ST發(fā)布了市場首個也是唯一的單封裝集成600 V柵極驅動器和兩個加強版氮化鎵(GaN)晶體管的MASTERGAN1。
蘋果9月推出 A14 仿生芯片,接著華為麒麟 9000 系列芯片也將隨Mate40 系列手機一起推出,而高通新一代驍龍 875也將在12月初發(fā)布,相同的是芯片都將是采用5nm 工藝,同時也意味著半導體工藝 5nm 的時代正在全面到來。
通常我們根據(jù)調整管的工作狀態(tài),把穩(wěn)壓電源分成兩類:線性穩(wěn)壓電源和開關穩(wěn)壓電源。此外,還有一種使用穩(wěn)壓管的小電源。
根據(jù)《2019集成電路行業(yè)研究報告》中的數(shù)據(jù)顯示,先進制程(28nm及以下工藝)占據(jù)市場份額48%,其它成熟工藝則占據(jù)了52%,成熟工藝才是半導體、芯片行業(yè)的主流。
1959年,貝爾實驗室的研究人員Dawon Kahng和Mohammed Atalla開發(fā)了世界上第一個真正的緊湊型半導體MOSFET晶體管,這不是歷史上第一個晶體管,但它是第一個可以小型化并實際生產的晶體管。
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。
前段時間,全球微電子工程公司 (Melexis )正式推出了一款全新的霍爾效應鎖存器—— IC MLX 92214。該傳感器可以十分有效的簡化設計并且確保穩(wěn)定的磁特性。
眾所周知,臺積電的2nm工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應(MBCFET)晶體管,它是對先前FinFET設計的補充。
新一代100 V 氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)是48 VOUT同步整流、D類音頻放大器、汽車信息娛樂及激光雷達系統(tǒng)的理想功率器件。
通常我們該如何設計一個可調穩(wěn)壓電源電路?調直流穩(wěn)壓電源是采用當前國際先進的高頻調制技術,其工作原理是將開關電源的電壓和電流展寬,實現(xiàn)了電壓和電流的大范圍調節(jié),同時擴大了目前直流電源供應器的應用。
今天,我們來說一說CPU是如何計算1+1的。
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近日,Intel在其2020年架構日中更新了他們在六大技術支柱方面所取得的進展,揭秘了Willow Cove,Tiger Lake和Xe架構以及全新的晶體管技術。這為我們展現(xiàn)了一個不服輸,甚至還在挑戰(zhàn)
半導體工藝上世紀末開始飛速發(fā)展,實際上由于集成電路的發(fā)明,集成電路工藝成為半導體工藝的主角。其發(fā)展軌跡也印證了摩爾定律,180nm、130nm、90nm、65nm、40nm、28nm、16nm等一路發(fā)展,將其稱為技術節(jié)點,是ITRS(國際半導體技術發(fā)展藍圖)根據(jù)工藝技術的發(fā)展制定的,2010年開始提出“等效擴展”(而不是幾何擴展)。
1947 年12 月23 日,美國貝爾實驗室正式地成功演示了第一個基于鍺半導體的具有放大功能的點接觸式晶體管,標志著現(xiàn)代半導體產業(yè)的誕生和信息時代的開啟。晶體管可以說是20 世紀最重要的發(fā)明,到今天已經超過70 年了。
三極管,全稱應為半導體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
上周的2020架構日活動上,Intel一口氣公布了多項先進產品和技術進展,包括下一代移動處理器Tiger Lake、全新微架構Willow Cove、堪比全節(jié)點工藝轉換的SuperFin晶體管技術、X
晶體管聲,數(shù)碼聲和電磁干擾聲介紹 晶體管聲:聽過晶體管放大器(分立元件)的和聽過集成電路放大器的人一定都會說晶體管放大器聲音好聽,而聽過真空管放大器的和晶體管放大器的,也一定會說真空管的好聽。相比之
NVIDIA的A100加速卡的GA100核心是目前最強大的7nm芯片之一,826mm2面積、540億晶體管,然而在CerebrasSystems的WSE芯片面前,GA100核心也只是個小弟弟,更何況現(xiàn)
場效應 型號 反壓 Vbe0 電流 Icm 功率 Pcm 放大系數(shù)&nb