日本的SiC功率半導(dǎo)體元件(以下簡稱功率元件)業(yè)務(wù)開始全面啟動(dòng)。集結(jié)產(chǎn)官學(xué)力量,使日本獲得該領(lǐng)域主導(dǎo)權(quán)的舉動(dòng)越來越活躍。SiC是繼現(xiàn)有硅之后的新一代功率半導(dǎo)體的一種。特點(diǎn)是與硅功率元件相比,可以大幅削減逆變
目前,功率半導(dǎo)體受到越來越多的關(guān)注。這是因?yàn)樵趯?shí)現(xiàn)CO2減排及環(huán)保對策時(shí),功率半導(dǎo)體起到的作用極大。比如在日本國內(nèi),“變頻器家電(空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱)”已變得相當(dāng)普遍。采用變頻器可使電力效率獲得飛躍性提高
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離
英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續(xù)了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能,而且采用全隔離封裝,無需使用隔離
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動(dòng)和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺(tái)式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動(dòng)和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺(tái)式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降壓電源穩(wěn)壓器,開關(guān)頻率高達(dá)1MHz,全部采用陶瓷電容.連續(xù)輸出電流達(dá)6A,效率大于95%,內(nèi)部軟起動(dòng)和軟關(guān)斷,主要用在筆記本電腦,臺(tái)式電腦和服務(wù)器,數(shù)字HDTV和消費(fèi)類電子,網(wǎng)絡(luò)和通信設(shè)備,打印
東京工業(yè)大學(xué)教授小長井誠研究小組,大幅提高了利用硅量子點(diǎn)的太陽能電池的開放電壓(Voc)及I-V特性形狀因子(FF)數(shù)值。2010年3月10日,該消息是在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)舉行的2010年春季應(yīng)用物理學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)演講會(huì)的會(huì)前新聞發(fā)
目前,Vishay已成為堪稱全球最大的分立半導(dǎo)體與無源電子元件制造商之一。其產(chǎn)品元件幾乎用于所有的電子設(shè)備中,在工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空及醫(yī)療市場。本次參展IIC,Vishay不僅展示了其最新的產(chǎn)品資
全球芯片制造產(chǎn)能都有成長,但市場需求也是一樣;根據(jù)國際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(Semiconductor International Capacity Statistics,SICAS)所公布的數(shù)據(jù),目前數(shù)個(gè)先進(jìn)制程領(lǐng)域的晶圓廠產(chǎn)能利用率都維持在九成以上。SI
半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(SICAS)指出,全球芯片制造產(chǎn)能正在增長,同時(shí)需求也在增長,這使先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率保持在90%以上。2009年第四季度全球晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到89.4%,較第三季度的86.5%有所增長,這是由SICAS在
按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)公布的2009第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說明。從SICAS摘下的2009Q4最新數(shù)據(jù)與2008Q4比較,有以下諸點(diǎn)加以說明;1),總硅片產(chǎn)能09Q4與08Q4相比還是減少10,7%2),全球
按半導(dǎo)體國際產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)(SICAS)公布的2009 第四季有關(guān)產(chǎn)能及利用率的最新數(shù)據(jù),摘錄部分?jǐn)?shù)據(jù)并加以說明。從SICAS摘下的2009 Q4最新數(shù)據(jù)與2008 Q4比較,有以下諸點(diǎn)加以說明;1),總硅片產(chǎn)能09 Q4與08 Q4相比還是減少10,7%2)
作為電力電子行業(yè)在中國的一大盛會(huì),PCIM 2010中國上海展將為業(yè)界及學(xué)術(shù)專家奉上行業(yè)大餐,新產(chǎn)品也將在展會(huì)期間相繼亮相,那就讓我們先一堵為快吧。 作為新起之秀,西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)合作開
編碼器技術(shù)是風(fēng)能獲取的關(guān)鍵旋轉(zhuǎn)編碼器在風(fēng)能產(chǎn)業(yè)中起著非常重要的作用,它提供了使用當(dāng)前渦輪機(jī)中非常動(dòng)態(tài)靈活的控制系統(tǒng)所必不可少的高分辨率反饋。選擇合適的編碼器將能夠極大地增強(qiáng)系統(tǒng)以最佳功率輸出運(yùn)行的能力
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(EpitaxialWafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)單晶Si
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec開始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領(lǐng)域普及。此次的產(chǎn)品主要用
菲律賓領(lǐng)先電信企業(yè)環(huán)球電信公司(Globe Telecom)和面向移動(dòng)運(yùn)營商提供解決方案的Sicap公司共同宣布,推出動(dòng)態(tài)下拉式菜單內(nèi)容服務(wù),以便用戶發(fā)現(xiàn)和使用服務(wù)。選擇Sicap公司的USSD菜單瀏覽器(UMB)軟件,意味著環(huán)球
隨著SIPLACE SiCluster Professional優(yōu)化軟件的面世,西門子電子裝配系統(tǒng)有限公司(SEAS)進(jìn)一步擴(kuò)大了其面向電子制造行業(yè)的智能設(shè)換線方案的產(chǎn)品組合范圍。除了能夠根據(jù)產(chǎn)品的特點(diǎn)進(jìn)行分組生產(chǎn),SIPLACE SiCluster Pr