功率器件

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模塊電源的熱分析及處理設(shè)計(jì)

以小體積著稱的模塊電源，正朝著低電壓輸入、大電流輸出，以及大的功率密度方向發(fā)展。但是，高集成度、高功率密度會(huì)使得其單位體積上的溫升越來越成為影響系統(tǒng)可靠工作、性能提升的最大障礙。統(tǒng)計(jì)資料表明，電子元器

功率器件
2012-06-09

模塊電源 BSP 功率器件熱阻
長(zhǎng)電科技：芯片封裝龍頭再攀高峰

長(zhǎng)電科技是我國(guó)知名的半導(dǎo)體封裝測(cè)試生產(chǎn)基地，擁有多種芯片測(cè)試、封裝設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試產(chǎn)品線并能提供整套解決方案，在國(guó)內(nèi)是電子百?gòu)?qiáng)企業(yè)。同時(shí)在全球市場(chǎng)也憑借高端封裝技術(shù)和銷售規(guī)模，已在2009年便躋身全球前十大

消費(fèi)電子
2012-05-18

芯片封裝封裝測(cè)試長(zhǎng)電科技功率器件
華虹NEC：深耕特色工藝平臺(tái)，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用

作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺(tái)，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動(dòng)、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺(tái)。在今年IIC-China展會(huì)上，華虹NEC集中展示

消費(fèi)電子
2012-05-15

華虹 MOSFET NEC 功率器件
電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的

線性電源
2012-05-12

拓?fù)?/a> 高壓變頻器電源設(shè)計(jì) 功率器件
電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的

功率器件
2012-05-12

拓?fù)?/a> 高壓變頻器電源設(shè)計(jì) 功率器件
電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的

線性電源
2012-05-12

拓?fù)?/a> 高壓變頻器電源設(shè)計(jì) 功率器件
電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對(duì)中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對(duì)不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對(duì)中高壓變頻器的

功率器件
2012-05-12

拓?fù)?/a> 高壓變頻器電源設(shè)計(jì) 功率器件
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子

模擬
2012-05-10

MOSFET 碳化硅科銳功率器件
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)

高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新

模擬
2012-05-09

氮化鎵 GAN RFMD 功率器件
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子

功率器件
2012-05-08

MOSFET 碳化硅科銳功率器件
RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術(shù)

高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的

消費(fèi)電子
2012-05-03

GAN RFMD BSP 功率器件
功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具

汽車電子
2012-05-02

混合動(dòng)力汽車 HEV HYBRIDPACK 功率器件
功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具

電源
2012-04-30

混合動(dòng)力汽車 HEV HYBRIDPACK 功率器件
功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具

數(shù)字電源
2012-04-30

混合動(dòng)力汽車 HEV HYBRIDPACK 功率器件
功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

混合動(dòng)力汽車(HEV)市場(chǎng)的增長(zhǎng)在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場(chǎng)的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具

功率器件
2012-04-30

混合動(dòng)力汽車 HEV HYBRIDPACK 功率器件
細(xì)述汽車系統(tǒng)選擇智能功率器件的五個(gè)理由

在傳統(tǒng)的汽車應(yīng)用中，由于對(duì)車內(nèi)電路較高的安全性能要求，帶有保險(xiǎn)絲保護(hù)的電子機(jī)械式開關(guān)在高負(fù)載應(yīng)用中一直被廣為采用。然而，這種系統(tǒng)解決方案也有一定的局限性。機(jī)械式繼電器在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作時(shí)容易磨損和發(fā)生接觸差

汽車電子
2012-04-26

英飛凌保險(xiǎn)絲汽車系統(tǒng) 功率器件
瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

21ic訊瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個(gè)針對(duì)汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡(jiǎn)稱“IPD”)，包括µPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部

汽車電子
2012-04-20

瑞薩電子汽車車身 PD 功率器件
瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

21ic訊瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個(gè)針對(duì)汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡(jiǎn)稱“IPD”)，包括µPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部

功率器件
2012-04-18

瑞薩電子汽車車身 PD 功率器件
大陸IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國(guó)、日本、歐洲以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個(gè)熟悉而又陌生的面

消費(fèi)電子
2012-02-23

晶圓代工 IC 模擬IC 功率器件
國(guó)內(nèi)IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國(guó)、日本、歐洲以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個(gè)熟悉而又陌生的面

模擬
2012-02-22

晶圓代工 IC 模擬IC 功率器件

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功率器件

模塊電源的熱分析及處理設(shè)計(jì)

長(zhǎng)電科技：芯片封裝龍頭再攀高峰

華虹NEC：深耕特色工藝平臺(tái)，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用

電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)

科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術(shù)

功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

功率器件在混合動(dòng)力汽車(HEV)中的應(yīng)用

細(xì)述汽車系統(tǒng)選擇智能功率器件的五個(gè)理由

瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件

大陸IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍

國(guó)內(nèi)IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍

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