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新日鐵增加SiC基板產(chǎn)能，2011年內(nèi)上市外延基板
新日鐵的SiC基板產(chǎn)品群（點(diǎn)擊放大） 基板質(zhì)量出色（點(diǎn)擊放大） 新日本制鐵（新日鐵）計(jì)劃在2012年3月底之前，將新一代功率半導(dǎo)體用4英寸（100mm）以下口徑的SiC基板產(chǎn)能增至目前約3倍的1000枚/月。為滿足SiC基
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飛兆半導(dǎo)體收購TranSiC公司 試水碳化硅領(lǐng)域
為了滿足半導(dǎo)體應(yīng)用提高效率和性能的需求，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收購碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)
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飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、
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飛兆收購TranSiC 引入碳化硅技術(shù)擴(kuò)展產(chǎn)品創(chuàng)新
21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收購碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶體管企業(yè)TranSiC公司，擴(kuò)展其領(lǐng)先的技術(shù)能力。這項(xiàng)收購為飛兆半導(dǎo)體帶來獲經(jīng)驗(yàn)證效率的業(yè)界領(lǐng)先雙極SiC晶體管技術(shù)、
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飛兆半導(dǎo)體收購SiC公司TranSiC
飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒有透露。 飛兆半導(dǎo)體董事會主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOS
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SiC基板專利綜合實(shí)力前三位為電裝、科銳、新日本制鐵”
Patent Result的分析結(jié)果。（點(diǎn)擊放大） 從事專利分析等業(yè)務(wù)的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半導(dǎo)體元件的SiC基板相關(guān)專利的調(diào)查結(jié)果。結(jié)果顯示，日本電裝在“綜合實(shí)力排名”中位居首位，第二位是美國
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飛兆半導(dǎo)體收購SiC公司TranSiC
飛兆半導(dǎo)體公司日前發(fā)布聲明，稱已收購了碳化硅功率二極管公司TranSiC，但交易金額并沒有透露。 飛兆半導(dǎo)體董事會主席、CEO兼總裁Mark Thompson在一份聲明中指出：“碳化硅技術(shù)可以與飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)有的MOS
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瑞薩將上市SiC功率半導(dǎo)體
瑞薩電子計(jì)劃上市SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調(diào)等白色家電外，預(yù)計(jì)還可用于通信基站和服務(wù)器等配備的PFC(功率因
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【基板開發(fā)最前沿（二）】科銳及羅姆展現(xiàn)的SiC基板的未來
圖：科銳的SiC基板。左為功率元件用4英寸品，右側(cè)為LED用6英寸品（點(diǎn)擊放大） “基板開發(fā)最前沿”的第二篇介紹SiC基板廠商的舉措。目前使用SiC的功率半導(dǎo)體元件（以下稱功率元件）比IGBT等Si制功率元件更有望使逆
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預(yù)估臺積電2011年?duì)I收4811億元，毛利率48.39%，稅后EPS 6.59元
1.臺積電對1Q11合并營收預(yù)估1,050~1,070億元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；營業(yè)利益率35~37%。IBTSIC預(yù)估臺積電1Q11營收1,063億元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，稅后凈利374.96億元，稅后EPS 1.45元。 2.IBTSIC預(yù)
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阿麗亞娜公司將為法意發(fā)射軍事通信衛(wèi)星
歐洲阿麗亞娜空間公司6日宣布，該公司將為意大利特萊斯帕齊奧電信公司發(fā)射一顆軍事通信衛(wèi)星。這顆名為Sicral-2的衛(wèi)星重達(dá)4.4噸，由泰雷茲阿萊尼亞宇航公司為意大利國防部和法國武器裝備總署設(shè)計(jì)制造。根據(jù)已簽署的協(xié)
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羅姆豐富產(chǎn)品線亮相高交會
在第12屆高交會電子展上，羅姆（ROHM）展出了通過自身研發(fā)、收購整合等途徑不斷變寬的產(chǎn)品線，及適用于汽車電子、LED、白色家電、IPC、手機(jī)等領(lǐng)域的系統(tǒng)解決方案。其中ROHM和OKI 半導(dǎo)體共同開發(fā)完成的面向Intel Atom
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羅姆加強(qiáng)中國布局，積累三大產(chǎn)品線優(yōu)勢
上個世紀(jì)五十年代創(chuàng)立初期，ROHM（羅姆）生產(chǎn)銷售的產(chǎn)品只有電阻，六十年代末七十年代初，ROHM開始進(jìn)入晶體管、二極管和集成電路等半導(dǎo)體領(lǐng)域，并成為了第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè)，在硅谷開設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心。而今
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TriQuint在第10屆IEEE國際固態(tài)集成電路技術(shù)會議 (ICSICT) 上發(fā)表講演
全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商 TriQuint 半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克：TQNT）今日宣布，TriQuint半導(dǎo)體公司的高級射頻設(shè)計(jì)工程師 Wen Chen 女士將應(yīng)邀在2010年11月4日在上海舉行的第10屆IEEE國際固
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富士電機(jī)開發(fā)出SiC功率元件用小型封裝
富士電機(jī)開發(fā)完成了用于SiC功率半導(dǎo)體元件（以下：功率元件）的新封裝。據(jù)富士電機(jī)介紹，體積約為原來Si功率元件封裝的1/4。另外，通過采用無需引線鍵合的布線技術(shù)、低熱電阻的絕緣底板及耐熱性較高的封裝樹脂等，實(shí)
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Cree推出口徑為6英?的SiC底板
美國LED芯片龍頭Cree發(fā)?了口徑為6英?，約150mm的SiC底板，6英?產(chǎn)品的微管密度不超過10個/cm2，主要用于LED、高頻元件及功率半導(dǎo)體元件。 Cree目前SiC底板口徑以4英?為主，6英?底板不但可以提高生產(chǎn)效率，還可削減
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Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)
Keil C51對標(biāo)準(zhǔn)ANSIC的擴(kuò)展的學(xué)習(xí)
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SICAS：2010年Q2的半導(dǎo)體生產(chǎn)線整體開工率達(dá)95.6％
日前，國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半導(dǎo)體產(chǎn)能公布。雖然部分半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開始了增產(chǎn)投資，但因老生產(chǎn)線廢棄，晶圓處理能力未能大幅提高。在這種情況下，由于晶圓投入量增加，半導(dǎo)體的整體
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解讀SICAS 2010 Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS(一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu))統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值硅片
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解讀SICAS 2010Q1全球半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能
SICAS是一家國際半導(dǎo)體數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)機(jī)構(gòu)。它統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計(jì)，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標(biāo)有300mm硅片MOS之外，雙極數(shù)據(jù)以5英寸等值硅片計(jì)，而分立器件以6英寸等值
