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飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下，電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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飛兆半導(dǎo)體推出單一P溝道PowerTrench® MOSFET FDMA905P和FDME905PT
21IC訊 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench® MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求。FDMA905P和FDME9
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊(duì)在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計(jì)的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場(chǎng)
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微電子所6500V超高壓IGBT研制取得重要突破
中國科學(xué)院微電子研究所IGBT團(tuán)隊(duì)在高壓高功率IGBT（絕緣柵雙極晶體管）研制方面，繼上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高壓領(lǐng)域再次取得關(guān)鍵技術(shù)突破。由微電子所完全自主設(shè)計(jì)的6500V Trench FS IGBT（溝槽柵場(chǎng)
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華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)進(jìn)入量產(chǎn)
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)宣布，公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT(溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為
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華虹NEC 1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)
世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）宣布，公司與其技術(shù)合作伙伴密切合作開發(fā)的1200V Trench NPT IGBT（溝槽類型非穿通絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)成功進(jìn)入量產(chǎn)，成為國內(nèi)第
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開發(fā)成功
華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成
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超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用
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超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計(jì)和元件工程師對(duì)在其設(shè)計(jì)中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用
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40V P溝道 PowerTrench MOSFET產(chǎn)品（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 40V P 溝道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品 FDD4141，為功率工程師提供快速開關(guān)的解決方案，可將開關(guān)損耗減少達(dá)一半。
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FAIRCHILD 推出1200V/15A NPT-Trench IGBT
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Vishay 新型雙高壓 Trench MOS
整流器在30A、125℃時(shí)具有0.70V的業(yè)界低正向壓降（每腳） 可從以下網(wǎng)址下載JPEG圖像(<500K)： http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=258 賓夕法尼亞、MALVERN—2006年5月19日—日前，VishayIntert
