功率半導(dǎo)體

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新一代功率半導(dǎo)體掌握多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車、工業(yè)

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2014-01-27

功率半導(dǎo)體碳化硅電量馬達(dá)
新一代功率半導(dǎo)體掌握多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

最近幾年，在半導(dǎo)體之中，原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝

嵌入式動態(tài)
2014-01-26

富士通功率半導(dǎo)體碳化硅電量
新一代功率半導(dǎo)體掌握著多個領(lǐng)域節(jié)能的關(guān)鍵

【導(dǎo)讀】作為節(jié)能背后的主角，功率半導(dǎo)體如今成為了關(guān)注的焦點(diǎn)。功率半導(dǎo)體的作用是轉(zhuǎn)換直流與交流、通過變壓等方式高效控制電力，用于充電裝置和馬達(dá)。如今，這種半導(dǎo)體已配備于家電、汽車、工業(yè)機(jī)械、鐵路車輛、輸

半導(dǎo)體
2014-01-23

功率半導(dǎo)體碳化硅電量馬達(dá)
政策扶持重點(diǎn) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

模擬
2014-01-20

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) MOSFET 節(jié)能減排功率半導(dǎo)體
節(jié)能技術(shù)獲支持功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金期

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，功率半

電子設(shè)計自動化
2014-01-17

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 節(jié)能技術(shù) 節(jié)能減排功率半導(dǎo)體
國家釋放政策紅利功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入黃金期

LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其

顯示光電
2014-01-11

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體行業(yè) 節(jié)能減排功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-10

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

半導(dǎo)體
2014-01-08

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
國家釋放政策紅利功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)

顯示光電
2014-01-06

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體行業(yè) 節(jié)能減排功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

半導(dǎo)體
2014-01-04

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

元器件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

消費(fèi)電子
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2014-01-03

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后

模擬
2014-01-02

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

1、新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足今后在從事GaN功率元件的半導(dǎo)體廠商之間，估計會展開激烈的價格競爭。尤其是韓國、中國大陸和臺灣等亞洲半導(dǎo)體廠商全面涉足GaN功率元件業(yè)務(wù)之后，價格競爭將更為激

21ic專訪
2013-12-31

IGBT IC LTE 功率半導(dǎo)體
元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

電子設(shè)計自動化
2013-12-31

元件基板 GAN 功率半導(dǎo)體
新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。SiC功

模擬
2013-12-30

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業(yè)

電源
2013-12-30

元件 GAN SIC 功率半導(dǎo)體
AMAT全方位強(qiáng)化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

美國應(yīng)用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準(zhǔn)近年來需求高漲的功率半導(dǎo)體及MEMS器件市場，將強(qiáng)化200mm晶圓生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)業(yè)務(wù)，將來還打算支持功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產(chǎn)。AMAT的主力業(yè)務(wù)歸根結(jié)底還

電子設(shè)計自動化
2013-12-30

器件晶圓 MEMS 功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體

新一代功率半導(dǎo)體掌握多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

新一代功率半導(dǎo)體掌握多個領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵

新一代功率半導(dǎo)體掌握著多個領(lǐng)域節(jié)能的關(guān)鍵

政策扶持重點(diǎn) 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金發(fā)展期

節(jié)能技術(shù)獲支持功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)黃金期

國家釋放政策紅利功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入黃金期

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

國家釋放政策紅利功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入黃金發(fā)展期

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體加速導(dǎo)入元器件廠商拼殺

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

21ic新聞大爆炸：新一代功率半導(dǎo)體開發(fā)競爭激烈

元件開發(fā)競爭激烈亞洲企業(yè)紛紛涉足

新一代SiC和GaN功率半導(dǎo)體競爭激烈

新一代功率半導(dǎo)體：元件開發(fā)競爭激烈

AMAT全方位強(qiáng)化功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)

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