晶體管可能有多種狀態(tài),通常是飽和、截止、有效和反向。晶體管具有由直流偏置定義的工作點(diǎn)或靜態(tài)點(diǎn)。只要工作點(diǎn)落在特定的工作區(qū)域內(nèi),晶體管就會(huì)按照該特定狀態(tài)中定義的方式執(zhí)行。但如果工作點(diǎn)跨入另一個(gè)區(qū)域,晶體管的操作就會(huì)發(fā)生變化。
作為工程師,每天接觸的是電源的設(shè)計(jì)工程師,發(fā)現(xiàn)不管是電源的老手、高手、新手,幾乎對(duì)控制環(huán)路的設(shè)計(jì)一籌莫展,基本上靠實(shí)驗(yàn)。
KWIK(技術(shù)訣竅與綜合知識(shí))電路應(yīng)用筆記提供應(yīng)對(duì)特定設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的分步指南。對(duì)于給定的一組應(yīng)用電路要求,本文說(shuō)明了如何利用通用公式應(yīng)對(duì)這些要求,并使它們輕松擴(kuò)展到其他類似的應(yīng)用規(guī)格。該傳感器模型支持對(duì)電阻溫度檢測(cè)器(RTD)的電氣和物理特性進(jìn)行SPICE仿真。SPICE模型使用了描述RTD(其將溫度轉(zhuǎn)化為電阻)物理行為特性的參數(shù)。它還提供了一個(gè)典型的激勵(lì)和信號(hào)調(diào)理電路,利用該電路可演示RTD模型的行為。
你知道PSpice for TI的高級(jí)仿真技術(shù)嗎?許多硬件工程師面臨的需要在緊湊的項(xiàng)目時(shí)間內(nèi)進(jìn)行精確設(shè)計(jì)的需求日漸增長(zhǎng)。如無(wú)法可靠地測(cè)試設(shè)計(jì),可能會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)時(shí)間表嚴(yán)重滯后并帶來(lái)高昂的代價(jià),因此仿真軟件成為每個(gè)工程師設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵工具。
逐次逼近、模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (SAR-ADC) 很簡(jiǎn)單直接,用戶將模擬電壓接在輸入端上 (AINP, AINN, REF),會(huì)看到一個(gè)輸出數(shù)字代碼,這個(gè)代碼表示相對(duì)于基準(zhǔn)的模擬輸入電壓。 此時(shí),用
SPICE是一種檢查電路潛在穩(wěn)定性問(wèn)題的有用工具 。本文將介紹一種使用SPICE工具來(lái)檢查電路潛在穩(wěn)定性的簡(jiǎn)單方法。圖1是使用OPA211 搭建 的一個(gè)同相放大器,在許多應(yīng)用中,只是對(duì)圖1做了較小的變動(dòng)。R3和C1構(gòu)成了輸入
SPICE(Simulation Program for Integrated Circuits Emphasis)是由美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的電子研究實(shí)驗(yàn)室于1975年開發(fā)出來(lái)的一種功能非常強(qiáng)大的通用模擬電路仿真器。正如同SPICE的名字所表示的,它最初主要被用來(lái)驗(yàn)
設(shè)計(jì)示例:10倍增益放大器 在第二個(gè)示例中,考慮一個(gè)無(wú)過(guò)沖10倍增益放大器的脈沖響應(yīng),如圖9所示。建立時(shí)間約為7 μs。由于無(wú)過(guò)沖,脈沖響應(yīng)可以近似為具有臨界阻尼,
簡(jiǎn)介 放大器的仿真模型通常是利用電阻、電容、晶體管、二極管、獨(dú)立和非獨(dú)立的信號(hào)源以及其它模擬元件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。一種替代方法是使用放大器行為的二階近似(拉普拉斯轉(zhuǎn)
21ic訊 Analog Devices, Inc. (ADI) 與 National Instruments (NI) 聯(lián)手推出新版 NI Multisim™ 器件評(píng)估工具,借助其新增特性和功能,工程師便能在一個(gè)易于使用的環(huán)境中利用 ADI 公司器件進(jìn)行線性電路仿真。這
芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布,消費(fèi)電子產(chǎn)品全球供應(yīng)商Technology Leaders & Innovators (TLi)公司已采用FineSim™ SPICE作為大型模擬IP設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)驗(yàn)證工具。TLi是在對(duì)
O 引 言 隨著微電子工藝進(jìn)入45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),基于傳統(tǒng)浮柵MOSFET結(jié)構(gòu)的FLASH存儲(chǔ)器將遇到極為嚴(yán)重的挑戰(zhàn),相鄰存儲(chǔ)器件單元之間的交叉串?dāng)_(Cross—Talk)變得顯著而無(wú)法忽略。對(duì)此學(xué)術(shù)界和工業(yè)界主要從阻變型非易
O 引 言 隨著微電子工藝進(jìn)入45 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn),基于傳統(tǒng)浮柵MOSFET結(jié)構(gòu)的FLASH存儲(chǔ)器將遇到極為嚴(yán)重的挑戰(zhàn),相鄰存儲(chǔ)器件單元之間的交叉串?dāng)_(Cross—Talk)變得顯著而無(wú)法忽略。對(duì)此學(xué)術(shù)界和工業(yè)界主要從阻變型非易
目前最先進(jìn)的模擬和射頻電路,正廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、無(wú)線通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的SoC中。它們帶來(lái)了一系列驗(yàn)證方面的挑戰(zhàn),而這些挑戰(zhàn)往往是傳統(tǒng)SPICE、FastSPICE和射頻仿真軟件無(wú)法完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括:多于10萬(wàn)個(gè)器件的設(shè)計(jì)復(fù)雜度、大于幾GHz的時(shí)鐘主頻、納米級(jí)的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無(wú)線/有線通訊協(xié)議的支持問(wèn)題。
目前最先進(jìn)的模擬和射頻電路,正廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、無(wú)線通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的SoC中。它們帶來(lái)了一系列驗(yàn)證方面的挑戰(zhàn),而這些挑戰(zhàn)往往是傳統(tǒng)SPICE、FastSPICE和射頻仿真軟件無(wú)法完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括:多于10萬(wàn)個(gè)器件的設(shè)計(jì)復(fù)雜度、大于幾GHz的時(shí)鐘主頻、納米級(jí)的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無(wú)線/有線通訊協(xié)議的支持問(wèn)題。
根據(jù)C.F.KURTH和G.S.MOSCHYTZ采用z域四口等效電路對(duì)開關(guān)電容器網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行雙口分析的理論,以現(xiàn)場(chǎng)可編程模擬陣列實(shí)現(xiàn)的PID控制器為例