晶體管
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LED首字母代碼是什么意思？一款高低電平智能控制的LED電路設(shè)計(jì)
LED首字母代表型號(hào)是什么？ 命名規(guī)制 1、A——公司名稱：采用公司縮寫名稱“XM”表示。 2、 B&md
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LCD驅(qū)動(dòng)工作原理 ，基于51單片機(jī)LCD底層時(shí)序程序該如何編寫？
LED驅(qū)動(dòng)原理方式解析： ?。?）被動(dòng)矩陣LCD技術(shù) 高信息密度顯示技術(shù)中首先商品化的是被動(dòng)矩陣顯示技術(shù)，它得名于控制液晶單元的開和關(guān)的簡單設(shè)計(jì)。被動(dòng)矩陣液晶顯示的驅(qū)動(dòng)
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華虹半導(dǎo)體“8英寸+12英寸”全線發(fā)力 加速進(jìn)軍IGBT市場
華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，公司將全面發(fā)力與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品客戶的合作，積極打造IGBT生態(tài)鏈。
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一分鐘快速了解碳納米管芯片：超長手機(jī)續(xù)航 皮膚貼合傳感器等
近日，國內(nèi)科技產(chǎn)業(yè)缺少核心芯片技術(shù)一事引發(fā)關(guān)注。此前據(jù)媒體2017年報(bào)道，北京大學(xué)教授彭練矛帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)成功使用碳納米管制造出芯片晶體管，工作速度5-10倍于同尺寸的硅基晶體管，能耗只有其10分之1
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3nm工藝風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn) 晶體管密度提升70%，臺(tái)積電來了
臺(tái)積電一直是芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的龍頭老大，臺(tái)積電兩年前量產(chǎn)了7nm工藝，今年要量產(chǎn)5nm工藝了，已經(jīng)被華為、蘋果搶先預(yù)定了大部分產(chǎn)能，現(xiàn)在3nm工藝也定了，官方宣布2021年風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，2020年下半年正式量產(chǎn)。
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IGBT，半導(dǎo)體皇冠上的明珠
IGBT (Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT(雙極型三極管)和 MOSFET (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的全控電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體。
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臺(tái)積電宣布3nm工藝將在2021年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)
在7月16日舉行的臺(tái)積電第二季度業(yè)績說明會(huì)上，臺(tái)積電宣布，預(yù)計(jì)將于2021年上半年進(jìn)行3nm的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？
Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。 在近日的國際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mi
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埃賦隆推出600W 915MHz ISM托盤放大器，簡化射頻放大器系統(tǒng)設(shè)計(jì)
埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出BPF0910H9X600托盤放大器
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Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管，你了解嗎？
什么是Gen9HV LDMOS 140W RF PA晶體管?他有什么作用?2018年6月6日荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體(Ampleon)今天宣布推出專為諸如數(shù)字視頻廣播(DVBT)和特高頻(UHF)模擬電視等UHF廣播應(yīng)用設(shè)計(jì)的BLF989射頻(RF)功率晶體管。
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埃賦隆推出“突破性” Si LDMOS器件，在VHF和UHF應(yīng)用中效率達(dá)到80%
BLF978P – 1200W Si LDMOS和BLF974P – 500W Si LDMOS
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40萬核心1.2萬億晶體管！世界第一芯片賣出兩塊：3500萬元
去年9月份，半導(dǎo)體企業(yè)Cerebras Systems發(fā)布的世界最大芯片“WSE”(Wafer Scale Engine)，一顆如同晶圓大小的AI處理器，臺(tái)積電16nm工藝制造，擁有46225平方毫米
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通過超級計(jì)算機(jī)的“模擬顯微鏡”仿真，創(chuàng)建新一代的晶體管材料
自從發(fā)現(xiàn)石墨烯以來，二維材料一直是材料研究的重點(diǎn)。二維材料，是指電子僅可在兩個(gè)維度的納米尺度(1-100nm)上自由運(yùn)動(dòng)(平面運(yùn)動(dòng))的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱。二維材料是伴隨著2004年曼切斯特大學(xué)Geim 小組成功分離出單原子層的石墨材料——石墨烯(graphene) 而提出的。
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蘋果 A12 仿生芯片每平方毫米晶體管比 A11 仿生芯片多 70％
據(jù)悉，蘋果 A12 仿生芯片內(nèi)部集成 69 億個(gè)晶體管，其晶體管密度為 8390 萬個(gè)/平方毫米，而 A11 仿生芯片的晶體管密度為 4900 萬個(gè)/平方毫米。對比之下，蘋果 A12
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IGBT／MOSFET的內(nèi)置保護(hù)功能的光耦，你知道嗎？
什么是IGBT/MOSFET的內(nèi)置保護(hù)功能的光耦?它有什么作用?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。
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如何制作高端芯片以及安裝上百億顆晶體管？
納米芯片在我們的生活中非常常見，并被廣泛的應(yīng)用在手機(jī)、電腦、電視等各種數(shù)碼家電中。而美國對華為制裁開始后，我國芯片研發(fā)能力的不足就開始顯現(xiàn)了，而大多數(shù)人并不知道經(jīng)常提起的芯片到底是如何制作的，到底有何難度?下面帶大家了解一下芯片的制作過程。
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你知道強(qiáng)大的GaN-on-SiC晶體管嗎？
你了解強(qiáng)大的GaN-on-SiC晶體管嗎?移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)RF晶體管--- QPD1025。QPD1025在65 V下運(yùn)行1.8KW，提供出色的信號(hào)完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應(yīng)用來說至關(guān)重要。
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你真的了解Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管嗎？
什么是Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化鎵晶體管?它有什么作用?專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業(yè)界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻晶體管，提供高信號(hào)完整性和長覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設(shè)備和敵我識(shí)別 (IFF) 應(yīng)用。
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學(xué)了多年的電路，你真了解晶體管嗎？
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從
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碳納米管由實(shí)驗(yàn)室走向工業(yè)場景
現(xiàn)代微處理器是世界上最復(fù)雜的系統(tǒng)之一，但其核心是一個(gè)非常簡單而優(yōu)美的器件——晶體管。微處理器中有數(shù)十億個(gè)近乎完全相同的晶體管。因此，提高晶體管的性能和密度是促使微處理器及受其驅(qū)動(dòng)的計(jì)算機(jī)更高效工作的最直接的方法。
田舍郎
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