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三菱電機(jī)獎(jiǎng)學(xué)金頒獎(jiǎng)儀式暨三菱功率器件研討會(huì)在四大高校舉行
【導(dǎo)讀】2011年12月12日至17日，三菱電機(jī)分別走訪了清華大學(xué)、浙江大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)以及華中科技大學(xué)，聯(lián)合各大高校舉行了三菱電機(jī)獎(jiǎng)學(xué)金頒獎(jiǎng)儀式和三菱電機(jī)功率模塊技術(shù)研討會(huì)，引起了各大高校的熱烈反響。 摘
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IGBT是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件
【導(dǎo)讀】“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開(kāi)展，中國(guó)開(kāi)始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。 摘要： “十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新
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IR善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航
【導(dǎo)讀】在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，電能將會(huì)成為我們主要的消耗能源。大至高速列車(chē)，小至手機(jī)，都不能脫離電能而存在。無(wú)論什么類(lèi)型的電能，大部分都難以直接使用，必須借助功率半導(dǎo)體進(jìn)行功率變換以驅(qū)動(dòng)設(shè)備。近年來(lái)，全社
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英飛凌：全球第一的功率器件助力汽車(chē)電子業(yè)務(wù)
【導(dǎo)讀】目前，汽車(chē)電子技術(shù)已成為我國(guó)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵，外部政策環(huán)境的不斷優(yōu)化，為中國(guó)汽車(chē)電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了良好的發(fā)展機(jī)遇。而汽車(chē)電子作為電子技術(shù)的重要應(yīng)用之一，在各大半導(dǎo)體廠商的業(yè)務(wù)
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2015年后SiC器件有望大規(guī)模商用 UPS成最大應(yīng)用市場(chǎng)
【導(dǎo)讀】分析人士認(rèn)為，隨著產(chǎn)品價(jià)格降低，SiC器件市場(chǎng)有望在2015年發(fā)力成長(zhǎng)。 摘要： 分析人士認(rèn)為，隨著產(chǎn)品價(jià)格降低，SiC器件市場(chǎng)有望在2015年發(fā)力成長(zhǎng)。關(guān)鍵字： SiC功率器件，飛兆半導(dǎo)體， 盡管SiC功率器件
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汽車(chē)功率器件市場(chǎng)狼煙再起
【導(dǎo)讀】各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，因此IGBT器件和模塊的制造商面臨著一場(chǎng)考驗(yàn)。 摘要： 各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，因此IGBT器件和模塊的制造商面臨著一場(chǎng)考驗(yàn)。關(guān)鍵
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功率器件IGBT：節(jié)能減排的大功臣
【導(dǎo)讀】功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車(chē)、高鐵、智能電網(wǎng)領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代和不可或缺的重要作用，是低碳經(jīng)濟(jì)的關(guān)鍵核“芯”。 摘要： 功率器件特別是igbt在節(jié)能減排、新能源、新能源汽車(chē)、
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
21ic訊 東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6
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安捷倫率先推出適用于功率電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀
21ic訊 安捷倫科技公司(NYSE：A)日前宣布推出業(yè)界首款適用于電路設(shè)計(jì)的功率器件分析儀 Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度范圍內(nèi)對(duì)功率器件參數(shù)進(jìn)行全面自動(dòng)表征，覆蓋高
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士蘭微2013年報(bào)解讀：半導(dǎo)體LED雙輪驅(qū)動(dòng) 進(jìn)入收獲期
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 士蘭微3月17日公布2013年報(bào)，公司全年?duì)I業(yè)總收入為16.38億元，同比增長(zhǎng)21.42%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)6368萬(wàn)元，同比增加207.53%；歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)1.15億元，同比增長(zhǎng)530.81%。其中，第四
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碳化硅肖特基二極管功率器件量產(chǎn)意義重大
在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過(guò)程中，電力傳送效率和使用效率至關(guān)重要。當(dāng)前，電力傳輸功率器件主要是基于硅材料，由于發(fā)展了30年，硅材料的物理性能已經(jīng)發(fā)掘殆盡。碳化硅作為半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來(lái)的材料”，具有巨
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國(guó)產(chǎn)IGBT功率器件春暖花開(kāi)
當(dāng)前，在日益嚴(yán)峻的環(huán)境問(wèn)題和能源消耗的壓力之下，綠色能源領(lǐng)域正成為世界各國(guó)的發(fā)展目標(biāo)，由此也帶動(dòng)了整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，尤其是功率半導(dǎo)體核心器件——IGBT。在中國(guó)，為了適應(yīng)大環(huán)境的需求，扶持相關(guān)企業(yè)
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碳化硅量產(chǎn)給我國(guó)提供后發(fā)優(yōu)勢(shì)
北極星自動(dòng)化網(wǎng)訊:為了緩解能源危機(jī)，國(guó)家大力倡導(dǎo)綠色能源，發(fā)展光伏發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電。在電能的產(chǎn)生、輸送和分配過(guò)程中，電力傳送效率和使用效率至關(guān)重要。當(dāng)前的電力傳輸功率器件主要是基于半導(dǎo)體硅材料，由于硅的物
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新型SiC功率器件在Boost電路中的應(yīng)用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在實(shí)際應(yīng)用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過(guò)理論分析對(duì)SiC MOSFET柵極電阻對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響，以及開(kāi)關(guān)頻率與傳輸效率的關(guān)系進(jìn)行了闡述。同時(shí)，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體量產(chǎn)實(shí)現(xiàn)零突破
日前，中關(guān)村企業(yè)泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“泰科天潤(rùn)”)研發(fā)的第三代半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管等多個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)，產(chǎn)品涵蓋600V-3300V等中高壓范圍。這標(biāo)志著中國(guó)已成為繼美歐日之
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今年中功率器件LED產(chǎn)值將超越大功率LED
進(jìn)入2013年，LED封裝市場(chǎng)結(jié)構(gòu)發(fā)生很大變化，LED中功率市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。高工LED產(chǎn)業(yè)研究所(GLII)最新發(fā)布報(bào)告指出，2012年中國(guó)大陸LED封裝市場(chǎng)規(guī)模為397億元，同比增長(zhǎng)24%。其中，LED大功率器件市場(chǎng)規(guī)模104.7億元，同比
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LED應(yīng)用是塊體GaN市場(chǎng)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 Yole Développement預(yù)計(jì)，毫無(wú)疑問(wèn)，LED技術(shù)的市場(chǎng)份額將會(huì)超過(guò)傳統(tǒng)燈泡和光管業(yè)務(wù)。LED廠商最近發(fā)布的新聞(比如LED光效超過(guò)150lm/W)證明了LED性能已與傳統(tǒng)燈泡和光管差不多。塊體氮化鎵
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Diodes推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出兩款高敏感度的微功率器件AH1902及AH1903，以擴(kuò)充旗下霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列。這兩款器件能節(jié)省功耗和空間，并使設(shè)計(jì)更靈活，有助于提
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士蘭微:新品成長(zhǎng),業(yè)績(jī)上行滿(mǎn)足
事項(xiàng)公司公布2013年三季度報(bào)告,前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入11.68億元,同比增長(zhǎng)20.58%;實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)7828.96萬(wàn)元,同比增長(zhǎng)404.74%,扣除非經(jīng)常損益后的凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)了扭虧為盈,達(dá)到3523.24萬(wàn)元,相較歷史同期虧
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功率器件供應(yīng)趨緊 各廠商全速擴(kuò)充產(chǎn)能
自新型功率MOSFET、IGBT器件問(wèn)世以來(lái)，借助對(duì)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過(guò)緩解MOSFET、IGBT類(lèi)器件在關(guān)態(tài)擊穿與開(kāi)態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類(lèi)產(chǎn)品能夠有效地滿(mǎn)足實(shí)際工程對(duì)高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨
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