晶體管耐壓測量儀電路d
晶體管耐壓測量儀電路c
晶體管耐壓測量儀電路a
晶體管測量儀電路e
晶體管測量儀電路d
晶體管測量儀電路c
晶體管測量儀電路b
晶體管測量儀電路a
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出《氮化鎵晶體管 - 高效功率轉(zhuǎn)換器件》教科書(第二版),由電源轉(zhuǎn)換業(yè)界專家撰寫及約翰威立國際出版公司(John Wiley & Sons Inc.)發(fā)行。該教科書專為攻讀功率系統(tǒng)設(shè)計工程課程的學生及在職工
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測試電路圖。如下圖所示,被測單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導通時,三極管VT1通過偏置電阻R2獲得偏置電流(此
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低,這是直流偏置電壓,連接到晶體管的射極,以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、
兩位數(shù)顯式秒定時器的最大定時時間為99s。該電路是由一只石英鐘集成電路5G5544輸出的脈沖信號作為時基信號而組成的電路。由于該電路輸出的脈沖信號周期為2s,所以通過晶
通過采用DMOS FET [1]型輸出驅(qū)動器來擴大高效晶體管陣列陣容東芝公司今天宣布,該公司正在開發(fā)BiCD[2]晶體管陣列TB62xxxA系列,以取代其雙極晶體管陣列TD62xxx系列。后者在
在PWM和電子鎮(zhèn)流器當中,半橋電路發(fā)揮著重要的作用。半橋電路由兩個功率開關(guān)器件組成,它們以圖騰柱的形式連接在一起,并進行輸出,提供方波信號。本篇文章將為大家介紹
東芝公司今天宣布推出一款采用SO6L封裝的晶體管輸出光電耦合器,該產(chǎn)品可用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的DIP4引腳封裝產(chǎn)品。出貨即日啟動。新產(chǎn)品“TLP385”的絕緣規(guī)格與DIP4 F(寬引線)型封裝產(chǎn)品相當,并保證了8mm(最小)
日前,全球首顆以16納米鰭式場效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片成果產(chǎn)出,這是由臺積電幫助海思半導體雙方合作后的成果。根據(jù)設(shè)備廠透露,這個成果表明了臺積電的16納米技術(shù)在面對英特爾以及三星的強力壓力下,已
1.基極必須串接電阻,保護基極,保護CPU的IO口。2.基極根據(jù)PNP或者NPN管子加上拉電阻或者下拉電阻。3.集電極電阻阻值根據(jù)驅(qū)動電流實際情況調(diào)整。同樣基極電阻也可以根據(jù)實際情況調(diào)整?;鶚O和發(fā)射極需要串接電阻,該電
超外差式袖珍收音機的接收電路
FM收音自動搜索和觸發(fā)電路
MOSFET,金屬-氧化層 半導體場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管