因此當鐳射受熱,可確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。例如該晶體管在LiDAR技術(shù)所采用的脈沖式鐳射驅(qū)動器是理想的器件。LiDAR技術(shù)是全自動駕駛汽車的導(dǎo)航系統(tǒng)及擴增實景平臺的重要技術(shù)。EPC2040的優(yōu)越性能在這些系統(tǒng)中可以實現(xiàn)更高準確度及分辨率。
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說,理解
在雙十一這堪稱春運的節(jié)日里,即使增加成倍的快遞員也無法承擔運送如此量度的包裹,所以往往這個這個時候,我們收到快遞的時間比平時晚,甚至是晚上幾倍。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108~109Ω
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(108~109Ω