-
嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用
嵌入式設(shè)計(jì)技術(shù)在選擇電源FET中的應(yīng)用
-
意法半導(dǎo)體與FET簽約 推廣超薄鋰電池技術(shù)
芯片廠商意法半導(dǎo)體(ST)日前宣布，與美國(guó)下一代充電電池開(kāi)發(fā)商FET簽署商業(yè)協(xié)議，在新的應(yīng)用市場(chǎng)采用FET的“納米能源”超薄鋰電池技術(shù)。 物理彈性是超薄固態(tài)電池技術(shù)的一個(gè)主要特征，它可以做成“可彎曲”的超薄電池
-
ST將納米能源電池技術(shù)推廣到全新應(yīng)用市場(chǎng)
意法半導(dǎo)體(ST)宣布與Front Edge Technology(FET)簽署一份商業(yè)協(xié)議，意法半導(dǎo)體將在新的應(yīng)用市場(chǎng)采用FET的“納米能源”(NanoEnergy®)超薄鋰電池技術(shù)。這項(xiàng)新技術(shù)填補(bǔ)了現(xiàn)有的儲(chǔ)能設(shè)備與尖端電子技術(shù)之
-
高清事業(yè)再受重挫!索尼停止FED技術(shù)研發(fā)
3月26日，索尼宣布將停止FED顯示技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)，原因在于目前資金周轉(zhuǎn)困難，同時(shí)需要投入巨額設(shè)備資金，索尼在短期內(nèi)很難讓該項(xiàng)顯示技術(shù)商品化并從中獲利。目前索尼已經(jīng)開(kāi)始對(duì)屬下子公司FET（Field Emission Techno
-
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%
消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)?！ ?G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效
-
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%
消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)?！ ?G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效
-
BiFET功放的集成功率管理為3G手機(jī)省電多達(dá)25%
消費(fèi)者對(duì)數(shù)據(jù)和多媒體的需求促使全世界的電信運(yùn)營(yíng)商把2G升級(jí)至3G 或以上的網(wǎng)絡(luò)。這種趨勢(shì)給了移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)傳遞了很強(qiáng)烈的信號(hào)。 3G手機(jī)除了提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格,還必須傳輸更高的功率，更優(yōu)的線性度及更好的效
-
四步驟讓你搞定模擬電路學(xué)習(xí)
眾所周知，模擬電路難學(xué)，以最普遍的晶體管來(lái)說(shuō)，我們分析它的時(shí)候必須首先分析直流偏置，其次在分析交流輸出電壓?？梢哉f(shuō)，確定工作點(diǎn)就是一項(xiàng)相當(dāng)麻煩的工作（實(shí)際中來(lái)說(shuō)），晶體管的參數(shù)多、參數(shù)的離散性也較大。
-
新型電聲產(chǎn)品接口技術(shù)
新型電聲產(chǎn)品是數(shù)碼產(chǎn)品配套新潮 當(dāng)今主要電聲產(chǎn)品有高性能麥克風(fēng)/話柄式麥克風(fēng)與平衡電樞式受話器及硅麥克風(fēng)/超聲聲波傳感器等?！ ←溈孙L(fēng)(又稱傳聲器或換能器)每年的銷(xiāo)售一半是非常廉價(jià)的低檔傳聲器，面向玩具
-
散射方法測(cè)量嵌入式SiGe間隔結(jié)構(gòu)
散射測(cè)量方法日益應(yīng)用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的測(cè)量，并逐漸在間隔層的量測(cè)中占據(jù)主導(dǎo)地位。數(shù)量級(jí)在10nm或更薄的間隔層測(cè)量尤其困難。除間隔層厚度外，由間隔層過(guò)刻蝕導(dǎo)致的基板凹陷深度也對(duì)器件有著明顯的影響。嵌入式
-
應(yīng)用散射技術(shù)測(cè)試復(fù)雜Spacer結(jié)構(gòu)
長(zhǎng)久以來(lái)，散射技術(shù)已充分展示其精準(zhǔn)測(cè)量簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的能力，例如對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測(cè)。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測(cè)和控制越來(lái)越復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復(fù)雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會(huì)
-
應(yīng)用散射技術(shù)測(cè)試復(fù)雜Spacer結(jié)構(gòu)
長(zhǎng)久以來(lái)，散射技術(shù)已充分展示其精準(zhǔn)測(cè)量簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的能力，例如對(duì)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)（STI）和柵極模塊的量測(cè)。但是，IC制造商現(xiàn)在需要監(jiān)測(cè)和控制越來(lái)越復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。Spacer是目前散射技術(shù)正在處理的復(fù)雜結(jié)構(gòu)之一。Spacer會(huì)
mingpu21
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
徐俊成123
hyrzwwy
hyrzwwy
hyrzwwy
c126
393994856
DianGongN
美思電子
adofu2008
Name_006
lzhj881506
Davy楷
1122徐
gck_2009
之一知足
