Vishay
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Vishay新款表面貼裝TRANSZORB®雙向TVS具有3kW的高浪涌能力
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用SMC DO-214AB封裝的新系列表面貼裝TRANSZORB®雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)--- SMC3K。該系列器件在10/1000μs下的浪涌能力達(dá)
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1m
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Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6
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Vishay推出新系列表面貼裝PAR®瞬態(tài)電壓抑制器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用SMC DO-214AB封裝的新系列表面貼裝PAR®瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)---5KASMC。該系列器件可用于汽車和電信應(yīng)用，在10/1000μs條件下具
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Vishay推出新款具有5kW的高浪涌能力表面貼裝PAR® TVS器件
器件采用DO-214AB封裝和+185℃的工作結(jié)溫日前，Vishay Intertechnology宣布，推出采用SMC DO-214AB封裝的新系列表面貼裝PAR®瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)---5KASMC。該系列器件
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Vishay發(fā)布有6種封裝選項(xiàng)的19款汽車級FRED Pt®和HEXFRED®極快和超快整流器和軟恢復(fù)二極管
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進(jìn)型TO-247封裝的汽車級FRED Pt®和HEXFRED®極快和超快整流器和軟恢復(fù)二極管。新器件具有極快恢復(fù)和軟恢
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Vishay發(fā)布有6種封裝選項(xiàng)的19款汽車級FRED Pt®和HEXFRED®極快和超快整流器和軟恢復(fù)二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出19款采用DPAK、TO-220、D2PAK、TO-262、TO-247和改進(jìn)型TO-247封裝的汽車級FRED Pt®和HEXFRED®極快和超快整流器和軟恢
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Vishay推出采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET®應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。SiB456DK和SiA416DJ是業(yè)內(nèi)首次采用這種小尺
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Vishay Siliconix 推出業(yè)內(nèi)率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封裝的功率MOSFET
新款100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET采用ThunderFET®技術(shù)，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)83mΩ的低導(dǎo)通電阻日前，Vishay Intertechnology宣布，推
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Vishay推出新款Power Metal Strip®電阻
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5
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Vishay推出新款Power Metal Strip電阻
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip®電阻---WSLP2010。該電阻具有2W的高功率等級和0.001Ω的極低阻值，以及0.5%的穩(wěn)定電阻容差。WSLP2010電
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Vishay推出低外形 高電流電感器
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出采用8787外形尺寸的新款I(lǐng)HLP® 低外形、高電流電感器---IHLP-8787MZ-5A，它具有9.7A～180A高額定電流，可在+150℃高溫下工作。該器件具有很高的效率，最大DCR
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Vishay發(fā)布新款車用MPMA精密配對電阻網(wǎng)絡(luò)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的MPMA系列精密配對電阻。MPMA電阻網(wǎng)絡(luò)通過AEC-Q200認(rèn)證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。每個MPMA網(wǎng)絡(luò)使用耐潮的薄膜鉭氮化物電阻膜制造，在高純鋁襯底上進(jìn)行了
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Vishay推出新款精密MELF電阻樣品套件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出實(shí)驗(yàn)室樣品套件，讓設(shè)計者觸手可及精密MELF電阻的常用阻值，簡化各種電子系統(tǒng)的原型，并加快上市時間。新的樣品套件在今天發(fā)布，分別提供大約100個MMA 0204和MM
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Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET®功率MOSFET
器件采用7腳D2PAK封裝并具有1.1mΩ的低導(dǎo)通電阻和200A的連續(xù)漏極電流日前，Vishay Intertechnology宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---
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Vishay發(fā)布新款45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有高電流密度的新款45V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面貼裝S
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Vishay推出小尺寸表面貼裝封裝集成接近傳感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC集成進(jìn)小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm表面貼裝封裝的全集成接近傳感器---VCNL3020，擴(kuò)充其光電子
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Vishay全集成接近傳感器VCNL3020 可擴(kuò)大檢測距離
Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出把紅外發(fā)射器、光電二極管、信號處理IC和16位ADC集成進(jìn)小尺寸4.85mm x 2.35mm x 0.83mm表面貼裝封裝的全集成接近傳感器---VCNL3020，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。節(jié)省空間的VC
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Vishay推出最小芯片級MICRO FOOT®封裝的功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET。今天發(fā)布的器件將用于智能手機(jī)
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Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vi
