• 測量傳感器的功能及性能

    傳感器作為一種檢測裝置，能感受到被測量的信息，并能將感受到的信息，按一定規(guī)律變換成為電信號或其他所需形式的信息輸出，以滿足信息的傳輸、處理、存儲、顯示、記錄和控制等要求。現(xiàn)代測量工具使用各種傳感器來收集測量數(shù)據(jù)，計量軟件分析測量數(shù)據(jù)，并通過數(shù)字和圖形報告，使用戶可以對零件設(shè)計和制造過程做出可靠的決策。 有多種用于測量的傳感器，每種傳感器都有用于測量特定特征類型的優(yōu)勢。一些計量工具提供一種傳感器類型來進行數(shù)據(jù)收集。多傳感器計量系統(tǒng)提供多種傳感器技術(shù)來獲取數(shù)據(jù)，從而提供多維度數(shù)據(jù)信息。 從事測量崗位的工作人員需要了解這些傳感器的功能以及它們的最佳性能。 一、接觸測量傳感器 接觸測量傳感器包括一次收集一個點的接觸式觸發(fā)探針和一個連續(xù)收集點的掃描探針。在測量過程中，觸覺傳感器會物理接觸零件。測頭是CMM(坐標(biāo)測量機)上最常用的傳感器。接觸式觸發(fā)探針接近零件，進行接觸、縮回、移動和重復(fù)，收集關(guān)于每個點的信息，一次一個點。測針長度和針尖尺寸的組合很多，可以進入被測零件的大部分區(qū)域，但是限制條件包括探針針尖的物理范圍以及足夠的空間來接近、觸發(fā)和退回。 掃描探針是接觸探針的一種變體，旨在保持與表面輪廓的接觸，并在它們移動時收集測量數(shù)據(jù)點。計量系統(tǒng)軟件與測頭控制器配合使用，沿著零件輪廓驅(qū)動測頭，每秒收集多達數(shù)百個表面點。觸摸探測的另一種形式是使微型探針產(chǎn)生共振。當(dāng)微探針靠近表面但幾乎不接觸表面時會觸發(fā)共振。它們可以在狹窄的空間中進行測量。利用低觸發(fā)力微探針技術(shù)，可以在不破壞表面張力的情況下探測液體表面。 二、光學(xué)測量傳感器 光學(xué)測量傳感器是非接觸式的。光學(xué)測量使用了許多技術(shù)，包括使用相機成像、激光、干涉儀和彩色共焦成像。 相機成像技術(shù)分析零件的放大圖像，以確定這些圖像中特征的位置和大小。通過了解零件和攝像機在其測量體積內(nèi)的位置，相機成像技術(shù)可以在超過一米的距離內(nèi)以高分辨率快速測量特征。區(qū)域陣列相機和大視野鏡頭可基于整個圖像的強大軟件分析功能，在視野內(nèi)進行大量測量。這比觸覺探測快得多。正是基于軟件的邊緣檢測過程的速度和精度使相機成像技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用。 激光測量傳感器非常流行，并且用途廣泛，可以快速、準(zhǔn)確地進行測量。典型的激光傳感器向表面發(fā)射光，該光在檢測器上反射并成像，從而確定該點在XYZ空間中的位置。點激光傳感器一次測量一個點，而線激光傳感器則同時在一條線上獲取數(shù)百或數(shù)千個點。這兩種類型的傳感器通?？梢钥绫砻孑喞獟呙琛＜す鉁y距傳感器通常使用激光和檢測器之間的三角測量來得出表面數(shù)據(jù)點。 干涉式距離傳感器可提供亞微米(<0.1 m)范圍內(nèi)的測量點分辨率，在鏡面和光散射擴散表面上均具有出色的性能。當(dāng)用作點傳感器時，它們快速、準(zhǔn)確，非常適合精確測量表面輪廓或測量深孔或盲孔。 色共聚焦傳感器是另一種非接觸式光學(xué)測量技術(shù)。該傳感器使用白光源，通過分析從表面反射的光的光譜來測量表面而不接觸。這種超高分辨率的傳感器能夠測量透明零件的平行表面。 不同的數(shù)據(jù)采集技術(shù)針對不同的測量任務(wù)。如果確定所選的傳感器能夠以適當(dāng)?shù)姆直媛?、精度和速度測量所需的零件特征，則單個傳感器是專用于過程中測量系統(tǒng)的正確選擇。 微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化的傳感器是實現(xiàn)自動檢測和自動控制的首要環(huán)節(jié)。

    半導(dǎo)體 傳感器 接觸式 非接觸式

  • 如何選擇風(fēng)速傳感器？

    風(fēng)能屬于一種新能源，無時無刻不影響著我們的生活，而如今隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，風(fēng)的測量成為研究風(fēng)能最為重要的數(shù)據(jù)，而風(fēng)速傳感器成為用來測量風(fēng)的方向和大小的設(shè)備，并且在氣象監(jiān)測方面得到了廣泛的應(yīng)用。 風(fēng)速傳感器是一種可以連續(xù)測量風(fēng)速和風(fēng)量(風(fēng)量=風(fēng)速x橫截面積)大小的傳感器。比較常見的風(fēng)速傳感器是風(fēng)杯式風(fēng)速傳感器，最早由英國魯賓孫發(fā)明。感應(yīng)部分是由三個或四個圓錐形或半球形的空杯組成。空心杯殼固定在互成120°的三叉星形支架上或互成90°的十字形支架上，杯的凹面順著一個方向排列，整個橫臂架則固定在一根垂直的旋轉(zhuǎn)軸上。 目前，市面上的風(fēng)杯式風(fēng)速傳感器較多，關(guān)于如何區(qū)分風(fēng)速傳感器的質(zhì)量問題，小編做了以下總結(jié)： 關(guān)于材質(zhì) 目前市面上比較多的產(chǎn)品材質(zhì)有兩種，一種是普通ABS塑料材質(zhì)，另一種是聚碳酸酯材質(zhì)。在選擇風(fēng)速傳感器的時候，小編建議大家選擇聚碳酸酯材質(zhì)的產(chǎn)品，主要原因有以下幾點： 耐溫性：聚碳酸酯材料耐高低溫性能優(yōu)，材料無變形，強度穩(wěn)定。而普通ABS塑料耐高溫性差，高溫容易變形，低溫容易變脆。 耐風(fēng)化：聚碳酸酯材料是一種性能優(yōu)良的熱塑性工程塑料，長期耐風(fēng)化。而普通ABS塑料長期使用易變色，在紫外線的作用下易產(chǎn)生降解。 耐候性：聚碳酸酯材料具有突出的抗沖擊能力，尺寸穩(wěn)定性好。而普通ABS塑料耐候性差，于戶外半年后，沖擊強度會下降50%。 關(guān)于細節(jié) 從細節(jié)看產(chǎn)品質(zhì)量。經(jīng)過對比，小編發(fā)現(xiàn)部分產(chǎn)品帶有軸承帽檐，也有很多產(chǎn)品沒有，別看小小的軸承帽檐，它的作用還是很大的。風(fēng)速傳感器一般在室外工作，室外環(huán)境惡劣，隨時可能會遇到雨雪天氣，有軸承帽檐可以防雨防水，防護等級提高，工作性能更加的穩(wěn)定，而沒有軸承帽檐的產(chǎn)品，在雨雪天氣容易滲水，造成電路板的損壞。 建大仁科三杯式風(fēng)速傳感器外形小巧輕便，便于攜帶和組裝，三杯設(shè)計理念可以有效獲得風(fēng)速信息，殼體采用聚碳酸酯復(fù)合材料，多種輸出模式可任意選擇。 三杯式風(fēng)速傳感器采用前沿產(chǎn)品設(shè)計，有底出線和側(cè)出線兩種出線方式，底部出線有更高的防雨雪性能。 設(shè)備采用聚碳酸酯環(huán)保外殼，完全克服普通塑料易老化的缺點。線纜連接處采用防水對插線設(shè)計，方便連接，避免線纜誤接。 三杯設(shè)計理念可以有效獲得風(fēng)速信息，殼體采用優(yōu)質(zhì)鋁合金型材或聚碳酸酯復(fù)合材料，防雨水，耐腐蝕，抗老化，是一種使用方便，安全可靠的智能儀器儀表。主要用在氣象、農(nóng)業(yè)、船舶等領(lǐng)域，并且可長期在室外使用。

    半導(dǎo)體 風(fēng)速傳感器

  • 電化學(xué)合成半導(dǎo)體材料，新型環(huán)保的可持續(xù)有機合成

    1839年法國的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)有機半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)，在光照下會產(chǎn)生一個電壓，這就是后來人們熟知的光生伏特效應(yīng)，這是被發(fā)現(xiàn)的有機半導(dǎo)體的第二個特征。而有機太陽能電池在能源領(lǐng)域的應(yīng)用，將是有機半導(dǎo)體材料的最有意義的應(yīng)用。 有機太陽能電池在電子領(lǐng)域有多種應(yīng)用，特別是在可穿戴設(shè)備等新型電子設(shè)備的開發(fā)中。通常情況下，這些電池都是由有機半導(dǎo)體分子組成的，它們輕巧又堅固。因此，尋找這些半導(dǎo)體分子的新型發(fā)展策略一直是全球許多科學(xué)家的目標(biāo)。但通常，合成這些分子需要使用昂貴的稀有金屬催化劑。這不僅導(dǎo)致了高昂的制造成本，而且金屬催化劑被污染的可能性也使這一過程充滿挑戰(zhàn)。 為此，在《Angewandte Chemie》國際版上發(fā)表的一項新研究中，岡山大學(xué)的一個研究小組，包括Seiji Suga教授和Koichi Mitsudo副教授在內(nèi)，開發(fā)了一種新的反應(yīng)體系來合成有機半導(dǎo)體合成中的關(guān)鍵組分—噻吩烯衍生物。科學(xué)家們將重點放在了通過有機電解構(gòu)建碳硫(C-S)鍵上，這是一種環(huán)保型反應(yīng)。Suga教授解釋說："我們專注于C-S鍵，因為C-S鍵在醫(yī)藥和材料科學(xué)領(lǐng)域非常豐富且意義重大，例如在某些抗抑郁和抗真菌藥物中。 傳統(tǒng)上，C-S鍵是通過一種叫做 "過渡金屬催化交聯(lián) "的方法構(gòu)建的，這種方法需要使用稀有金屬催化劑。這使得該反應(yīng)成本很高，因此，不可行。在這項研究中，科學(xué)家們專注于一種不同的方法，稱為 "電化學(xué)碳-雜原子鍵形成"，這是一種需要溫和條件的環(huán)保反應(yīng)。雖然過去已經(jīng)報道了幾種新型的電化學(xué)碳-雜原子偶聯(lián)反應(yīng)，但直到現(xiàn)在，這些反應(yīng)從未被用于合成噻吩烯。Suga教授說："在過去的幾年里，我們對開發(fā)新的噻吩合成方法很感興趣，烯類衍生物在有機電化學(xué)中有著良好的記錄，是有機材料的有吸引力的候選者。" 在確立了研究基礎(chǔ)后，科學(xué)家們又深入研究，尋找新型的噻吩合成電化學(xué)方法。他們發(fā)現(xiàn)，在有 "溴 "離子存在的情況下，所需的C-S鍵形成會順利發(fā)生，而 "溴 "離子是反應(yīng)的有力促進劑。利用這一策略，科學(xué)家們成功地合成了被稱為 "π-expanded thienoacene derivatives "類型的噻吩烯衍生物。有趣的是，這項研究是第一個報道成功形成C-S鍵合成噻吩衍生物的研究。Suga教授解釋說："我們的研究是第一個報道電氧化脫氫反應(yīng)產(chǎn)生噻吩烯的C-S鍵。我們發(fā)現(xiàn)，溴離子作為鹵素介質(zhì)催化促進反應(yīng)，對反應(yīng)至關(guān)重要。" 這項研究給人們帶來了希望，在未來，有機半導(dǎo)體分子可以用一種低成本的技術(shù)來生產(chǎn)，而不需要使用昂貴的金屬催化劑。Suga教授總結(jié)道："這項研究的關(guān)鍵在于'電化學(xué)合成'的方法，它是一種清潔的可再生能源。" 岡山大學(xué)的科學(xué)家們希望通過這些研究成果，實現(xiàn)對環(huán)境影響最小的可持續(xù)有機合成。因此，這項研究也是實現(xiàn)聯(lián)合國可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)的重要一步，從而促進人類的美好未來。 論文標(biāo)題為《Electrochemical Synthesis of Thienoacene Derivatives: TransitionMetalFree Dehydrogenative CS Coupling Promoted by a Halogen Mediator》。

    半導(dǎo)體 有機半導(dǎo)體 電化學(xué)反應(yīng) 新型環(huán)保

  • 比亞迪，新能源汽車的厚積薄發(fā)

    眾所周知，比亞迪是汽車品牌之一，但是比亞迪是做電池起家的。鮮為人知的是，比亞迪還從事了二次充電池及光伏、手機部件及組裝，以及包含傳統(tǒng)燃油汽車及新能源汽車在內(nèi)的汽車等業(yè)務(wù)。此外，比亞迪在上游芯片領(lǐng)域也早有布局，“比亞迪微電子”制造的芯片廣泛應(yīng)用于汽車、能源、工業(yè)、通訊和消費電子領(lǐng)域。 近日，國產(chǎn)新能源汽車領(lǐng)域放出了一個重磅消息。一直默默布局半導(dǎo)體行業(yè)的比亞迪一舉拿下19億融資，并稱將在合適的時機掛牌上市。長期以來中國半導(dǎo)體嚴重依賴進口，作為國內(nèi)數(shù)一數(shù)二的汽車半導(dǎo)體巨頭，比亞迪半導(dǎo)體融資上市，對國內(nèi)汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)意義重大。 比亞迪在發(fā)布的公告中稱，旗下比亞迪半導(dǎo)體有限公司正式引入戰(zhàn)略投資者，由紅杉資本、中金資本以及國投創(chuàng)新領(lǐng)銜投資，Himalaya Capital等多家國內(nèi)外投資機構(gòu)參與認購。 本輪投資者按照比亞迪半導(dǎo)體投前估值75億元，融資共計19億元，取得比亞迪半導(dǎo)體共計20.2126%股權(quán)，投后估值近百億元。此次融資，不過是4月中旬內(nèi)部重組的后續(xù)動作。 這也意味著，比亞迪帝國在半導(dǎo)體芯片特別是汽車半導(dǎo)體芯片(IGBT芯片)領(lǐng)域，拼出了新的版圖。汽車半導(dǎo)體前景廣闊，中國也是世界半導(dǎo)體需求最旺盛的國家，面對中國這個龐大的市場，國內(nèi)各路半導(dǎo)體廠商都躍躍欲試。 長期以來，中國半導(dǎo)體嚴重依賴進口。而在中美貿(mào)易摩擦加劇的情況下，只有將要命的“芯”攥在自己手里才能夠安心。借助內(nèi)外部的多重契機，比亞迪順勢推出比亞迪半導(dǎo)體，正是恰逢其時。 芯片：新能源汽車供應(yīng)鏈上的新蛋糕 比亞迪半導(dǎo)體此次募資重點將投向IGBT芯片設(shè)計和制造量產(chǎn)。而在該領(lǐng)域，比亞迪也算是有豐厚的技術(shù)積累。 IGBT芯片被譽為電動車的“CPU”，IGBT全稱“絕緣柵雙極型晶體管”。對于電動車而言，它直接決定了車輛的扭矩和最大輸出功率(進而影響電動車的時速)等。它能控制直流電、交流電之間的轉(zhuǎn)換，還能進行交流電機的變頻控制，是整個“三電系統(tǒng)”的核心要件之一。 因此，IGBT芯片對于電動車而言不可或缺。2018年以來，新能源汽車高速發(fā)展，給IGBT芯片乃至整個汽車半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了新的歷史機遇。 2019年12月10日，全國乘用車市場信息聯(lián)席會(以下簡稱“乘聯(lián)會”)發(fā)布了11月我國乘用車產(chǎn)銷數(shù)據(jù)。11月的新能源車批發(fā)銷量達到13.6萬輛，環(huán)比增長19.1%，同比增長69%;其中插混同比增長87%，純電動同比增長65%。1~11月新能源乘用車批發(fā)88萬輛。 新能源汽車迅猛增長，拉動汽車半導(dǎo)體也迅猛增長。在新能源汽車的成本結(jié)構(gòu)中，IGBT占據(jù)著5%-10%的比例，僅次于動力電池。以單車成本15萬計算，IGBT價值在7500-15000元。 因此，IGBT市場前景廣闊。機構(gòu)預(yù)計2020年全球IGBT市場空間接近百億元，到2025年國內(nèi)新能源汽車IGBT市場空間1050億元左右。 龐大的市場空間，讓IGBT芯片成了新能源汽車供應(yīng)鏈上的一塊新蛋糕。目前，國內(nèi)關(guān)鍵廠商只有包含比亞迪在內(nèi)的兩家公司具備該領(lǐng)域的核心技術(shù)，比亞迪之外，另一家是軌道交通的中車(高鐵)。 長期以來，我國的電動車半導(dǎo)體需要依賴國外進口，但隨著中美貿(mào)易摩擦增大，外部風(fēng)險也與日俱增，這為早就潛心準(zhǔn)備的比亞迪創(chuàng)造了外部機遇。 外部壟斷正在被打破 多年來，IGBT核心技術(shù)一直為日本歐洲等外部廠商占據(jù)。2017年全球IGBT功率半導(dǎo)體排行中，基本全都是國外企業(yè)，老大英飛凌占據(jù)27.1%的市場份額，日本三菱占據(jù)16.4%的市場份額位居第二，日本富士電機名列第三，前五大企業(yè)占據(jù)了67.5%的市場份額，中國產(chǎn)品則還有很大的替代空間。 由美國率先掀起的貿(mào)易戰(zhàn)，又讓這種半導(dǎo)體貿(mào)易蒙受新的沖擊。作為世界上最大的半導(dǎo)體消費國和半導(dǎo)體進口國，在該領(lǐng)域受到?jīng)_擊可想而知。 國家為沖破外部阻撓，加大了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持力度。國家相關(guān)部委在2月下旬印發(fā)《智能汽車創(chuàng)新發(fā)展戰(zhàn)略》，中國半導(dǎo)體企業(yè)迎來政策春風(fēng)。這對國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，也是一場及時雨。 雖然短期內(nèi)外國半導(dǎo)體巨頭的地位仍難撼動。但目前，中國的一批半導(dǎo)體企業(yè)已經(jīng)逐步成長起來了。比亞迪是其中代表，憑借數(shù)十年在能源電池、電動車、車載芯片方面的應(yīng)用，如今比亞迪已經(jīng)成長為國內(nèi)最大的IGBT車規(guī)級半導(dǎo)體廠商。 不過，長期以來，比亞迪半導(dǎo)體的一些芯片多給內(nèi)部供應(yīng)，很少將之用于外部市場。而近年來，比亞迪半導(dǎo)體不僅在IGBT技術(shù)上實現(xiàn)了新突破，而且在量產(chǎn)規(guī)模上也有了顯著提升，此時將自己的過剩產(chǎn)能用于外部客戶也是順理成章。 乘著中國半導(dǎo)體崛起迎來的窗口期加速發(fā)展，拿下巨頭缺失的市場無疑是明智之舉。 比亞迪IGBT厚積薄發(fā) “今年年底，比亞迪寧波IGBT工廠的產(chǎn)能是月產(chǎn)5萬片晶圓，而到2020年，將實現(xiàn)月產(chǎn)10萬片晶圓，也就是年產(chǎn)120萬片的產(chǎn)能。”比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛介紹道。比亞迪目前已經(jīng)有了從自給自足轉(zhuǎn)向?qū)ν忾_放的條件和優(yōu)勢了。 據(jù)透露，2019年，比亞迪就已經(jīng)拿出部分產(chǎn)能面向其他新能源汽車廠商供應(yīng)。 產(chǎn)能方面，雖然目前比亞迪尚不能直接與歐美巨頭相抗衡，但是如今除了自用之外，已經(jīng)足夠滿足部分外部客戶的使用需求了。 產(chǎn)能問題始終是行業(yè)焦點，業(yè)內(nèi)人士透露，目前英飛凌IGBT的交付周期已經(jīng)達到12個月，國內(nèi)不少新能源車企的車輛交付因此受到影響。而在產(chǎn)能方面，比亞迪半導(dǎo)體已經(jīng)具備替代優(yōu)勢。 在技術(shù)方面也不賴。比亞迪最新的IGBT 4.0技術(shù)對外宣布于2018年12月，是國內(nèi)車規(guī)級IGBT產(chǎn)業(yè)的重大突破?！耙匀乱淮茷槔?，在其他條件不變的情況下，采用比亞迪的IGBT4.0，較采用當(dāng)前市場主流的IGBT，百公里電耗少約3%?！睋?jù)陳剛介紹說。 該技術(shù)產(chǎn)品模塊，將溫度壽命做到市場主流廠商的10倍以上，將電車電流輸出能力較同等工況下市場主流產(chǎn)品提升15%，支撐更強的汽車急速能力。 最后在制程工藝上，也有了突破，將原有體積經(jīng)過十道工序，縮小到120um，僅有兩根頭發(fā)絲直徑的厚度。 比亞迪在宣布該項技術(shù)的同時，其還同時宣布性能更加優(yōu)異的第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)。據(jù)悉，其硅基SiC新材料制出來的性能會更好，在電流輸出能力、損耗方面都表現(xiàn)更優(yōu)。而比亞迪半導(dǎo)體的IGBT不僅可以用于汽車領(lǐng)域，還可以用于其他工業(yè)領(lǐng)域。 達成如今的好成績，比亞迪用了十三年。通過十三年厚積薄發(fā)的持續(xù)努力，比亞迪已經(jīng)具備了與國際產(chǎn)業(yè)巨頭英飛凌相抗衡的實力。如今借著政策東風(fēng)，借資本單飛，正當(dāng)其時。 融資開啟新征程 比亞迪半導(dǎo)體的前身是比亞迪微電子，曾是比亞迪集團下一個事業(yè)部。比亞迪作為一個大型綜合汽車制造商，能夠給與其半導(dǎo)體事業(yè)部的資金支持十分有限，通過重組整合之后，比亞迪半導(dǎo)體作為獨立公司，則能夠從社會上吸引更多資金，更好促進自身的發(fā)展，加速融資也在情理之中。 此前，比亞迪微電子只是作為內(nèi)部供應(yīng)鏈的一部分，沒有獨立盈利能力。而比亞迪半導(dǎo)體則能夠?qū)I(yè)務(wù)開放給所有的汽車整車制造廠，這樣更便于公司自負盈虧。 具體來看，這樣做也有出于規(guī)模效益的考慮，比亞迪半導(dǎo)體長期投入，需要資金，必然拖累比亞迪母公司的利潤率，影響資本市場對比亞迪公司的評判。比如，去年比亞迪母公司受拖累利潤降至1.32%。 此外，在比亞迪的核心領(lǐng)域，面臨特斯拉和寧德時代的雙重夾攻，壓力很大。加快半導(dǎo)體融資有利于其擺脫母公司影響，不受干擾獨立發(fā)展。 同時，將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打包獨立運營，則有利于緩解比亞迪電池的資金流供應(yīng)問題，通過拆分將旗下所有相關(guān)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)納入比亞迪半導(dǎo)體，也有利于資源整合。 整合后的比亞迪半導(dǎo)體不僅僅面向汽車生產(chǎn)商，還可以將業(yè)務(wù)拓展到消費電子、工業(yè)等諸多領(lǐng)域，成為一家名副其實的半導(dǎo)體企業(yè)，而不僅僅是汽車半導(dǎo)體公司。而通過優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)，更多的吸引社會投資，明顯可以幫助比亞迪半導(dǎo)體加快這一進程。 比亞迪半導(dǎo)體等一批國內(nèi)企業(yè)的成長成熟，對于站在智能物聯(lián)社會十字路口的中國而言，無疑是一件好事。當(dāng)然，我們?nèi)员仨毨硇钥陀^的認識到，我們離世界先進水平依舊有差距，還需要繼續(xù)努力。 新能源汽車行業(yè)一定是有廣大的發(fā)展前途的，汽車智能化和網(wǎng)絡(luò)化也是必然的趨勢。在汽車智能化領(lǐng)域，我國完全可以建造一條國產(chǎn)供應(yīng)鏈，將汽車芯片技術(shù)牢牢鎖在國內(nèi)。

    半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 汽車 比亞迪

  • 筆記本外接顯卡有什么優(yōu)缺點?是否存在局限性?

    對于筆記本電腦來說，性能和便攜性是無法完美兼容的。如果原來的顯卡性能不算很好，我們可以購置更好的顯卡進行替換，以顯示更好的畫面效果。如果是筆記本電腦置換顯卡，就需要拆開筆記本安裝顯卡。那么外接顯卡有什么優(yōu)缺點?是否存在局限性?外接顯卡的方法步驟是什么呢? 外接顯卡有什么優(yōu)缺點? 優(yōu)點：通用性比較高，成本投入低。 缺點：由于傳輸?shù)膸挼南拗?，無法發(fā)揮桌面顯卡的全部性能，并且由于是DIY組裝，顯卡的穩(wěn)定性得不到很好的保障，易用性較低。 外接顯卡有什么局限性? 1、外接獨立顯卡的TDP不能太高，目前市面上所售的適配器最大為220w，那也就是說所選用的獨立顯卡最好是GTX 980或R9 290以下的顯卡。 2、接獨立顯卡的筆記本的CPU也要有足夠的性能，這樣才能夠?qū)@卡的性能發(fā)揮出來。 外接顯卡的方法步驟是什么? 1、外接前需要準(zhǔn)備為顯卡供電的200W外設(shè)電源、接口為expresscard和mini hdmi的EXP GDC設(shè)備，用來連接筆記本和顯卡、一個EXP GDC主板用來連接外置顯卡、一根接口為HDMI和mini HDMI標(biāo)準(zhǔn)的HDMI線，最后就是一塊給力的顯卡了。 2、首先，給EXP GDC主板安裝4個固定螺絲，安裝好后，在插接好外置顯卡后能夠更穩(wěn)定的放置。 3、四個螺絲支柱比較容易安裝，不用螺絲刀直接用手擰就行。 4、安裝好4個螺絲支柱的EXP GDC主板，可以看到上面清晰的寫著，小編手里這款設(shè)備是V2.5版本。來個細節(jié)看看做工，對于價格不高的一款產(chǎn)品來說，從電阻、電容的焊接，可以看到雖然沒法很一些大廠相媲美，但是也相當(dāng)不錯了! 5、這個PCI-E插槽就是用來連接臺機顯卡的!主板上帶了兩個mini HDMI接口，也就這款設(shè)備雙路數(shù)據(jù)連接，筆者本次只測試了單獨連接Expresscard接口，有興趣的網(wǎng)友可以試試再加上mini PCI-E接口的雙路連接性能表現(xiàn)。 6、將電源的4pin接口連接到主板上，從上到下依次是，4Pin電源接口，雙路電源線，mini HDMI。 7、下面就可以把你的大家伙，外置顯卡插在EXP GDC的主板上啦!注意對齊，猛烈的插進去就行。 8、連接完成，最后查看電源的功率。

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  • 筆記本電腦內(nèi)存條如何安裝？

    對于很多使用筆記本電腦的用戶來說，除了電池續(xù)航問題之外，估計就是電腦內(nèi)存不夠用。因此，有時我們會選擇增加一條內(nèi)存以提升電腦的速度，并且增大筆記本電腦內(nèi)存。 筆記本電腦加裝內(nèi)存條的操作方法： 1、首先卸下筆記本電池，這是為了避免電腦安裝內(nèi)存條會開機燒毀內(nèi)存槽; 2、然后逐一將后蓋上的螺絲拆除，打開后蓋就可以看到內(nèi)存條、風(fēng)扇等等硬盤; 3、找到內(nèi)存條旁邊的卡扣，摳開，使第一張內(nèi)存條“站立”起來; 4、穩(wěn)穩(wěn)地將加裝的內(nèi)存條以45度角斜插入第一張內(nèi)存條的下方，注意：內(nèi)存條芯片一定要朝上; 5、安裝完內(nèi)存條后用雙手按緊兩邊卡扣; 6、將加裝內(nèi)存條往下壓，直到聽到“啪”的一聲，然后第一張內(nèi)存條重復(fù)動作; 7、依次將后蓋、螺絲、電池安裝上去，開機檢測是否安裝成功。

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  • PCI-E硬盤？PCI-E硬盤和SSD有何區(qū)別？

    隨著電腦的處理器性能不斷的優(yōu)化，已經(jīng)可以達到前所未有的高速處理速度。在系統(tǒng)啟動或者處理數(shù)據(jù)時，大部分的延遲耽誤在了機械硬盤身上，完全泯滅了處理器的高性能，因而隨著機械硬盤的沒落，固態(tài)硬盤開始獨占鰲頭，在固態(tài)硬盤中是有PCI-E的固態(tài)硬盤。那么，PCI-E硬盤到底是什么呢?而PCI-E硬盤和SSD存在什么區(qū)別呢? PCI-E硬盤是什么? PcleSSD意思就是走PCIE接口協(xié)議的SSD，目前這個速度是最快的可以達到16G每秒。其次是M.2的NV協(xié)議再次是M.2的sata協(xié)議 最后才是sata協(xié)議的固態(tài)。 PCI-E硬盤和SSD存在什么區(qū)別? 一、傳輸速度不同： 1、SATA有三代，SATAⅠ速度為1.5Gb/s，SATAⅡ速度為3.0Gb/s，SATAⅢ速度為6.0Gb/s;這三代都互相兼容。 2、PCI-E硬盤也分為PCIE3.0和2.0，以及有x4和x2的區(qū)別(總線數(shù)為4和2)，PCIE 3.0 x4速度為32Gb/s，PCIE 3.0 x2速度為16Gb/s，PCIE 2.0 x4速度為20Gb/s，PCIE 2.0 x2速度為10Gb/s，也是向下兼容。 二、硬盤接口不同： PCI-E是SSD的一種接口類型，SSD的接口，分為SATA、PCIE、msata和m.2這四種常見的。 三、硬盤性能不同： 1、從傳輸效率上來講，板載的PCLe比SATA更適合于CPU、內(nèi)存數(shù)據(jù)進行通訊與傳遞。 2、PCI-E接口的SSD通過PCI總線直接進行存儲器訪問，而非只是將閃存或DRAM內(nèi)存封裝成SCSI連接的硬盤驅(qū)動器。 在計算機發(fā)展的進60年中，從最初的打孔卡到今天的固態(tài)硬盤，存儲介質(zhì)發(fā)生了翻天覆地的變化。

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  • Vayyar：將3D圖像傳感器引入自動駕駛汽車

    有沒有想過將一種傳感器安裝到汽車內(nèi)，在內(nèi)可提醒司機杜絕疲勞駕駛，增加駕駛員安全性，在外可遠距離監(jiān)視生命體征，識別障礙物，在惡劣天氣提高駕駛安全性。 以色列3D影像傳感器公司Vayyar Imaging在汽車和自動駕駛市場推出其屢獲殊榮的傳感器技術(shù)，該技術(shù)使人們可以透視材料，繪制3D對象和感測液體。3D傳感器可實現(xiàn)突破性的安全性提升，貨物管理的新效率并增強自動駕駛和自動駕駛汽車的安全性。 Vayyar的3D傳感器具有獨特的多功能性。單個傳感器可以提供以前需要將多種技術(shù)和傳感器結(jié)合使用的強大傳感功能。Vayyar的傳感器也是安全，低成本，可移動的，并且可以在任何光照和環(huán)境條件下工作。它們不捕獲光學(xué)圖像，因此尊重隱私。 “汽車市場一直處于技術(shù)發(fā)展的最前沿，隨著我們朝著自動導(dǎo)航的方向發(fā)展，我們的汽車需要不斷，準(zhǔn)確和新型的信息，以了解汽車內(nèi)外發(fā)生的一切?！币彩荲ayyar Imaging的聯(lián)合創(chuàng)始人。“我們相信，汽車行業(yè)的下一步發(fā)展將為汽車外部的障礙提供安全保護，并監(jiān)控汽車內(nèi)人員的健康和安全?！? 3D成像如何改變車載監(jiān)控和安全性 Vayyar的嵌入式3D傳感器可掃描汽車內(nèi)部，并實時顯示車輛中發(fā)生的一切。通過從遠處監(jiān)視生命體征，傳感器可以提醒正在打瞌睡的駕駛員，或者如果嬰兒或?qū)櫸锪粼谲噧?nèi)，則向父母發(fā)送警報。事故后的3D傳感器可以識別車輛內(nèi)幸存者的狀態(tài)，并將信息轉(zhuǎn)發(fā)給應(yīng)急人員。在自動駕駛領(lǐng)域，Vayyar的傳感器創(chuàng)建3D圖像，使自動駕駛汽車能夠識別車內(nèi)人員的數(shù)量，并在發(fā)生事故的情況下，根據(jù)座椅的座位位置和乘客的大小優(yōu)化安全氣囊以使其展開和膨脹。 車內(nèi)外360度全景 Vayyar的3D圖像傳感器可用于清除所有盲點，識別附近的障礙物，騎自行車的人，太近且自動泊車的車輛，并提供垂直和水平方向的周界信息或大型或小型車輛。Vayyar的傳感器與諸如黑暗，過多的光線，高溫或霧氣等環(huán)境因素?zé)o關(guān)，從而可以提高安全性。 該公司專有的跟蹤和傳感技術(shù)提供了安全的人機交互工作環(huán)境，具有先進的避碰功能和精確的測量功能，可確保更高的生產(chǎn)率以及人機之間的安全交互，例如機器人，叉車和小型自動駕駛汽車。 貨運管理優(yōu)化 Vayyar的3D傳感器還可以實現(xiàn)體積感測，并提高了貨物管理的效率。3D傳感器放置在運輸車輛內(nèi)部時，可以繪制可用空間，集裝箱內(nèi)對象的分布圖，并在運輸過程中通過實時檢測貨物的移動來提供貨物完整性。Vayyar的傳感器為卡車，貨車，公共汽車和火車提供了另一層數(shù)字化功能，以優(yōu)化車隊和車輛水平的利用率。 根據(jù)Research and Markets的最新報告，全球3D傳感器市場有望在未來十年以17.4%的復(fù)合年增長率增長，到2025年將達到約120億美元。Vayyar處于市場領(lǐng)導(dǎo)者的有利位置3D傳感器，并于2011年開始開發(fā)其強大的3D圖像傳感器技術(shù)，以幫助檢測乳腺癌。 此后，Vayyar將其3D傳感器產(chǎn)品擴展到了汽車以外的其他市場，并將3D傳感器應(yīng)用到智能家居，智能建筑，農(nóng)業(yè)，機器人技術(shù)，AR和VR，個人健康，DIY和建筑等眾多行業(yè)領(lǐng)域。

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  • 碳納米管由實驗室走向工業(yè)場景

    現(xiàn)代微處理器是世界上最復(fù)雜的系統(tǒng)之一，但其核心是一個非常簡單而優(yōu)美的器件——晶體管。微處理器中有數(shù)十億個近乎完全相同的晶體管。因此，提高晶體管的性能和密度是促使微處理器及受其驅(qū)動的計算機更高效工作的最直接的方法。 硅晶體管尺度的不斷縮小推進著電子技術(shù)的進步。當(dāng)摩爾定律走到止境，硅晶體管縮小變得越來越困難。以半導(dǎo)體碳納米管為基礎(chǔ)的晶體管，作為先進微電子器材中硅晶體管的替代品，與金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)相似，它成為構(gòu)建下一代計算機的基本單元。當(dāng)然，盡管碳納米管場效應(yīng)晶體管(CNFET)比硅場效應(yīng)晶體管更節(jié)能，但它們現(xiàn)在仍大多存在于實驗室傍邊。 現(xiàn)在，麻省理工學(xué)院Shulaker研討團隊經(jīng)過對規(guī)范納米管堆積溶液工藝進行優(yōu)化，將少數(shù)的納米管溶液堆積在晶圓上，明顯進步了吞吐量，加快了堆積過程的速度超越1,100倍，一起降低了本錢。 這使他們可以在商業(yè)硅制作廠和大批量半導(dǎo)體代工中制作碳納米管場效應(yīng)晶體管。Max M. Shulaker是2013年第一臺碳納米管計算機研討成果第一作者;于2016年加入MIT擔(dān)任助理教授，繼續(xù)開展碳納米管相關(guān)的研討。 現(xiàn)在，將碳納米從實驗室轉(zhuǎn)移到工業(yè)場景面對的中心應(yīng)戰(zhàn)在于： 一切用于制作碳納米管場效應(yīng)晶體管的資料和工藝有必要滿足硅基商業(yè)制作設(shè)備的嚴格的兼容性要求，更深層次的應(yīng)戰(zhàn)還在于，如何在工業(yè)規(guī)范基板尺度(200mm直徑的晶圓及以上)上均勻地堆積碳納米。 要完成這種碳納米堆積技術(shù)有必要滿足三個條件： 一是在確保規(guī)?；霎a(chǎn)的一起，最大極限地降低本錢; 二是要可以利用現(xiàn)有設(shè)備，不引入制止的化學(xué)污染物或微粒; 三是要完成比同等尺度硅基更強的功能。 在實驗室中構(gòu)建CFNET的最有效的辦法之一是納米管堆積辦法，即將晶圓浸泡在納米管液中，直到納米管粘在晶圓外表。 碳納米管場效應(yīng)晶體管(CNFETs)的功能在很大程度上是由堆積工藝決定的，它影響著晶圓外表碳納米管的數(shù)量和方向。"它們 "要么以隨機的方向粘在晶圓上，要么全部排列在同一方向。 這種堆積辦法盡管對工業(yè)界來說很實用，但底子無法使納米管對齊。經(jīng)過對堆積過程的仔細觀察，研討人員發(fā)現(xiàn)干式循環(huán)，一種間歇性地干燥浸泡晶圓的辦法，可以將堆積時間從48小時大幅縮短到150秒。 經(jīng)過ACE辦法培養(yǎng)進步碳納米管堆積的辦法。 于是，他們提出了ACE(經(jīng)過蒸騰人工濃縮)，將少數(shù)的納米管溶液堆積在晶圓上，而不是將晶圓浸泡在槽中。溶液的緩慢蒸騰增加了碳納米管的濃度和堆積在晶圓上的納米管的總體密度。 現(xiàn)在，研討人員與商業(yè)硅制作廠Analog Devices和半導(dǎo)體代工廠SkyWater Technology合作，運用改進后的辦法制作出了CNFET。他們可以運用這兩家工廠制作硅基晶圓所運用的相同設(shè)備，一起也確保了納米管溶液符合這兩家工廠對化學(xué)和污染物的嚴格要求。 值得注意的是，該研討產(chǎn)出的并非傳統(tǒng)意義上的計算機芯片，僅是制作工藝的演示，并且晶體管的柵極長度(即制程)為130nm，相當(dāng)于2001年代的芯片工藝。新工藝也只完成了45個納米管/微米，這仍然明顯低于之前研討人員預(yù)測的200個的最佳密度。 不過，研討人員還對納米管的密度與能效聯(lián)系進行了剖析：即便在較低的密度下，節(jié)省的本錢也會很可觀。 即便納米管密度為25，也會帶來2.5倍的能效提升。盡管要將這一突破轉(zhuǎn)化為一個實用芯片技術(shù)還有很長的路要走，但它是朝著高功能納米管計算的未來邁出的重要一步，可能成為摩爾定律之后下一個最為重要的「兵器」。 晶體管的密度隨著每一個技術(shù)節(jié)點的增加而增加，納米管設(shè)計是在不斷的延伸摩爾定律，相信這種晶體管的性能會有無限潛力。

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  • 長江存儲打破三星壟斷，歷時4年成功突圍

    雖然我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)進度相對落后，時至今日仍有不少企業(yè)，因為沒有掌握核心技術(shù)而受制于人，但也有很多科技巨頭成功打破了海外國家的壟斷。例如京東方，不僅沖破了西方對中國的技術(shù)封鎖，而且一躍成為全球LCD面板領(lǐng)域的霸主，更在OLED領(lǐng)域直追三星。除京東方之外，還有一家國產(chǎn)芯片巨頭成功打破三星的壟斷，這位巨頭正是長江存儲。 近幾年，國產(chǎn)手機廠商逐漸在全球市場建立起極高知名度。在設(shè)計以及部分技術(shù)方面，國產(chǎn)手機廠商甚至已達到領(lǐng)先世界的水準(zhǔn)，但一些手機組成的關(guān)鍵重要部件，還是仍需進口，內(nèi)存便是其中之一。三星手機雖然在國內(nèi)銷量不佳，但憑借著內(nèi)存業(yè)務(wù)，硬是將中國變成海外第一大市場。 國內(nèi)雖然也有生產(chǎn)內(nèi)存芯片的廠商，但由產(chǎn)品落后，因此基本沒有商家選用。大多數(shù)品牌手機或是電腦，使用的內(nèi)存都是三星、海力士等海外品牌產(chǎn)品。據(jù)統(tǒng)計2019年，中國單單是進口的內(nèi)存產(chǎn)品金額就超過1000億美元，內(nèi)需市場之龐大可見一斑。 其實，國內(nèi)存儲芯片廠商也并非是沒有在該領(lǐng)域取得任何成績，隨著市場規(guī)模不斷擴大，許多廠商都加大對該類產(chǎn)品研發(fā)投入力度。當(dāng)然，也有一些企業(yè)在部分技術(shù)方面突圍成功，長江存儲便是其中代表。 據(jù)公開資料顯示，長江存儲成立于2016年，成立之初曾計劃投資1600億發(fā)展國產(chǎn)內(nèi)存。如今四年時間過去，長江存儲雖然沒能取代三星、海力士等品牌在市場上的地位，但在技術(shù)層面上，長江存儲已經(jīng)獲得與三星這類頂級內(nèi)存廠商叫板的實力。 不久之前，長江存儲宣布推出128層QLC3D閃存，而128層堆疊技術(shù)是目前閃存芯片的技術(shù)巔峰。值得一提的是，國內(nèi)首個32層堆棧閃存、64層堆棧閃存都是長江存儲首發(fā)?？梢姡摴驹趪鴥?nèi)芯片市場中的地位。 長江存儲實現(xiàn)128層堆疊技術(shù)，更重要的意義在于，打破美韓企業(yè)在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，中國有望從內(nèi)存進口大國向內(nèi)存出口大國轉(zhuǎn)型。根據(jù)長江存儲公布的相關(guān)刷數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計到今年年底，中國的NAND產(chǎn)能可以占到全球產(chǎn)能的8%，而在2021年，隨著長江存儲擴容，產(chǎn)能占比有望達到25%。 雖然距離自給自足還需要一段時間，但也要明白，長江存儲從無到有再到取得如今成績，用時也不過四年。這家芯片巨頭還非常年輕，未來有足夠的時間用產(chǎn)品證明自己。 屆時，長江存儲不僅能夠帶領(lǐng)中國存儲芯片行業(yè)打破海外國家的壟斷，而且還能夠一躍成為世界第三。

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  • 2C1A氮化鎵充電器滿足你的充電需求

    還在煩惱桌面上滿是充電器，插線板不夠用嗎?試試摩米士65W 2C1A氮化鎵充電器，改變你的生活，使桌面更加整潔。 右上角的3C認證和500萬責(zé)任險，其他就是全英文了。概括一下就是高功率65W、三個充電接口、氮化鎵、相比于原裝充電器帶來4倍快充，支持華為SuperCharge，QC3.0，PD3.0。 側(cè)面：有一個充電接口詳圖，接著就是USB A和USB C接口介紹，其中USB A接口支持Apple2.4A快充。 單口：USB-C1和USB-C2輸出功率完全相同，最高支持20V-3.25A 65W最大功率，還支持3.3-21V/3A的PPS電壓檔位。最重要的是這兩個接口可以盲插。但是在雙口同時使用時USB C1與C2還是有區(qū)別的，嚴格來說C1比C2更全能。 翻頁式包裝，右側(cè)邊緣有磁鐵吸附。打開就能看到充電頭主體，被透明吸塑盒完整包裹。但翻開包裝是取不出來的，必須從底部或者上方打開取出。結(jié)合上方的掛鉤，這樣的設(shè)計更適合實體店展示。 包裝內(nèi)并未附送電源線，除了充電頭，只有說明書和摩米士品牌介紹。充電頭被一層磨砂CPE膜包裹，并在插腳處做了缺口，正常使用可以不用取下，潔癖福音。 充電協(xié)議測試 USB A口支持APPLE 2.4A快充協(xié)議，亮點是華為的SCP和FCP，其中SCP最高22.5W。實測華為mate30Pro，可以開啟超級快充。 兩個USB C接口協(xié)議與檔位完全相同，這也是敢說雙口盲插的底氣。其中華為SCP最高功率升至25W。 支持QC3.0 PD3.0和 3.3-21V/3A的PPS，PPS規(guī)范將電壓調(diào)幅度降低到為20mV一檔，電壓調(diào)節(jié)更為精準(zhǔn)。 iPhone Xs成功開啟PD快充，充電功率17.5W，為MacBook Pro充電，功率61.4W，達到MacBook Pro 最大充電功率，同時為iPhone XS和MacBook Pro充電，筆記本供電功率最大44W。 由于采用了氮化鎵技術(shù)，體積與重量控制的都很好.29×43×66mm的長方體，重量實測107.8g。 大弧面收邊，接縫均勻，沒有毛刺。大面積采用磨砂抗指紋處理，同時也不易留下劃痕。可折疊插腳進一步減小空間占用，插腳的折疊手感柔和，質(zhì)感很好。 PD快充協(xié)議，涵蓋了QC、AFC、FCP、SCP等多種協(xié)議，且功率較大。目前越來越普及，一個統(tǒng)一的協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)將為多設(shè)備用戶帶來更便捷的體驗。65W的2C1A充電器，提供了兩個可以盲插的C口，還保留了傳統(tǒng)的USB A接口。 氮化鎵充電器功率更高，耐高溫，抗輻射、耐酸堿，相比其他充電器體積更小，適合桌面以及旅行的攜帶充電神器。

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  • 北斗芯片的未來將會有哪些“芯”的計劃和發(fā)展?

    北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)(BDS)是中國著眼于國家安全和經(jīng)濟社會發(fā)展需要，自主建設(shè)、獨立運行的衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)，是為全球用戶提供全天候、全天時、高精度的定位、導(dǎo)航和授時服務(wù)的國家重要空間基礎(chǔ)設(shè)施。而北斗芯片包含了RF射頻芯片，基帶芯片及微處理器的芯片組，相關(guān)設(shè)備通過北斗芯片，可以接受由北斗衛(wèi)星發(fā)射的信號，從而完成定位導(dǎo)航的功能。隨著國產(chǎn)北斗芯片取得種種突破性進展，北斗應(yīng)用也正在諸多領(lǐng)域邁向“標(biāo)配化”發(fā)展的新階段。那么在未來，北斗芯片的未來將會有哪些“芯”的計劃和發(fā)展? 一、北斗芯片性能再上新臺階 目前，國產(chǎn)北斗芯片在衛(wèi)星導(dǎo)航、位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)等方面都得到了廣泛的運用，同時，在技術(shù)研發(fā)方面也有了很大突破。賽迪顧問智能裝備產(chǎn)業(yè)研究中心楊雪瑩認為，國產(chǎn)北斗芯片、模塊等關(guān)鍵技術(shù)發(fā)展迅速，性能指標(biāo)已經(jīng)達到國際先進水平。目前，支持北斗三號新信號的28納米工藝射頻基帶一體化SoC芯片，已在物聯(lián)網(wǎng)和消費電子領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用;最新22納米工藝雙頻定位芯片已具備市場化應(yīng)用條件。 在全頻一體化高精度芯片研發(fā)的同時，全球首顆全面支持北斗三號民用導(dǎo)航信號體制的高精度基帶芯片“天琴二代”在北京正式發(fā)布，這代表著國產(chǎn)北斗芯片的性能將再上一個臺階，且性能指標(biāo)與國際同類產(chǎn)品相當(dāng)。據(jù)《2020中國衛(wèi)星導(dǎo)航與位置服務(wù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書》顯示，截至2019年底，國產(chǎn)北斗導(dǎo)航芯片模塊累計銷量已突破8000萬片，高精度板卡和天線銷量已占據(jù)國內(nèi)30%和90%的市場份額，并輸出到100余個國家和地區(qū)。 中國衛(wèi)星導(dǎo)航定位協(xié)會秘書長張全德也認為，目前國內(nèi)以北斗為核心的導(dǎo)航與位置服務(wù)技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)活躍，國產(chǎn)芯片、模塊等關(guān)鍵技術(shù)進一步取得全面突破，性能指標(biāo)與國際同類產(chǎn)品相當(dāng)，并已形成一定價格優(yōu)勢。此外，國產(chǎn)基礎(chǔ)產(chǎn)品在工藝和性能方面也進一步向國外先進技術(shù)水平看齊。 二、攻克技術(shù)與研發(fā)難關(guān)，迎來“芯”發(fā)展 盡管國產(chǎn)北斗芯片如今在各個領(lǐng)域已經(jīng)取得了很大成就，但是在技術(shù)與研發(fā)方面依然存在著一些問題和挑戰(zhàn)。在技術(shù)方面，張全德認為，國產(chǎn)北斗芯片目前在功能集成融合方面技術(shù)積累較為薄弱，挑戰(zhàn)較大。然而，目前的北斗應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化發(fā)展已經(jīng)全面進入技術(shù)融合、應(yīng)用融合、產(chǎn)業(yè)融合的新階段。因此，北斗芯片如何更好地融合于移動通信芯片，融合于物聯(lián)網(wǎng)芯片，這對于北斗產(chǎn)業(yè)的發(fā)展來說至關(guān)重要。 在北斗芯片研發(fā)方面，深圳華大北斗科技有限公司北京分公司總經(jīng)理葛晨認為，與北斗系統(tǒng)空間段高速發(fā)展的節(jié)奏相比，北斗芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展滯后，是目前北斗應(yīng)用的短板和痛點之一。目前北斗芯片研發(fā)團隊小而散，發(fā)展基礎(chǔ)多以民間資本為主，無法形成大規(guī)模、高水平、大跨度的提升和進步。這種局面嚴重制約了產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的發(fā)展。 三、功能集成化成必然趨勢 在未來，北斗芯片應(yīng)用領(lǐng)域?qū)絹碓綇V泛，對于技術(shù)的要求也會越來越高。同時，面對各種問題和挑戰(zhàn)，北斗“芯”技術(shù)將會有怎樣的發(fā)展目標(biāo)?對此，楊雪瑩認為，一方面要進一步加強基礎(chǔ)產(chǎn)品研發(fā)應(yīng)用，開發(fā)北斗兼容GPS、格洛納斯、伽利略等其他衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的芯片、模塊、天線等基礎(chǔ)產(chǎn)品，發(fā)展壯大自主的北斗產(chǎn)業(yè)鏈。另一方面要繼續(xù)開發(fā)并完善北斗的高密度導(dǎo)航芯片等技術(shù)和產(chǎn)品，突破我國北斗導(dǎo)航芯片研發(fā)短板，同時加強產(chǎn)品和應(yīng)用模式創(chuàng)新，提升產(chǎn)品性能、功耗、成本等核心競爭力。 此外，葛晨向中國電子報記者表示，提升芯片集成度將是未來北斗芯片發(fā)展的重點技術(shù)攻關(guān)方向：“目前導(dǎo)航定位芯片較為成熟且性價比較好的工藝是40nm CMOS工藝，可以為導(dǎo)航定位芯片帶來低功耗、低成本、低風(fēng)險等諸多優(yōu)勢，未來將向更先進的工藝演進和升級。SoC芯片在單一芯片上集成微處理器、模擬IP核、數(shù)字IP核和存儲器、外圍接口等，具備集成度高、功能強、功耗低、尺寸小等優(yōu)點，可以有效地降低電子/信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本，縮短開發(fā)周期，提高產(chǎn)品的競爭力，這也是北斗芯片技術(shù)發(fā)展的必然趨勢?！? 同時，張全德也提到，隨著北斗“融技術(shù)、融網(wǎng)絡(luò)、融終端、融數(shù)據(jù)”的全面發(fā)展，也必將形成一個個“北斗+”創(chuàng)新和“+北斗”應(yīng)用的新生業(yè)態(tài)，成為國家綜合時空體系建設(shè)發(fā)展全新布局的核心基礎(chǔ)和動力源。所以北斗芯片未來的發(fā)展趨勢將是通過功能集成來達到性能優(yōu)化，同時融合通信、物聯(lián)網(wǎng)和各種傳感器，成為推動智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的助推器。 中國始終秉持和踐行“中國的北斗，世界的北斗”的發(fā)展理念，服務(wù)“一帶一路”建設(shè)發(fā)展，積極推進北斗系統(tǒng)國際合作。與其他衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)攜手，與各個國家、地區(qū)和國際組織一起，共同推動全球衛(wèi)星導(dǎo)航事業(yè)發(fā)展，讓北斗系統(tǒng)更好地服務(wù)全球、造福人類。

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  • 數(shù)字芯片設(shè)計流程

    SOC是模擬IP和數(shù)字IP的系統(tǒng)的總集成。數(shù)字芯片設(shè)計流程是每個芯片從業(yè)者的第一課，無論是做前端，后端，還是驗證，都需要對芯片的整個設(shè)計流程有個基本的了解。那數(shù)字芯片的設(shè)計流程是怎么樣的呢? 通常，定義一個SOC，需要確定前期的系統(tǒng)設(shè)計需求。確定好了大的功能之后，然后開始分解。分解軟件和硬件的接口，然后硬件再分成很多個小的子模塊。 硬件設(shè)計需要考慮具體的物理實現(xiàn)。包括制造工藝、面積和封裝，這些涉及到成本。再就是速度和功耗，這個是性能方面的考慮。再就是硬件模塊之間的接口定義了。 通常，硬件模塊設(shè)計是按照TOP-Down的設(shè)計思路去做的。這樣，可以做到從上到下，層次清晰直接。 確定好了這些之后，就要去實現(xiàn)了。通常我們用Verilog語言去實現(xiàn)。Verilog關(guān)鍵字以及一個實例如下所示。 當(dāng)然，除了下面的關(guān)鍵字之外，數(shù)字二進制，狀態(tài)機，組合邏輯和時序邏輯等概念，也是需要好好掌握的。 IP設(shè)計完再集成，再驗證，然后就會按照前端和后端的流程進入到布局布線的環(huán)節(jié)。直到timing收斂，進入到Tape-Out環(huán)節(jié)。

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  • 適配器芯片的四種保護特性

    適配器作為一個接口轉(zhuǎn)換器，可以是一個獨立的硬件接口設(shè)備，允許硬件或電子接口與其它硬件或電子接口相連，也可以作為信息接口。為了滿足各個國家或國際的電源適配器安全標(biāo)準(zhǔn)、電磁兼容性和電源適配器瞬變等要求，需要標(biāo)準(zhǔn)化的技術(shù)對適配器芯片進行研究以及設(shè)計。下面為大家介紹電源適配器芯片的幾種保護特性。 一、過壓保護(OVP)：在環(huán)路被破壞的情況下，如光耦合器損壞或TL431分壓網(wǎng)絡(luò)受到影響，電源適配器必須立即停止工作，并在用戶重新啟動適配器前保持在此狀態(tài)。 二、短路保護(SCP)：必須能夠承受輸出持續(xù)短路而不會損壞。當(dāng)故障消失時，適配器必須能夠從保護模式下恢復(fù)，并重新提供額定功率。 三、過溫保護(OTP)：如果電源適配器的溫度超過某個溫度值，適配器就存在損壞的風(fēng)險。為了避免出現(xiàn)這種情況，就需要使用熱傳感器來持續(xù)監(jiān)測溫度，并在溫度超過設(shè)計人員設(shè)定的限制值的情況下，適配器就持續(xù)關(guān)閉。當(dāng)用戶重新啟動電源且溫度下降時，電源適配器復(fù)位。 四、過功率保護(OPP)：對某些電源而言，重要的是在最壞條件下——如負載消耗的電流過大，最大輸出電流保持在受控狀態(tài)，而不會實際出現(xiàn)短路。 電源適配器芯片PN8370超低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊反饋交直流轉(zhuǎn)換器，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源，其功能： 1、PN8370集成超低待機功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。 2、內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。 3、在恒壓模式，采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標(biāo)準(zhǔn)，可調(diào)輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負載調(diào)整率。 4、在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進行調(diào)節(jié)。 5、片提供了全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。 此外，電源適配器上有一個銘牌，上面標(biāo)示著功率，輸入輸出電壓和電流量等指標(biāo)，特別要注意輸入電壓的范圍，這就是所謂的“旅行電源適配器”。

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  • 普通充電器與PD快充之間的區(qū)別

    快充就是快速充電，在快充技術(shù)漸漸成為充電標(biāo)配之后，市面上的快充充電器芯片漸漸成為充電的主流，大家都知道快充一般情況下都能比普通的充電器快很多很多，二者之間，除速度效率不同之外，你知道二者在性能上還有什么不同之處嗎? 一、普通的5V2A充電器芯片PN8370，一般采用恒流恒壓方式充電，且在電池充滿后自動轉(zhuǎn)為涓流充電狀態(tài)。它的優(yōu)點是電路設(shè)計簡單，易于實現(xiàn)，價格也較低。 普通的5V2A充電器芯片PN8370的功能特點： 1.外圍元件少，比較簡單，內(nèi)部集成了650V高雪崩能力的智能功率MOSFET。 2.采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)，提高系統(tǒng)的效率和可靠性。 3.在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進行調(diào)節(jié)。 4.采用PN8370可以工作無異音，同時保證優(yōu)異的動態(tài)性能。 5.提供了全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等，以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 二、目前的快充充電器主要有兩種，一種是高壓小電流，一種是低壓大電流。PD充電器芯片PN8161可以控制充電過程，實時監(jiān)控電池電量，一旦充滿就自動停止充電，使整個充電過程變得安全、高效。 18W PD充電器芯片PN8161的功能特點： 1.PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，具有高性能、低待機功耗、低成本等特點。 2.通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了超低的待機功 耗、全電壓范圍下的最佳效率。 3.頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。 4.提供了全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。 如今，更多人都在追求效率與速度，但是無論選擇何種充電器，一定要適合自己的后記?？斐涑潆娖鲗χС珠W充功能的手機和電池是沒有影響的，但是不支持的話，則對電池和手機容易造成不良影響，因為快充時充電電流較大。

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