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功率器件的選擇
由于本設(shè)計中的變換器的應(yīng)用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動
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安森美加入imec項目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率
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功率器件熱設(shè)計及散熱計算
引言當前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設(shè)計是
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怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(GTR)，功率場效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)
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安森美半導體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ONSemiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美加入imec項目 開發(fā)下一代硅基氮化鎵功率器件
安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性，使其非
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安森美加入imec硅基氮化鎵研究項目
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功
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安森美半導體加入imec的硅基氮化鎵研究項目
21ic訊 安森美半導體(ON Semiconductor)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開發(fā)項目，共同開發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導熱性的特性
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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幾種高壓變頻器原理分析及實際應(yīng)用
1.引言電機是工業(yè)生產(chǎn)中主要的耗電設(shè)備，高壓大功率電動機的應(yīng)用更為突出，而這些設(shè)備大部分都存在很大的節(jié)能潛力。所以大力發(fā)展高壓大功率變頻調(diào)速技術(shù)具有時代的必要性和迫切性。目前，隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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新能源市場已成為功率MOSFET強勁增長助力
目前，主要支撐MOSFET需求量的市場仍然來自于手機及筆記本電腦(Notebook)等大眾消費類電子領(lǐng)域，且在一段時間內(nèi)將會持續(xù)保持一定的成長率。但就未來的產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，大多數(shù)廠商表示，太陽能光伏、電動車、LED照明及顯
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GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN發(fā)展勢頭迅猛 提前達到10億美元市場規(guī)模
雖然現(xiàn)在只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金（主要投向美國Transphorm公司）。使用GaN的器件能夠給消費類電子產(chǎn)品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN發(fā)展將比預想更早形成10億美元市場
即使目前只是初期階段，但GaN卻為功率器件廠商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800萬美元的資金(主要投向美國Transphorm公司)。使用GaN的器件能夠給消費類電子產(chǎn)品、照明器具及IT(信息通信)設(shè)備
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隔離驅(qū)動IGBT等功率器件設(shè)計所需要的一些技巧
標簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會介紹了為何光耦柵極驅(qū)動
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功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)
過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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英飛凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列將一顆功能強大的8位單片機與LIN收發(fā)器及相關(guān)外設(shè)集成到一顆芯片上，以滿足對空間和成本都很敏感的車身應(yīng)用的
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英飛凌推出第二代嵌入式功率器件TLE983x
21ic訊 英飛凌科技股份公司近日推出第二代嵌入式功率器件（ePower）。全新TLE983x片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品系列將一顆功能強大的8位單片機與LIN收發(fā)器及相關(guān)外設(shè)集成到一顆芯片上，以滿足對空間和成本都很敏感的車身應(yīng)用的
