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Cadence采用FinFET技術(shù)流片14納米芯片
該14納米產(chǎn)品體系與芯片是ARM、Cadence與IBM之間在14納米及以上高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)多年努力的重要里程碑。使用FinFET技術(shù)以14納米標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SoC能夠大幅降低功耗。“這款芯片代表了高級(jí)節(jié)點(diǎn)工藝
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對(duì)高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個(gè) PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點(diǎn)而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。
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運(yùn)用FinFET技術(shù)14奈米設(shè)計(jì)開跑
雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)
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運(yùn)用FinFET技術(shù) 14nm設(shè)計(jì)開跑
雖然開發(fā)先進(jìn)微縮制程的成本與技術(shù)難度愈來愈高，但站在半導(dǎo)體制程前端的大廠們?nèi)岳^續(xù)在這條道路上努力著。Cadence日前宣布，配備運(yùn)用IBM的FinFET制程技術(shù)而設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之ARM Cortex-M0處理器的14奈米測(cè)試晶片已投入試產(chǎn)
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臺(tái)積電16nm工藝提早到來
根據(jù)DIGITIMES Research分析師研究，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）有望提前投產(chǎn)20nm制程，同時(shí)也有提前拿出16nm FinFET工藝。研究報(bào)告指出，臺(tái)積電在最近一個(gè)投資者會(huì)議上透露的信息清楚地表明，臺(tái)積電半導(dǎo)體工藝取得了
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臺(tái)積電16nm工藝提早到來 等待非常值得
根據(jù)DIGITIMES Research分析師研究，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）有望提前投產(chǎn)20nm制程，同時(shí)也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報(bào)告指出，臺(tái)積電在最近一個(gè)投資者會(huì)議上透露的信息清楚地表明，臺(tái)積電半導(dǎo)
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臺(tái)積電16nm工藝提早到來
根據(jù)DIGITIMES Research分析師研究，臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）有望提前投產(chǎn)20nm制程，同時(shí)也有提前拿出16nm FinFET工藝。 研究報(bào)告指出，臺(tái)積電在最近一個(gè)投資者會(huì)議上透露的信息清楚地表明，臺(tái)積電半導(dǎo)體工藝取得
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Cadence、IBM推動(dòng)SOI FinFET邁向14nm
EDA供應(yīng)商Cadence Design Systems日前宣布，已運(yùn)用IBM的14nm 絕緣層上覆矽 ( SOI ) FinFET制程開發(fā)一款基于ARM處理器的測(cè)試晶片。該晶片采用ARM Cortex-M0核心，這也是ARM, Cadence和IBM共同開發(fā)14nm及以下節(jié)點(diǎn)SoC之
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Cadence、IBM推動(dòng)SOI FinFET邁向14nm
EDA 供應(yīng)商 Cadence Design Systems 日前宣布，已運(yùn)用 IBM 的 14nm 絕緣層上覆矽(SOI) FinFET 制程開發(fā)一款基于 ARM 處理器的測(cè)試晶片。該晶片采用 ARM Cortex-M0 核心，這也是 ARM, Cadence 和 IBM 共同開發(fā) 14nm 及
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或有興起勢(shì)頭 聯(lián)電14nm＋20nm混合工藝曝光
【賽迪網(wǎng)訊】在半導(dǎo)體代工行業(yè)當(dāng)中，除了聲名顯赫的臺(tái)積電和GlobalFoundries兩家以外，聯(lián)電的名字可能有些人還不太熟悉，其實(shí)它同樣是代工行業(yè)不可忽視的力量。近日該公司就宣布，將會(huì)積極開發(fā)14nm工藝，和GlobalFou
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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聯(lián)電研發(fā)14nmFinFET技術(shù) 較28nm效能提升35～40%
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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聯(lián)電14nmFinFET制程技術(shù)后年試產(chǎn)
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
聯(lián)電14奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28奈米制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與
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聯(lián)電40納米年底占比15%，Q4續(xù)處分業(yè)外轉(zhuǎn)投資
聯(lián)電(2303)執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，40納米制程于今年底到達(dá)15%營(yíng)收的內(nèi)部目標(biāo)可望提前完成。先進(jìn)制程的28納米進(jìn)度符合預(yù)期。此外，第四季將持續(xù)處分業(yè)外持股以緩和認(rèn)列日本子公司損失對(duì)損益的影響。 聯(lián)電公司指出，40納米
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研發(fā)進(jìn)度超前臺(tái)積電16nm明年底試產(chǎn)
臺(tái)積電16奈米鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前。臺(tái)積電預(yù)估2013年6月即可提供IC設(shè)計(jì)客戶，16奈米晶圓光罩共乘服務(wù)(Cyber??shuttle)，并將于明年底開始試產(chǎn)，后年初正式量產(chǎn)，借此鞏固全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位
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臺(tái)積電擬2013年用ARMv8作為16nm FinFET制程的驗(yàn)證
臺(tái)積電在上周二的年會(huì)上公布了該公司的路線圖，其中提到他們將會(huì)在明年年底開始嘗試用 ARM 的第一個(gè) 64-bit 處理器(ARMv8 指令集)來作為 16nm FinFET 制程的驗(yàn)證。 按照這份路線圖，臺(tái)積電計(jì)劃在 2013 年 11 月開始
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臺(tái)積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
【摘要】臺(tái)積電在10月16日的年度大會(huì)中，宣布制訂了20nm平面、16nmFinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺(tái)積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測(cè)試16nmFinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測(cè)試晶片。臺(tái)積電與其合作伙伴們
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