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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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電源設(shè)計(jì)指南：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（二）
中高壓變頻器主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的分析比較摘要：對中高壓變頻器幾種常見的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析比較，對不同電路結(jié)構(gòu)的中高壓變頻器的可靠性、冗余設(shè)計(jì)、諧波含量及dv/dt等指標(biāo)進(jìn)行了深入的討論，并對中高壓變頻器的
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HVT工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其 RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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功率器件在混合動力汽車(HEV)中的應(yīng)用
混合動力汽車(HEV)市場的增長在很大程度上取決于每加侖/英里這一能耗指標(biāo)及追加投入的每個(gè)硬幣所帶來的好處以及混合系統(tǒng)現(xiàn)場的可靠性。消費(fèi)者將混合汽車與標(biāo)準(zhǔn)汽車進(jìn)行比較，并期待在整體更低擁有成本的前提下起碼具
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細(xì)述汽車系統(tǒng)選擇智能功率器件的五個(gè)理由
在傳統(tǒng)的汽車應(yīng)用中，由于對車內(nèi)電路較高的安全性能要求，帶有保險(xiǎn)絲保護(hù)的電子機(jī)械式開關(guān)在高負(fù)載應(yīng)用中一直被廣為采用。然而，這種系統(tǒng)解決方案也有一定的局限性。機(jī)械式繼電器在長時(shí)間運(yùn)作時(shí)容易磨損和發(fā)生接觸差
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瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個(gè)針對汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”)，包括µPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部
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瑞薩電子推出14款適用于汽車車身應(yīng)用的智能功率器件
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩電子”）日前宣布推出14個(gè)針對汽車應(yīng)用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下簡稱“IPD”)，包括µPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部
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大陸IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個(gè)熟悉而又陌生的面
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國內(nèi)IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)ICInsights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個(gè)熟悉而又陌生的面
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國內(nèi)IC排名何時(shí)不再與“其他”為伍
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights日前公布了2011年全球集成電路銷售額的排名表，北美地區(qū)以占全球53.2%的比例高居榜首，韓國、日本、歐洲以及中國臺灣地區(qū)依次占據(jù)了該排行榜的第二至第五位，位居第六的是一個(gè)熟悉而又陌生
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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瑞薩推出低損耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic訊 瑞薩電子株式會社（以下簡稱“瑞薩”）宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款
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功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用
1. 引言 在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為
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華虹NEC成為全球最大8英寸功率分立器件代工廠
上海華虹NEC電子有限公司(華虹NEC)以其特色工藝平臺及其最新研發(fā)成果在ICCAD2011上令人矚目。華虹NEC展出了嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、射頻和功率器件等特色工藝平臺的最新技術(shù)成果和解決方案，吸引了
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夏洛克柯南
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