19nm工藝 消息稱國(guó)產(chǎn)DDR3內(nèi)存：本月已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)DDR3內(nèi)存，明年出貨！

近期，由于美國(guó)芯片出口的規(guī)則改變，全球芯片出口格局也在發(fā)生重大變化。為此，中國(guó)也在加快步伐，試圖盡快實(shí)現(xiàn)芯片國(guó)產(chǎn)化，其中最為典型的就是中科院，該院上周已經(jīng)宣布，要將光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備列入科研清單。

而在“國(guó)家隊(duì)”宣布入場(chǎng)之后，美國(guó)的態(tài)度似乎又開(kāi)始轉(zhuǎn)變。上周六(9月19日)，第一家被允許對(duì)華為供貨的芯片巨頭正式“誕生”。據(jù)美國(guó)處理器巨頭AMD公司的高級(jí)副總裁諾羅德(Forrest Norrod)透露，該公司已經(jīng)獲得了對(duì)華為供應(yīng)的許可。這是美國(guó)新規(guī)生效后，第一家公開(kāi)宣布獲得許可的芯片巨頭。

翻開(kāi)內(nèi)存的發(fā)展史，時(shí)間追溯至1982年，Intel推出經(jīng)典的80286芯片，渴求更大的內(nèi)存空間。當(dāng)時(shí)解決方案，只能靠主板上額外增加的內(nèi)存條才能滿足需求，于是內(nèi)存條就誕生了。

至2017年，算一算，從內(nèi)存條誕生開(kāi)始已經(jīng)有長(zhǎng)達(dá)35年的歷史。內(nèi)存從SIMM時(shí)代，歷經(jīng)SDR SDRAM、Rambus DRAM、DDR、DDR2、DDR3及DDR4多代發(fā)展，容量也從KB到GB跨越，性能更是突飛猛進(jìn)?？蛇@期間，電腦里不可或缺的內(nèi)存，從來(lái)沒(méi)有真正姓過(guò)“中國(guó)”。

過(guò)去，國(guó)內(nèi)在DRAM領(lǐng)域的技術(shù)幾乎是空白的，真正意義的空白 。

同樣存儲(chǔ)部件的硬盤，國(guó)內(nèi)還曾經(jīng)出現(xiàn)自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)硬盤品牌，像長(zhǎng)城硬盤，易拓硬盤，雖然都沉淪的歷史洪流中，但你何曾聽(tīng)過(guò)國(guó)產(chǎn)的“xxx”DRAM品牌?

如今，這千年寒冰，終于迎來(lái)破冰之時(shí)，中國(guó)隊(duì)之稱的紫光集團(tuán)極可能推出首款PC使用的DDR4內(nèi)存，DRAM顆粒完全自主研發(fā)，近段在網(wǎng)上就有曝光這一款新品。

內(nèi)存市場(chǎng)今年迎來(lái)了新一代的DDR5升級(jí)，低端的DDR3內(nèi)存正在被三星等公司淘汰，不過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，這倒是切入DDR3內(nèi)存市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，來(lái)自產(chǎn)業(yè)鏈的消息稱合肥長(zhǎng)鑫本月已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)DDR3內(nèi)存，明年上半年出貨。

合肥長(zhǎng)鑫是國(guó)內(nèi)主要的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，2019年率先量產(chǎn)了自研的DDR4內(nèi)存，這兩年來(lái)不少國(guó)產(chǎn)內(nèi)存品牌都已經(jīng)用上了國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒，性能及穩(wěn)定性還不錯(cuò)。

長(zhǎng)鑫也在積極開(kāi)發(fā)更高端的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存芯片，不過(guò)他們也沒(méi)放棄DDR3內(nèi)存市場(chǎng)，消息稱今年11月份開(kāi)始，他們就開(kāi)始為兆易創(chuàng)新代工了DDR3內(nèi)存，使用的還是19nm工藝，現(xiàn)在還在國(guó)內(nèi)的工廠測(cè)試，預(yù)計(jì)明年Q1季度出貨，下半年則會(huì)增加DDR3內(nèi)存產(chǎn)能。

根據(jù)兆易創(chuàng)新之前的公告，他們除了NOR閃存之外，近年來(lái)也在研發(fā)DDR內(nèi)存，2020年募資33.2億元研發(fā)內(nèi)存，自研第一個(gè)產(chǎn)品會(huì)是DDR3， 4Gb，面向利基市場(chǎng)。

之前我曾經(jīng)說(shuō)過(guò)，如果只要努力就會(huì)成功，那為什么不去努力呢?這句話用來(lái)說(shuō)中國(guó)的內(nèi)存和閃存產(chǎn)業(yè)可以說(shuō)是非常貼切。就在大概三年之前，中國(guó)大陸在DRAM內(nèi)存和NAND閃存產(chǎn)業(yè)上的份額幾乎為0，才僅僅幾年過(guò)去，中國(guó)的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)有了合肥長(zhǎng)鑫，中國(guó)的閃存產(chǎn)業(yè)有了武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)，二者在技術(shù)水平上都在世界先進(jìn)水平。所以我才說(shuō)，中國(guó)在芯片上缺的就是一只推手，只要支持足夠，一切在短期之內(nèi)都會(huì)水到渠成。

雷總有句名言：“你倒是拿出來(lái)賣啊!”，我們這些吃瓜群眾就是這種想法。雖然科技新聞中，中國(guó)的內(nèi)存閃存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)很紅火了，但我們450都準(zhǔn)備好了，那到哪里可以買到呢?這個(gè)問(wèn)題自從長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出32層3D NAND時(shí)就困擾著我們，官方的說(shuō)法就是“32層只是試生產(chǎn)”，然后我們等到64層量產(chǎn)，還是沒(méi)看到什么具體產(chǎn)品，再之后128層研發(fā)成功，國(guó)產(chǎn)閃存還是“猶抱琵琶半遮面”。這期間還出過(guò)紫光的“假國(guó)產(chǎn)”閃存的事(其實(shí)英特爾大連Fab68的閃存也可以勉強(qiáng)算是“國(guó)內(nèi)生產(chǎn)”了)。

不過(guò)，我們的等待是值得的。近日，我們熟悉的“魚(yú)竿廠”光威就推出了旗下的光威弈Pro系列的零售產(chǎn)品，包括DDR4內(nèi)存和SATA固態(tài)硬盤，經(jīng)過(guò)鑒定其就是使用“真·國(guó)產(chǎn)”的芯片。

相較于PC端、智能手機(jī)芯片制程的更新?lián)Q代速率，汽車、家用電器等傳統(tǒng)芯片制程過(guò)渡到尖端芯片制程的時(shí)間相對(duì)較長(zhǎng)。步入2021年后，內(nèi)存市場(chǎng)迎來(lái)了一波升級(jí)，眼下PC端領(lǐng)域已經(jīng)步入到DDR5時(shí)代。低端的DDR3內(nèi)存逐漸被三星、SK海力士淘汰。但對(duì)于國(guó)產(chǎn)廠商來(lái)說(shuō)，這是切入DDR3內(nèi)存市場(chǎng)的最佳時(shí)機(jī)。

業(yè)內(nèi)人士透露，國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)鑫開(kāi)始為兆易創(chuàng)新代工了DDR3內(nèi)存，使用的是19nm工藝，現(xiàn)在還在國(guó)內(nèi)的工廠測(cè)試，預(yù)計(jì)明年Q1季度出貨，下半年則會(huì)增加DDR3內(nèi)存產(chǎn)能。

2021年11月18日消息，合肥長(zhǎng)鑫重拾DDR3業(yè)務(wù)，為兆易創(chuàng)新代工DDR3內(nèi)存芯片。據(jù)了解，合肥長(zhǎng)鑫為兆易創(chuàng)新代工的DDR3內(nèi)存芯片采用的是19納米制程。這比業(yè)界普遍使用的30~40納米制程的DDR3芯片，領(lǐng)先了11~21納米。

目前合肥長(zhǎng)鑫的19納米DDR3內(nèi)存芯片還處在工廠測(cè)試階段，出貨時(shí)間暫定在2022年第一季度，預(yù)計(jì)2022年下半年，合肥長(zhǎng)鑫將增加DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能?？赡苡行┡笥褧?huì)說(shuō)，DDR3早已被淘汰了，眼下已經(jīng)是DDR5時(shí)代，兆易創(chuàng)新委托合肥長(zhǎng)鑫代工的DDR3內(nèi)存芯片，用往何處呢?

同事改廠商也在積極開(kāi)發(fā)更高端的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存芯片。在低端的DDR3內(nèi)存正在被大公司淘汰時(shí)，也給了國(guó)內(nèi)公司機(jī)會(huì)。據(jù)悉兆易創(chuàng)新的DDR3內(nèi)存研發(fā)已經(jīng)告一段落，本月開(kāi)始量產(chǎn)，明年有望上市供貨。

比起PC端、智能手機(jī)行業(yè)，家電、燈具等利基市場(chǎng)產(chǎn)品所用芯片的更新?lián)Q代速率較慢。合肥長(zhǎng)鑫為兆易創(chuàng)新代工的DDR3芯片用于家電、燈具當(dāng)中，這些設(shè)備對(duì)內(nèi)存芯片的性能、容量要求并不高。更何況合肥長(zhǎng)鑫負(fù)責(zé)代工的DDR3內(nèi)存芯片采用的是19納米制程，因此能夠滿足大多數(shù)智能家居設(shè)備的內(nèi)存需求。

最近我們率先拿到了嘉合勁威公司出品的光威弈PRO 內(nèi)存條。首先，得先表面立場(chǎng)一下，這可是純國(guó)產(chǎn)顆粒內(nèi)存條，沒(méi)有理由不支持是吧;硬件方面，光威弈Pro DDR4內(nèi)存條采用的是長(zhǎng)鑫DRAM顆粒，目前有8G和16G兩個(gè)規(guī)格型號(hào)，純國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存戰(zhàn)斗力咋樣，我們一起來(lái)揭開(kāi)面紗吧。讀/寫(xiě)/復(fù)制速度達(dá)到37156MB/s、39074MB/s、33913MB/s，延遲71.4ns。其實(shí)對(duì)于內(nèi)存條的測(cè)試來(lái)說(shuō)，它并會(huì)像固態(tài)硬盤可以那么明確直觀，但是它又直接影響系統(tǒng)的運(yùn)算率，系統(tǒng)的高效性和游戲過(guò)程中的流暢性都得到了明顯的改善。