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最小太陽(yáng)能電池研究情況調(diào)研分析

摘要：日本東京大學(xué)和澳大利亞約翰尼斯開(kāi)普勒大學(xué)的科研人員成功研發(fā)出了全世界最薄最輕的太陽(yáng)能電池?？梢云诖磥?lái)人們將可以把這款電池像小紙條一樣貼著隨身攜帶。... 日本東京大學(xué)和澳大利

電源-能源動(dòng)力
2012-07-27

太陽(yáng)能電池微米半導(dǎo)體電極
研究人員研制超薄太陽(yáng)能電池，厚度為食品保鮮膜1/5

近日，東京大學(xué)與奧地利開(kāi)普勒大學(xué)的研究人員，成功研制出了僅有1.9um厚度的新型超薄太陽(yáng)能電池。該厚度僅為普通食品保鮮膜1/5薄厚，真是讓人嘆為觀止。據(jù)悉，該太陽(yáng)能電池利用了涂布工藝，在PET膜表面涂導(dǎo)電性高分子

測(cè)試測(cè)量
2012-07-17

高分子材料太陽(yáng)能電池微米電極
德國(guó)研制出一種厚度僅5.3毫米、分辨率達(dá)5微米的超薄顯微鏡

德國(guó)夫瑯禾費(fèi)應(yīng)用光學(xué)與精密工程研究所最近研制出一種厚度僅5.3毫米、分辨率達(dá)5微米的超薄顯微鏡，其未來(lái)用途可包括皮膚癌變檢查和鑒別文件真?zhèn)?。這家研究所日前發(fā)表的新聞公報(bào)說(shuō)，達(dá)到同樣分辨率的傳統(tǒng)顯微鏡要么只

測(cè)試測(cè)量
2012-07-17

光學(xué) 顯微鏡模具微米
RFMD針對(duì)ADS2011提供制程設(shè)計(jì)套件

RFMD宣布其晶圓代工服務(wù)部已更新其制程設(shè)計(jì)套件（PDK），以搭配安捷倫（Agilent）最近推出的Advanced DesignSystem（ADS）2011EDA軟件。強(qiáng)化的PDK可立即向目前的和潛在的RFMD晶圓代工服務(wù)客戶(hù)供貨，以用于RFMD的氮化

消費(fèi)電子
2012-07-13

ADS GAN RFMD 微米
我省首條8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線落戶(hù)閩侯

本報(bào)訊（記者段金柱通訊員王立強(qiáng)）近日，我省第一條8英寸IC（集成電路）芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目簽約，落戶(hù)位于閩侯南嶼的福州市生物醫(yī)藥和機(jī)電產(chǎn)業(yè)園。項(xiàng)目投產(chǎn)后將填補(bǔ)我省高科技產(chǎn)業(yè)鏈中大尺寸集成電路的空白。該項(xiàng)

模擬
2012-07-06

集成電路芯片芯片生產(chǎn)線 IC芯片微米
測(cè)定水煤漿中超微細(xì)顆粒粒度的方法有哪些？

水煤漿(CWM)是一種含煤約70%，添加劑1%，其余為水的新型煤基潔凈燃料，其研究及應(yīng)用正受到普遍重視和推廣。粒度分布可用來(lái)確定產(chǎn)品的質(zhì)量和等級(jí)，也可為制定科研和生產(chǎn)方案提供依據(jù)。水煤漿的粒度分布決定著煤粉的堆

測(cè)試測(cè)量
2012-07-03

激光 AN CW 微米
香港研發(fā)出新“銅銦鎵硒”材料薄膜太陽(yáng)能電池

在能源問(wèn)題日益嚴(yán)峻的今天，如何提高新能源的利用率成為當(dāng)務(wù)之急。目前全球市場(chǎng)上的太陽(yáng)能電池中，九成為晶體硅電池。近日，香港中文大學(xué)物理系成功研發(fā)出制電率高的新一代薄膜太陽(yáng)能電池。據(jù)悉，該新一代薄膜太陽(yáng)能

測(cè)試測(cè)量
2012-06-30

晶體薄膜太陽(yáng)能電池微米
凈水器的幾種過(guò)濾技術(shù)

前段時(shí)間浙江義烏20噸氨水污染了居民的飲用水源，最近，云南鉻污染、紫金礦業(yè)污水泄漏事件都讓人觸目驚心。雖然國(guó)家已經(jīng)制定了一系列的措施用于有污染企業(yè)的生產(chǎn)，但是這些重金屬污染事件還是讓人提心吊膽，重金屬一

測(cè)試測(cè)量
2012-06-26

金屬過(guò)濾技術(shù) 凈水器微米
美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺(tái)。此嶄新的工藝技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善模擬效能，支持諸多組件的應(yīng)用，包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(

消費(fèi)電子
2012-06-26

模擬組件 TSMC 微米
美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺(tái)。此嶄新的工藝技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善模擬效能，支持諸多組件的應(yīng)用，包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(

消費(fèi)電子
2012-06-26

模擬組件 TSMC 微米
中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)形成完整鏈條

一個(gè)5毫米×5毫米小小的芯片中，電路連在一起的總長(zhǎng)度大約600－700米；每條線寬為32納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲的1/3000；廠房要求每立方英尺的空間中直徑超過(guò)0.3微米的顆粒不能超過(guò)1000個(gè)；集團(tuán)目前已采購(gòu)了3億多元的國(guó)產(chǎn)設(shè)

消費(fèi)電子
2012-06-25

中芯國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路芯片微米
中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)形成完整鏈條

一個(gè)5毫米×5毫米小小的芯片中，電路連在一起的總長(zhǎng)度大約600－700米；每條線寬為32納米，相當(dāng)于頭發(fā)絲的1/3000；廠房要求每立方英尺的空間中直徑超過(guò)0.3微米的顆粒不能超過(guò)1000個(gè)；集團(tuán)目前已采購(gòu)了3億多元的國(guó)產(chǎn)設(shè)

消費(fèi)電子
2012-06-25

中芯國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè) 集成電路芯片微米
美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾公司與TSMC日前共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支持精密模擬集成電路的0.18微米模擬工藝技術(shù)平臺(tái)。此嶄新的工藝技術(shù)平臺(tái)能夠大幅改善模擬效能，支持諸多組件的應(yīng)用，包括交流電轉(zhuǎn)直流電(A/D)與直流電轉(zhuǎn)交流電(

模擬
2012-06-25

模擬 NDASH TSMC 微米
亞德諾與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

亞德諾(ADI)與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)完成適用于精密類(lèi)比IC的0.18微米的類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)能改善許多元件的類(lèi)比性能，包括可廣泛使用于消費(fèi)性、通訊、電腦、工業(yè)與汽車(chē)應(yīng)用領(lǐng)域的A/D(類(lèi)比/數(shù)位)與D/A(數(shù)位/類(lèi)比)轉(zhuǎn)換器

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2012-06-25

臺(tái)積電制程技術(shù) IC 微米
ADI與臺(tái)積電合作完成開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程

美商亞德諾(Analog Devices, Inc.，ADI)以及晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)日前宣布，雙方合作開(kāi)發(fā)完成適用于精密類(lèi)比IC的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。這項(xiàng)嶄新的制程技術(shù)平臺(tái)能夠顯著的改善許多元件的類(lèi)比性能，其中包括了

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2012-06-22

臺(tái)積電 ADI TSMC 微米
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電(TSM-US)(2330-TW)與美商亞德諾(Analog Devices Inc.)(ADI-US)今(20)日共同宣布雙方合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。此平臺(tái)適合許多電腦、工業(yè)電子及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的應(yīng)用。此

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2012-06-21

臺(tái)積電制程技術(shù) ADI 微米
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾(ADI)與臺(tái)積電(2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)-CMOS(雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體）整

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2012-06-21

臺(tái)積電制程技術(shù) ADI 微米
臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾 (ADI)與臺(tái)積電 (2330)今（20）日共同宣布，雙方已合作開(kāi)發(fā)完成可支援精密類(lèi)比積體電路的0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)。而臺(tái)積電的0.18微米BCD（Bipolar(雙載子)- CMOS (雙極)-DMOS(擴(kuò)散)，互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體

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2012-06-20

臺(tái)積電制程技術(shù) ADI 微米
閩第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線落戶(hù)福州總投資30億

17日中午，《8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目投資合同書(shū)》簽訂儀式在福州舉行。該項(xiàng)目由福州市人民政府、福建福順微電子有限公司、福建省投資開(kāi)發(fā)集團(tuán)有限公司和福建省電子信息集團(tuán)有限公司共同建設(shè)，總投資30億元，占地

消費(fèi)電子
2012-06-20

微電子芯片生產(chǎn)線 IC芯片微米
閩第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線落戶(hù)福州總投資30億

17日中午，《8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目投資合同書(shū)》簽訂儀式在福州舉行。該項(xiàng)目由福州市人民政府、福建福順微電子有限公司、福建省投資開(kāi)發(fā)集團(tuán)有限公司和福建省電子信息集團(tuán)有限公司共同建設(shè)，總投資30億元，占地

消費(fèi)電子
2012-06-20

微電子芯片生產(chǎn)線 IC芯片微米

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微米

最小太陽(yáng)能電池研究情況調(diào)研分析

研究人員研制超薄太陽(yáng)能電池，厚度為食品保鮮膜1/5

德國(guó)研制出一種厚度僅5.3毫米、分辨率達(dá)5微米的超薄顯微鏡

RFMD針對(duì)ADS2011提供制程設(shè)計(jì)套件

我省首條8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線落戶(hù)閩侯

測(cè)定水煤漿中超微細(xì)顆粒粒度的方法有哪些？

香港研發(fā)出新“銅銦鎵硒”材料薄膜太陽(yáng)能電池

凈水器的幾種過(guò)濾技術(shù)

美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)形成完整鏈條

中關(guān)村集成電路產(chǎn)業(yè)形成完整鏈條

美商亞德諾與TSMC攜手開(kāi)發(fā)全新模擬工藝技術(shù)平臺(tái)

亞德諾與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

ADI與臺(tái)積電合作完成開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

臺(tái)積電/ADI攜手開(kāi)發(fā)0.18微米類(lèi)比制程技術(shù)平臺(tái)

閩第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線落戶(hù)福州總投資30億

閩第一條8英寸IC芯片生產(chǎn)線落戶(hù)福州總投資30億

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