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Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel&ldq
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傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)
據(jù)消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來源還稱Intel“很
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臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程
據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種
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非一般的晶體管
“一個蝴蝶可以刮起一陣風(fēng)，一個士兵可以開始一場戰(zhàn)爭”，那么一項偉大的發(fā)明呢？1947年12月，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎，大名鼎鼎的、
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22nm以后的有力候選：FD-SOI元件與FinFET接近實(shí)用化的不斷發(fā)布
22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會越來越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通道中添加雜質(zhì)，易于控制特性的不均現(xiàn)象
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事
象過去多年來一樣, 在今年的會上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會中對于會議的觀察及感受；1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時正
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ATDF為Elpida開展FinFET存儲器研究
Sematech產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的全資子公司Advanced Technology Development Facility(ATDF)已經(jīng)同意為Elpida Memory公司生產(chǎn)基于FinFET以及新型存儲器技術(shù)的晶圓。 ATDF與日本的主要DRAM制造商Elpida公司達(dá)成了兩個項目協(xié)議，評
