21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的新款全集成接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器--- VCNL4020。該器件把一個(gè)紅外發(fā)射器、用于測(cè)量接近程度的光電二極管、一個(gè)環(huán)境光探測(cè)器、一個(gè)信號(hào)
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最佳的尺寸和感光角的遙控接收器,擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。新的TSOP57x系列包括TSOP572..、TSOP573..、TSOP574..和TSOP575..器件,具有0.8mm的超低高度,
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的雙路在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)。NOMCA系列具有低至±25ppm/℃的絕對(duì)TCR,5ppm/℃的TCR跟蹤、±0.05%的嚴(yán)
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出兩款專門為通用3D電視眼鏡開發(fā)的紅外接收器,擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合?,F(xiàn)在市場(chǎng)上出售的大多數(shù)液晶3D電視都在使用快門式眼鏡,將左眼和右眼
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計(jì),在
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微型扁平SOP4封裝的新款非過(guò)零光敏光耦,比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間,擴(kuò)充了其光電子產(chǎn)品組合。新的VOM160和VOM305x系列具有三種輸出
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微型扁平SOP4封裝的新款非過(guò)零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間,擴(kuò)充了其光電子產(chǎn)品組合。新
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微型扁平SOP4封裝的新款非過(guò)零光敏光耦---VOM160和VOM305x。今天推出的器件比采用DIP-6封裝的器件可節(jié)省66%的PCB空間,擴(kuò)充了其光電子產(chǎn)品組合。新
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型SMD封裝并帶有晶體管輸出的反射光傳感器--- TCNT2000。該器件的尺寸為3.4mm x 2.7mm x 1.5mm,探測(cè)距離0.2mm~5mm,可用于消費(fèi)、工業(yè)和計(jì)算機(jī)類應(yīng)用。T
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出四款小外形尺寸、高性能的MLCC器件--- VJ5301M868MXBSR、VJ5601M868MXBSR和VJ5301M915MXBSR、VJ5601M915MXBSR,這些器件可分別接收和發(fā)送868MHz和915MHz的數(shù)字信
創(chuàng)新器件采用七種緊湊的外形尺寸,具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項(xiàng),包括針對(duì)關(guān)鍵的醫(yī)療和軍工/航天應(yīng)用的weibull失效率分級(jí)Vishay 推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設(shè)計(jì)套件。套件可幫助設(shè)計(jì)者選擇最適合其應(yīng)用的電阻,提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì),在4.5V下導(dǎo)通電阻
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設(shè)計(jì),在4.5V下導(dǎo)通電阻
21ic訊 日前,TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.非常高興地共同宣布,Vishay Asia榮獲了以下獎(jiǎng)項(xiàng):• TTI 2011鉆石獎(jiǎng),亞洲區(qū) • TTI 2011優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng),亞洲區(qū) • TTI 2011最佳質(zhì)量
日前,TTI Electronics Asia和Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)非常高興地共同宣布,Vishay Asia榮獲了以下獎(jiǎng)項(xiàng): •TTI 2011鉆石獎(jiǎng),亞洲區(qū)•TTI 2011優(yōu)秀供應(yīng)商獎(jiǎng),亞洲區(qū)•TTI
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A~36A電流,采用多種封裝。日前發(fā)布的D系列MOSFET基
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。中國(guó)電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎(jiǎng)項(xiàng)授
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國(guó)年度電子成就獎(jiǎng)。中國(guó)電子成就獎(jiǎng)的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年