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臺(tái)積電放話 2017追上英特爾

臺(tái)積電共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)蔣尚義昨（22）日表示，臺(tái)積電由20納米跨入16納米制程微縮時(shí)間確定縮短1年，即2015年將提前量產(chǎn)3D晶體管架構(gòu)的16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程。為了滿足客戶需求，臺(tái)積電已決定加快研發(fā)腳步，「

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2013-04-23

臺(tái)積電英特爾 FINFET EUV
臺(tái)積電啟動(dòng)新一波高成長(zhǎng)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（18）日宣布，今年資本支出從90億美元（約新臺(tái)幣2,700億元）調(diào)高到95億至100億美元（約新臺(tái)幣2,850億元至3,000億元），調(diào)高幅度約5.5%至11%，再寫(xiě)新高。張忠謀表示，臺(tái)積電2009年開(kāi)始啟動(dòng)高資

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2013-04-19

半導(dǎo)體晶體管臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對(duì)更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的老大，臺(tái)積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺(tái)積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺(tái)積電宣

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2013-04-18

電壓 ARMA 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對(duì)更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的老大，臺(tái)積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺(tái)積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺(tái)積電宣

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-18

電壓 ARMA 臺(tái)積電 FINFET
ARM針對(duì)臺(tái)積公司28納米HPM和16納米 FinFET工藝技術(shù)發(fā)布Cortex-A50系列POP IP產(chǎn)品

ARM® POP™將加速ARM CortexTM-A57與Cortex-A53處理器的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)21ic訊 ARM近日宣布針對(duì)臺(tái)積公司28HPM(移動(dòng)高性能)工藝技術(shù)，推出基于ARMv8架構(gòu)的Cortex-A57與Cortex-A53處理器優(yōu)化包(POP)IP產(chǎn)品，并同時(shí)發(fā)

單片機(jī)
2013-04-17

ARM IP HP FINFET
臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

隨著移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對(duì)更高的半導(dǎo)體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導(dǎo)體代工市場(chǎng)的老大，臺(tái)積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠商的產(chǎn)品，因此臺(tái)積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺(tái)積電宣

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2013-04-17

ARM 晶圓臺(tái)積電 FINFET
FinFET進(jìn)展超前臺(tái)積電不敢稍有松懈

盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺(tái)積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進(jìn)的制程技術(shù)。近期臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)外宣示，其FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)、極紫外光(EUV)等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度，已

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2013-04-16

制程技術(shù) 電晶體臺(tái)積電 FINFET
性能提升90% 臺(tái)積電16nm工藝芯片明年上馬

在芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)的當(dāng)下，所有的芯片廠商都在不遺余力的改進(jìn)自身的產(chǎn)品工藝，臺(tái)積電已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造。GlobalFo

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-16

芯片芯片廠商臺(tái)積電 FINFET
FinFET進(jìn)展超前臺(tái)積電飆速甩三星

盡管已經(jīng)名列全球第一，然而在三星、英特爾等其他晶圓廠的壓力之下，臺(tái)積電仍不敢稍有松懈，不斷發(fā)展更先進(jìn)的制程技術(shù)。近期臺(tái)積電已經(jīng)對(duì)外宣示，其FinFET（鰭式場(chǎng)效電晶體）、極紫外光（EUV）等新技術(shù)研發(fā)及投產(chǎn)進(jìn)度

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2013-04-15

三星電晶體臺(tái)積電 FINFET
競(jìng)爭(zhēng)激烈！臺(tái)積電提前試產(chǎn)16nm工藝

曾經(jīng)有客戶希望臺(tái)積電的工藝更新?lián)Q代步伐能夠放緩一些，但無(wú)論從技術(shù)還是從商業(yè)角度講，臺(tái)積電顯然都不可能這么做，甚至還要加快速度，已經(jīng)決定將16nm FinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，并且希望能在201

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2013-04-15

ARM 電壓臺(tái)積電 FINFET
陸行之：臺(tái)積應(yīng)調(diào)整折舊政策

臺(tái)積電首季法說(shuō)18日登場(chǎng)，巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之指出，臺(tái)積電既有折舊政策已出現(xiàn)「凈值被低估、P/B值被高估」的情況，為方便國(guó)際機(jī)構(gòu)投資人衡量真正價(jià)值，建議拉長(zhǎng)晶圓廠折舊年限。臺(tái)灣重

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2013-04-15

晶圓代工晶圓廠臺(tái)積電 FINFET
益華/臺(tái)積強(qiáng)化FinFET制程合作關(guān)系

益華電腦(Cadence Design Systems)宣布與臺(tái)積電簽署一份為期多年的協(xié)議，針對(duì)行動(dòng)、網(wǎng)路架構(gòu)、伺服器與現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)應(yīng)用軟體的先進(jìn)制程設(shè)計(jì)，開(kāi)發(fā)16奈米鰭式電晶體(FinFET)技術(shù)專(zhuān)屬設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)。這項(xiàng)深度

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2013-04-15

電腦電晶體臺(tái)積電 FINFET
巴克萊略降臺(tái)積電Q2營(yíng)收增幅；法說(shuō)會(huì)擬提4問(wèn)

臺(tái)積電(2330) Q1營(yíng)收繳出超乎財(cái)測(cè)的成績(jī)單，微幅季增1.1%為1327.55億元、優(yōu)于法說(shuō)會(huì)上1270-1290億元的預(yù)期，并寫(xiě)下單季營(yíng)收歷史次高紀(jì)錄，也激勵(lì)臺(tái)積今日股價(jià)出現(xiàn)反彈，重回百元大關(guān)。而在臺(tái)積下周法說(shuō)會(huì)登場(chǎng)前夕，外

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2013-04-12

聯(lián)電臺(tái)積電 FINFET
Cadence和臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)

Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司（Cadence Design Systems, Inc.）近日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和FPGA等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。此次合作非常深入，開(kāi)始于工藝制造的早

消費(fèi)電子
2013-04-10

CADENCE TSMC 臺(tái)積電 FINFET
Cadence和TSMC為16納米FinFET開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)

Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司4月9日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和FPGA等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。此次合作非常深入，開(kāi)始于工藝制造的早期階段，貫穿于設(shè)計(jì)分析至設(shè)計(jì)簽

消費(fèi)電子
2013-04-10

芯片設(shè)計(jì) CADENCE TSMC FINFET
Cadence和TSMC為16納米FinFET開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)

Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司4月9日宣布與TSMC簽訂了一項(xiàng)長(zhǎng)期合作協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)，以其適用于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和FPGA等諸多應(yīng)用領(lǐng)域。此次合作非常深入，開(kāi)始于工藝制造的早期階段，貫穿于設(shè)計(jì)分析至設(shè)計(jì)簽

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-04-10

FPGA CADENCE TSMC FINFET
ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑

ARM與晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用FinFET制程技術(shù)生產(chǎn)的ARMCortex-A57處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。Cortex-A57處理器為能進(jìn)一步提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺

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2013-04-09

ARM 制程技術(shù) 臺(tái)積電 FINFET
臺(tái)積資本支出估將上調(diào)

顧能研究副總裁王端昨天指出，晶圓代工龍頭臺(tái)積電面臨三星和格羅方德直接跨入14納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）制程，可能上修資本支出，加速16納米FinFET制程量產(chǎn)腳步，推估今年資本支出恐逾百億美元。王端推測(cè)，臺(tái)

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2013-04-09

三星格羅方德臺(tái)積電 FINFET
ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑

ARM 與晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來(lái)行動(dòng)與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電

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2013-04-08

ARM 制程技術(shù) 臺(tái)積電 FINFET
Cadence與ARM、臺(tái)積電攜手跨越16奈米FinFET障礙

Cadence與ARM、臺(tái)積電攜手跨越16奈米FinFET障礙

嵌入式動(dòng)態(tài)
2013-04-07

ARM CADENCE 臺(tái)積電 FINFET

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FINFET

臺(tái)積電放話 2017追上英特爾

臺(tái)積電啟動(dòng)新一波高成長(zhǎng)

臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

ARM針對(duì)臺(tái)積公司28納米HPM和16納米 FinFET工藝技術(shù)發(fā)布Cortex-A50系列POP IP產(chǎn)品

臺(tái)積電工藝加速 16nm工藝年內(nèi)試產(chǎn)

FinFET進(jìn)展超前臺(tái)積電不敢稍有松懈

性能提升90% 臺(tái)積電16nm工藝芯片明年上馬

FinFET進(jìn)展超前臺(tái)積電飆速甩三星

競(jìng)爭(zhēng)激烈！臺(tái)積電提前試產(chǎn)16nm工藝

陸行之：臺(tái)積應(yīng)調(diào)整折舊政策

益華/臺(tái)積強(qiáng)化FinFET制程合作關(guān)系

巴克萊略降臺(tái)積電Q2營(yíng)收增幅；法說(shuō)會(huì)擬提4問(wèn)

Cadence和臺(tái)積電簽訂長(zhǎng)期協(xié)議，共同開(kāi)發(fā)16納米FinFET技術(shù)

Cadence和TSMC為16納米FinFET開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)

Cadence和TSMC為16納米FinFET開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)架構(gòu)

ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑

臺(tái)積資本支出估將上調(diào)

ARM與臺(tái)積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑

Cadence與ARM、臺(tái)積電攜手跨越16奈米FinFET障礙

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